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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 时钟频率 内存类型 内存大小 访QQT 内存格式 记忆组织 内存接口 周期写入T - 字、页 SIC
CY62148DV30L-70SXI Cypress Semiconductor Corp CY62148DV30L-70SXI 2.4900
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ECAD 第437章 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MoBL® 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 32-SOIC(0.445英寸,11.30毫米宽) CY62148 SRAM - 异步 2.2V~3.6V 32-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 供应商未定义 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4兆比特 70纳秒 静态随机存储器 512K×8 平行线 70纳秒
S99-50569 Infineon Technologies S99-50569 -
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ECAD 2622 0.00000000 英飞凌科技 - 托盘 过时的 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 过时的 第480章
BR24G16FJ-3NE2 Rohm Semiconductor BR24G16FJ-3NE2 0.3300
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ECAD 2 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) BR24G16 EEPROM 1.6V~5.5V 8-SOP-J 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0051 2,500人 400kHz 非活跃性 16Kbit EEPROM 2K×8 I²C 5毫秒
7052S20PFGI Renesas Electronics America Inc 7052S20PFGI -
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ECAD 3366 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 托盘 最后一次购买 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 120-LQFP SRAM - 四端口,异步 4.5V~5.5V 120-TQFP (14x14) - 800-7052S20PFGI 1 易挥发的 16Kbit 20纳秒 静态随机存储器 2K×8 平行线 20纳秒
S26HL512TFPBHB000 Infineon Technologies S26HL512TFPBHB000 16.2925
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ECAD 3370 0.00000000 英飞凌科技 森帕™ 托盘 的积极 -40℃~105℃(TA) 表面贴装 24-VBGA 或 - NOR (SLC) 2.7V~3.6V 24-FBGA (6x8) 下载 3(168小时) 3A991B1A 8542.32.0071 第676章 166兆赫 非活跃性 512兆比特 6.5纳秒 闪光 64M×8 超级步行 1.7毫秒
M24C64X-FCU6T/TF STMicroelectronics M24C64X-FCU6T/TF -
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ECAD 6353 0.00000000 意法半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP M24C64 EEPROM 1.7V~5.5V 4-WLCSP (0.71x0.73) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 497-M24C64X-FCU6T/TFTR EAR99 8542.32.0051 2,500人 1兆赫 非活跃性 64Kbit 650纳秒 EEPROM 8K×8 I²C 5毫秒
S25HL01GTDPMHI010 Infineon Technologies S25HL01GTDPMHI010 15.7200
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ECAD 700 0.00000000 英飞凌科技 HL-T 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) S25HL01 或-NOR 2.7V~3.6V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 3A991B1A 8542.32.0071 240 133兆赫 非活跃性 1Gbit 闪光 128M×8 SPI - 四路I/O、QPI -
TMS55166-70ADGH Texas Instruments TMS55166-70ADGH 7.0000
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ECAD 8 0.00000000 Texas Instruments * 大部分 的积极 下载 不适用 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.32.0071 1
S26HS02GTFPBHM043 Infineon Technologies S26HS02GTFPBHM043 51.5375
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ECAD 7538 0.00000000 英飞凌科技 森帕™ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 24-VBGA 或 - NOR (SLC) 1.7V~2V 24-FBGA (8x8) 下载 3(168小时) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 166兆赫 非活跃性 2Gbit 闪光 256M×8 超级步行 -
CY7C1011CV33-12BVI Cypress Semiconductor Corp CY7C1011CV33-12BVI 4.6400
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ECAD 2 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 48-VFBGA CY7C1011 SRAM - 异步 3V~3.6V 48-VFBGA (6x8) 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) 供应商未定义 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 2兆比特 12纳秒 静态随机存储器 128K×16 平行线 12纳秒
M29W320DB7AN6E Micron Technology Inc. M29W320DB7AN6E -
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ECAD 1730 0.00000000 美光科技公司 - 托盘 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) M29W320 或-NOR 2.7V~3.6V 48-TSOP I - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 3A991B1A 8542.32.0071 96 非活跃性 32兆比特 70纳秒 闪光 4M×8、2M×16 平行线 70纳秒
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AUT:B TR 37.9050
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ECAD 8089 0.00000000 美光科技公司 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(温控) 表面贴装 200-TFBGA SDRAM - 移动 LPDDR4X 1.06V~1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 下载 557-MT53E1G32D2FW-046AUT:BTR 2,000 2.133GHz 易挥发的 32Gbit 3.5纳秒 动态随机存取存储器 1G×32 平行线 18纳秒
C-2400D4SR8S/4G ProLabs C-2400D4SR8S/4G 21.7500
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ECAD 第1482章 0.00000000 专业实验室 * 零售套餐 的积极 - 符合RoHS标准 4932-C-2400D4SR8S/4G EAR99 8473.30.5100 1
W25Q80BVSSBG Winbond Electronics W25Q80BVSSBG -
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ECAD 8398 0.00000000 华邦电子 SpiFlash® 管子 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.209英寸,5.30毫米宽) W25Q80 或-NOR 2.5V~3.6V 8-SOIC - 3(168小时) REACH 不出行 256-W25Q80BVSSBG 过时的 1 104兆赫 非活跃性 8兆比特 6纳秒 闪光 1M×8 SPI-四路I/O 50微秒、3毫秒
HN58V65AT10SRE Renesas Electronics America Inc HN58V65AT10SRE 7.8500
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ECAD 6 0.00000000 瑞萨电子美国公司 * 大部分 的积极 下载 不适用 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0051 1
NM93C86AN Fairchild Semiconductor NM93C86AN -
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ECAD 7919 0.00000000 仙童 - 管子 过时的 0℃~70℃(TA) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) NM93C86 EEPROM 4.5V~5.5V 8-DIP 下载 不适用 EAR99 8542.32.0051 316 1兆赫 非活跃性 16Kbit EEPROM 2K×8、1K×16 微丝 10毫秒
C-1333D3N9K3/6G ProLabs C-1333D3N9K3/6G 47.0000
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ECAD 5560 0.00000000 专业实验室 * 零售套餐 的积极 - 符合RoHS标准 4932-C-1333D3N9K3/6G EAR99 8473.30.5100 1
S27KL0643GABHB023 Infineon Technologies S27KL0643GABHB023 5.6700
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ECAD 3882 0.00000000 英飞凌科技 HyperRAM™ KL 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃(TA) 表面贴装 24-VBGA PSRAM(α SRAM) 2.7V~3.6V 24-FBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3A991B2 8542.32.0041 2,500人 200兆赫 易挥发的 64兆比特 35纳秒 PSRAM 8M×8 SPI-八路I/O 35纳秒
IS43TR85120A-093NBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-093NBL-TR -
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ECAD 5302 0.00000000 ISSI,集成硅解决方案公司 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 过时的 0℃~95℃(温控) 表面贴装 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM-DDR3 1.425V~1.575V 78-TWBGA (9x10.5) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 706-IS43TR85120A-093NBL-TR EAR99 8542.32.0036 1,500人 1.066GHz 易挥发的 4G比特 20纳秒 动态随机存取存储器 512米×8 平行线 15纳秒
MT49H64M9FM-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H64M9FM-25E:B TR -
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ECAD 3964 0.00000000 美光科技公司 - 卷带式 (TR) SIC停产 0℃~95℃(温控) 表面贴装 144-TFBGA MT49H64M9 动态随机存取存储器 1.7V~1.9V 144μBGA (18.5x11) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400兆赫 易挥发的 576兆比特 15纳秒 动态随机存取存储器 64米×9 平行线 -
CAT24C01WGI-26702 onsemi CAT24C01WGI-26702 0.1200
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ECAD 7 0.00000000 onsemi * 大部分 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) CAT24C01 EEPROM 1.7V~5.5V 8-SOIC - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-CAT24C01WGI-26702-488 EAR99 8542.32.0071 1 400kHz 非活跃性 1Kbit 900纳秒 EEPROM 128×8 I²C 5毫秒
NM24C08UN Fairchild Semiconductor NM24C08UN 0.3700
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ECAD 5242 0.00000000 仙童 - 大部分 的积极 0℃~70℃(TA) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) NM24C08 EEPROM 4.5V~5.5V 8-DIP 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.32.0051 1 100kHz 非活跃性 8Kbit 3.5微秒 EEPROM 1K×8 I²C 10毫秒
CY62147CV18LL-70BAI Cypress Semiconductor Corp CY62147CV18LL-70BAI 2.1200
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ECAD 13 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MoBL2™ 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 48-TFBGA CY62147 SRAM - 异步 1.65V~1.95V 48-FBGA (7x8.5) 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) REACH旅行 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4兆比特 70纳秒 静态随机存储器 256K×16 平行线 70纳秒
40060327-003 Infineon Technologies 40060327-003 -
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ECAD 6627 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 最后一次购买 - 1
CY7C024E-15AXC Cypress Semiconductor Corp CY7C024E-15AXC -
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ECAD 6729 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 托盘 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 100-LQFP CY7C024 SRAM - 双端口,异步 4.5V~5.5V 100-TQFP (14x14) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.32.0041 2 易挥发的 64Kbit 15纳秒 静态随机存储器 4K×16 平行线 15纳秒 未验证
CY7C09579V-100BBC Cypress Semiconductor Corp CY7C09579V-100BBC 56.0000
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ECAD 第480章 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 托盘 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 172-LBGA CY7C09579 SRAM - 双端口,同步 3V~3.6V 172-FBGA (15x15) 下载 不符合 RoHS 指令 3A991B2A 8542.32.0041 9 100兆赫 易挥发的 1.152Mbit 5纳秒 静态随机存储器 32K×36 平行线 -
CY62157G30-45BVXIT Infineon Technologies CY62157G30-45BVXIT 11.7040
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ECAD 3183 0.00000000 英飞凌科技 MoBL® 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 48-VFBGA CY62157 SRAM - 异步 2.2V~3.6V 48-VFBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 易挥发的 8兆比特 45纳秒 静态随机存储器 512K×16 平行线 45纳秒
S25FL128LAGBHI020 Cypress Semiconductor Corp S25FL128LAGBHI020 6.3000
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ECAD 1867年 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 FL-L 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 24-TBGA S25FL128 或-NOR 2.7V~3.6V 24-BGA (6x8) - 不符合 RoHS 指令 不适用 供应商未定义 2832-S25FL128LAGBHI020TR 3A991B1A 8542.32.0070 80 133兆赫 非活跃性 128Mbit 6纳秒 闪光 16M×8 SPI - 四路I/O、QPI 60微秒,1.2毫秒
CY7C1041BV33-20ZC Infineon Technologies CY7C1041BV33-20ZC 4.3800
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ECAD 4 0.00000000 英飞凌科技 - 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) CY7C1041 SRAM - 异步 3V~3.6V 44-TSOP II 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) REACH 不出行 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 4兆比特 20纳秒 静态随机存储器 256K×16 平行线 20纳秒
S26HS512TGABHM013 Infineon Technologies S26HS512TGABHM013 18.2175
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ECAD 6285 0.00000000 英飞凌科技 森帕™ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 24-VBGA 或 - NOR (SLC) 1.7V~2V 24-FBGA (6x8) 下载 3(168小时) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500人 200兆赫 非活跃性 512兆比特 5.45纳秒 闪光 64M×8 超级步行 1.7毫秒
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库