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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
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![]() | CY62148DV30L-70SXI | 2.4900 | ![]() | 第437章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 32-SOIC(0.445英寸,11.30毫米宽) | CY62148 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 32-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4兆比特 | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×8 | 平行线 | 70纳秒 | ||||
![]() | S99-50569 | - | ![]() | 2622 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 托盘 | 过时的 | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 过时的 | 第480章 | |||||||||||||||||||
![]() | BR24G16FJ-3NE2 | 0.3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | BR24G16 | EEPROM | 1.6V~5.5V | 8-SOP-J | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0051 | 2,500人 | 400kHz | 非活跃性 | 16Kbit | EEPROM | 2K×8 | I²C | 5毫秒 | ||||
![]() | 7052S20PFGI | - | ![]() | 3366 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 托盘 | 最后一次购买 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 120-LQFP | SRAM - 四端口,异步 | 4.5V~5.5V | 120-TQFP (14x14) | - | 800-7052S20PFGI | 1 | 易挥发的 | 16Kbit | 20纳秒 | 静态随机存储器 | 2K×8 | 平行线 | 20纳秒 | |||||||||
![]() | S26HL512TFPBHB000 | 16.2925 | ![]() | 3370 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | 森帕™ | 托盘 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 24-VBGA | 或 - NOR (SLC) | 2.7V~3.6V | 24-FBGA (6x8) | 下载 | 3(168小时) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 第676章 | 166兆赫 | 非活跃性 | 512兆比特 | 6.5纳秒 | 闪光 | 64M×8 | 超级步行 | 1.7毫秒 | ||||||
M24C64X-FCU6T/TF | - | ![]() | 6353 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 4-XFBGA、WLCSP | M24C64 | EEPROM | 1.7V~5.5V | 4-WLCSP (0.71x0.73) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 497-M24C64X-FCU6T/TFTR | EAR99 | 8542.32.0051 | 2,500人 | 1兆赫 | 非活跃性 | 64Kbit | 650纳秒 | EEPROM | 8K×8 | I²C | 5毫秒 | |||
![]() | S25HL01GTDPMHI010 | 15.7200 | ![]() | 700 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HL-T | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | S25HL01 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 133兆赫 | 非活跃性 | 1Gbit | 闪光 | 128M×8 | SPI - 四路I/O、QPI | - | ||||
![]() | TMS55166-70ADGH | 7.0000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S26HS02GTFPBHM043 | 51.5375 | ![]() | 7538 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | 森帕™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 24-VBGA | 或 - NOR (SLC) | 1.7V~2V | 24-FBGA (8x8) | 下载 | 3(168小时) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 166兆赫 | 非活跃性 | 2Gbit | 闪光 | 256M×8 | 超级步行 | - | |||||||
![]() | CY7C1011CV33-12BVI | 4.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-VFBGA | CY7C1011 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 48-VFBGA (6x8) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2兆比特 | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×16 | 平行线 | 12纳秒 | ||||
![]() | M29W320DB7AN6E | - | ![]() | 1730 | 0.00000000 | 美光科技公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | M29W320 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 48-TSOP I | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非活跃性 | 32兆比特 | 70纳秒 | 闪光 | 4M×8、2M×16 | 平行线 | 70纳秒 | ||||
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B TR | 37.9050 | ![]() | 8089 | 0.00000000 | 美光科技公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(温控) | 表面贴装 | 200-TFBGA | SDRAM - 移动 LPDDR4X | 1.06V~1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | 下载 | 557-MT53E1G32D2FW-046AUT:BTR | 2,000 | 2.133GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 3.5纳秒 | 动态随机存取存储器 | 1G×32 | 平行线 | 18纳秒 | |||||||||
![]() | C-2400D4SR8S/4G | 21.7500 | ![]() | 第1482章 | 0.00000000 | 专业实验室 | * | 零售套餐 | 的积极 | - | 符合RoHS标准 | 4932-C-2400D4SR8S/4G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W25Q80BVSSBG | - | ![]() | 8398 | 0.00000000 | 华邦电子 | SpiFlash® | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30毫米宽) | W25Q80 | 或-NOR | 2.5V~3.6V | 8-SOIC | - | 3(168小时) | REACH 不出行 | 256-W25Q80BVSSBG | 过时的 | 1 | 104兆赫 | 非活跃性 | 8兆比特 | 6纳秒 | 闪光 | 1M×8 | SPI-四路I/O | 50微秒、3毫秒 | ||||
![]() | HN58V65AT10SRE | 7.8500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | NM93C86AN | - | ![]() | 7919 | 0.00000000 | 仙童 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | NM93C86 | EEPROM | 4.5V~5.5V | 8-DIP | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8542.32.0051 | 316 | 1兆赫 | 非活跃性 | 16Kbit | EEPROM | 2K×8、1K×16 | 微丝 | 10毫秒 | ||||||
![]() | C-1333D3N9K3/6G | 47.0000 | ![]() | 5560 | 0.00000000 | 专业实验室 | * | 零售套餐 | 的积极 | - | 符合RoHS标准 | 4932-C-1333D3N9K3/6G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S27KL0643GABHB023 | 5.6700 | ![]() | 3882 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HyperRAM™ KL | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 24-VBGA | PSRAM(α SRAM) | 2.7V~3.6V | 24-FBGA (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2 | 8542.32.0041 | 2,500人 | 200兆赫 | 易挥发的 | 64兆比特 | 35纳秒 | PSRAM | 8M×8 | SPI-八路I/O | 35纳秒 | ||||||
![]() | IS43TR85120A-093NBL-TR | - | ![]() | 5302 | 0.00000000 | ISSI,集成硅解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 过时的 | 0℃~95℃(温控) | 表面贴装 | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM-DDR3 | 1.425V~1.575V | 78-TWBGA (9x10.5) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 706-IS43TR85120A-093NBL-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,500人 | 1.066GHz | 易挥发的 | 4G比特 | 20纳秒 | 动态随机存取存储器 | 512米×8 | 平行线 | 15纳秒 | ||
![]() | MT49H64M9FM-25E:B TR | - | ![]() | 3964 | 0.00000000 | 美光科技公司 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 0℃~95℃(温控) | 表面贴装 | 144-TFBGA | MT49H64M9 | 动态随机存取存储器 | 1.7V~1.9V | 144μBGA (18.5x11) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400兆赫 | 易挥发的 | 576兆比特 | 15纳秒 | 动态随机存取存储器 | 64米×9 | 平行线 | - | |||
CAT24C01WGI-26702 | 0.1200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | CAT24C01 | EEPROM | 1.7V~5.5V | 8-SOIC | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-CAT24C01WGI-26702-488 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 400kHz | 非活跃性 | 1Kbit | 900纳秒 | EEPROM | 128×8 | I²C | 5毫秒 | ||||
![]() | NM24C08UN | 0.3700 | ![]() | 5242 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | NM24C08 | EEPROM | 4.5V~5.5V | 8-DIP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100kHz | 非活跃性 | 8Kbit | 3.5微秒 | EEPROM | 1K×8 | I²C | 10毫秒 | |||
![]() | CY62147CV18LL-70BAI | 2.1200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL2™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFBGA | CY62147 | SRAM - 异步 | 1.65V~1.95V | 48-FBGA (7x8.5) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4兆比特 | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×16 | 平行线 | 70纳秒 | ||||
![]() | 40060327-003 | - | ![]() | 6627 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 大部分 | 最后一次购买 | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C024E-15AXC | - | ![]() | 6729 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C024 | SRAM - 双端口,异步 | 4.5V~5.5V | 100-TQFP (14x14) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.32.0041 | 2 | 易挥发的 | 64Kbit | 15纳秒 | 静态随机存储器 | 4K×16 | 平行线 | 15纳秒 | 未验证 | |||||
![]() | CY7C09579V-100BBC | 56.0000 | ![]() | 第480章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 172-LBGA | CY7C09579 | SRAM - 双端口,同步 | 3V~3.6V | 172-FBGA (15x15) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 100兆赫 | 易挥发的 | 1.152Mbit | 5纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×36 | 平行线 | - | |||||
![]() | CY62157G30-45BVXIT | 11.7040 | ![]() | 3183 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | MoBL® | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-VFBGA | CY62157 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 48-VFBGA (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 8兆比特 | 45纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×16 | 平行线 | 45纳秒 | ||||
![]() | S25FL128LAGBHI020 | 6.3000 | ![]() | 1867年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FL-L | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 24-TBGA | S25FL128 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 24-BGA (6x8) | - | 不符合 RoHS 指令 | 不适用 | 供应商未定义 | 2832-S25FL128LAGBHI020TR | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 80 | 133兆赫 | 非活跃性 | 128Mbit | 6纳秒 | 闪光 | 16M×8 | SPI - 四路I/O、QPI | 60微秒,1.2毫秒 | ||
![]() | CY7C1041BV33-20ZC | 4.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 包 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1041 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 4兆比特 | 20纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×16 | 平行线 | 20纳秒 | ||||
![]() | S26HS512TGABHM013 | 18.2175 | ![]() | 6285 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | 森帕™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 24-VBGA | 或 - NOR (SLC) | 1.7V~2V | 24-FBGA (6x8) | 下载 | 3(168小时) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500人 | 200兆赫 | 非活跃性 | 512兆比特 | 5.45纳秒 | 闪光 | 64M×8 | 超级步行 | 1.7毫秒 |
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