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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
7024S35JI	-	RFQ	3257	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	7024S35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	15		易挥发的	64kbit	35 ns	SRAM	4K x 16	平行线	35ns
BR93G56F-3GTE2	0.4600	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	BR93G56	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	3 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8，128 x 16	微线	5ms
BR93G46NUX-3TTR	0.5100	RFQ	3548	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	BR93G46	EEPROM	1.7V〜5.5V	VSON008X2030	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	3 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	64 x 16	微线	5ms
BR93G66FV-3GTE2	0.6400	RFQ	1492	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-lssop （0.173“，4.40mm宽度）	BR93G66	EEPROM	1.7V〜5.5V	8SSOP-B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	3 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	微线	5ms
BR93G66FVT-3GAGE2	0.6300	RFQ	6	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	BR93G66	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-TSSOP-B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	3 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	微线	5ms
BR93G76FV-3AGTE2	0.7000	RFQ	5258	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-lssop （0.173“，4.40mm宽度）	BR93G76	EEPROM	1.7V〜5.5V	8SSOP-B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	3 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	512 x 16	微线	5ms
BR25G256F-3GE2	1.1600	RFQ	14	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	BR25G256	EEPROM	1.6V〜5.5V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	20 MHz	非易失性	256kbit		EEPROM	32K x 8	spi	5ms
BR93G66FVJ-3AGTE2	-	RFQ	3091	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	BR93G66	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-TSSOP-BJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	3 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	微线	5ms
S25FS512SDSMFV011	9.4325	RFQ	5211	Infineon技术	FS-S	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FS512	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP005660927	3A991B1A	8542.32.0071	235	80 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
CY7C1049G18-15ZSXIT	6.3875	RFQ	9601	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1049	sram-异步	1.65V〜2.2V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	平行线	15ns
CY7C1041GE30-10VXIT	6.5450	RFQ	4635	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1041	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	500		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
S72XS256RE0AHBHH3	-	RFQ	9046	Infineon技术	XS-R	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	133-VFBGA	S72XS256	闪光，Dram	1.7V〜1.95V	133-fbga（8x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1	108 MHz	非易失性，挥发性	256mbit（Flash），256Mbit（DDR DRAM）		闪光，ram	-	平行线	-
S29GL512S10SFI020	-	RFQ	7475	Infineon技术	GL-S	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2832-S29GL512S10SFI020	3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	32m x 16	平行线	60ns
S34MS08G201BHA003	-	RFQ	8369	赛普拉斯半导体公司	汽车，AEC-Q100，MS-2	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	S34MS08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-BGA（11x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,300		非易失性	8Gbit	45 ns	闪光	1G x 8	平行线	45ns
S34MS08G201BHB000	-	RFQ	2747	赛普拉斯半导体公司	汽车，AEC-Q100，MS-2	托盘	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	S34MS08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-BGA（11x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	210		非易失性	8Gbit	45 ns	闪光	1G x 8	平行线	45ns
S79FL512SDSMFVG00	11.3925	RFQ	7449	Infineon技术	fl-s	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S79FL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,400	80 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	-
S29GL01GT11FHIV13	16.3300	RFQ	3978	Infineon技术	GL-T	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL01	闪光灯 -也不	1.65V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		非易失性	1Gbit	110 ns	闪光	128m x 8	平行线	60ns
S25FL512SAGMFA013	12.0400	RFQ	6790	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，fl-s	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,450	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	-
S99ML01G10044	-	RFQ	8948	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	在sic中停产								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	96
S34ML02G200BHB003	-	RFQ	9816	赛普拉斯半导体公司	汽车，AEC-Q100，ML-2	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	S34ML02	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-BGA（11x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,300		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	25ns
DS2433AX-S＃T	-	RFQ	5101	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	6-XBGA，FCBGA	DS2433	EEPROM	-	6-Flipchip（2.82x2.54）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500		非易失性	4Kbit	2 µs	EEPROM	256 x 16	1-Wire®	-
CAT24M01WI-GT3JN	-	RFQ	2431	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT24M01	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000	1 MHz	非易失性	1Mbit	400 ns	EEPROM	128K x 8	i²c	5ms
S25FL064LABMFA000	2.3450	RFQ	7824	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，fl-l	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL064	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,400	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
S25FL064LABMFB011	3.9700	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，fl-l	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	S25FL064	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	91	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
S25FL164K0XMFB003	-	RFQ	9977	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，FL1-K	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL164	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,450	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
W632GU6MB-12	-	RFQ	4023	Winbond电子产品	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	W632GU6	SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	96-VFBGA（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	198	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
W632GU6KB11I	-	RFQ	7863	Winbond电子产品	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	W632GU6	SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	96-WBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
S30ML01GP30TFI000	-	RFQ	2842	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	96
IS49NLS93200-25WBLI	-	RFQ	6753	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLS93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 9	平行线	-
IS61WV102416EDBLL-10T2LI-TR	11.7300	RFQ	6369	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS61WV102416	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,500		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	1m x 16	平行线	10NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²