内存(70500)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页	SIC
W25Q128BVFJG TR	-	询价	5223	华邦电子	SpiFlash®	卷带式 (TR)	过时的	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	W25Q128	或-NOR	2.7V~3.6V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	W25Q128BVFJGTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	104兆赫	非活跃性	128Mbit		闪光	16M×8	SPI-四路I/O	50微秒、3毫秒
CY7C1380D-200AXC	26.6400	询价	1	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	CY7C1380	SRAM-同步、SDR	3.135V～3.6V	100-TQFP (14x20)	下载	符合ROHS3标准				3A991B2A	8542.32.0041	12	200兆赫	易挥发的	18兆比特	3纳秒	静态随机存储器	512K×36	平行线	-	未验证
GD25UF64EQIGR	1.0390	询价	6007	兆易创新半导体(香港)有限公司	GD25UF	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-XDFN 裸露焊盘		或 - NOR (SLC)	1.14V～1.26V	8-USON (4x4)	-				1970-GD25UF64EQIGRTR			3,000	120兆赫	非活跃性	64兆比特		闪光	8M×8	SPI——四路I/O、DTR	-
CY7C1550KV18-450BZC	228.9200	询价	1	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	165-LBGA	CY7C1550	SRAM - 同步、DDR II+	1.7V~1.9V	165-FBGA (13x15)	下载	不符合 RoHS 指令				3A991B2A	8542.32.0041	136	450兆赫	易挥发的	72兆比特		静态随机存储器	2M×36	平行线	-	未验证
CY7C2644KV18-300BZXI	302.8100	询价	2	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	165-LBGA	CY7C2644	SRAM - 同步，QDR II+	1.7V~1.9V	165-FBGA (15x17)	下载							1	300兆赫	易挥发的	144兆比特		静态随机存储器	4M×36	平行线	-	未验证
A2578594-C	15.7500	询价	4289	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-A2578594-C	EAR99	8473.30.5100	1
S25FL129P0XBHI300A	1.9600	询价	9834	赛普拉斯半导体公司	FL-P	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	24-TBGA	S25FL129	或-NOR	2.7V~3.6V	24-BGA (8x6)	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		3A991B1A	8542.32.0071	1	104兆赫	非活跃性	128Mbit		闪光	16M×8	SPI-四路I/O	5微秒、3毫秒
CY7C1462AV25-200AXC	55.8900	询价	107	赛普拉斯半导体公司	诺BL™	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	CY7C1462	SRAM-同步、SDR	2.375V～2.625V	100-TQFP (14x20)	下载	符合ROHS3标准				3A991B2A	8542.32.0041	72	200兆赫	易挥发的	36兆比特	3.2纳秒	静态随机存储器	2M×18	平行线	-	未验证
NDL16PFJ-9MET TR	3.7465	询价	7004	英赛尼斯科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～95℃（温控）	表面贴装	96-VFBGA		SDRAM-DDR3L	1.283V～1.45V	96-FBGA (8x13)	-				1982-NDL16PFJ-9METTR			1,500人	933兆赫	易挥发的	1Gbit		动态随机存取存储器	64米×16	平行线	-
IS43TR81024B-125KBL	20.8861	询价	2010年	ISSI，集成硅解决方案公司	-	大部分	的积极	0℃～95℃（温控）	表面贴装	78-TFBGA		SDRAM-DDR3	1.425V～1.575V	78-TWBGA (10x14)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		706-IS43TR81024B-125KBL			136	800兆赫	易挥发的	8Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	1G×8	平行线	15纳秒
IS62WV51216HBLL-45B2LI	5.5800	询价	第460章	ISSI，集成硅解决方案公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-VFBGA		SRAM - 异步	2.2V～3.6V	48-VFBGA (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		706-IS62WV51216HBLL-45B2LI			第480章		易挥发的	8兆比特	45纳秒	静态随机存储器	512K×16	平行线	45纳秒
MR25H256AMDFR	8.5386	询价	9234	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MR25H256	MRAM（磁阻RAM）	2.7V~3.6V	8-DFN-EP，小旗 (5x6)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR25H256AMDFRTR	EAR99	8542.32.0071	4,000	40兆赫	非活跃性	256Kbit	9纳秒	内存	32K×8	SPI	-
W25Q64JVZPAQ	-	询价	4091	华邦电子	SpiFlash®	管子	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	W25Q64	或-NOR	2.7V~3.6V	8-WSON (6x5)	-		3（168小时）	REACH 不出行	256-W25Q64JVZPAQ			1	133兆赫	非活跃性	64兆比特	6纳秒	闪光	8M×8	SPI-四路I/O	3毫秒
GVT71256B36T-8	3.7100	询价	8337	电镀技术	-	大部分	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	GVT71256B	SRAM-同步，标准	3.135V～3.6V	100-TQFP (14x20)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		3A991B2A	8542.32.0041	1	100兆赫	易挥发的	9兆比特	8纳秒	静态随机存储器	256K×36	平行线	-
MT29F8T08EULCHD5-QJ:C TR	167.8050	询价	9500	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极								-				557-MT29F8T08EULCHD5-QJ:CTR			2,000
IS26KS512S-DPBLA100-TR	-	询价	2539	英飞凌科技	-	大部分	最后一次购买								-							1
W25R128JVPIQ TR	2.2050	询价	4876	华邦电子	SpiFlash®	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	W25R128	或-NOR	2.7V~3.6V	8-WSON (6x5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	256-W25R128JVPIQTR	3A991B1A	8542.32.0071	5,000	104兆赫	非活跃性	128Mbit		闪光	16M×8	SPI-四路I/O	3毫秒
S70GL02GS11FHI020	16.6700	询价	8388	赛普拉斯半导体公司	GL-S	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	64-LBGA	S70GL02	或-NOR	2.7V~3.6V	64-FBGA (13x11)	下载	符合ROHS3标准			2832-S70GL02GS11FHI020			1		非活跃性	2Gbit	110纳秒	闪光	128M×16	平行线	-	已验证
GD25LR128EYIGR	1.8135	询价	5749	兆易创新半导体(香港)有限公司	GD25LR	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘		或 - NOR (SLC)	1.65V～2V	8-WSON (6x8)	-				1970-GD25LR128EYIGRTR			3,000	200兆赫	非活跃性	128Mbit		闪光	16M×8	SPI-四路I/O	-
SM671PAE-BFSS	88.9000	询价	3884	慧荣科技	铁-UFS™	大部分	的积极	-40℃～105℃	表面贴装	153-TBGA		附件 - NAND (SLC)	-	153-BGA (11.5x13)	下载				1984-SM671PAE-BFSS			1		非活跃性	640Gbit		闪光	80G×8	UFS2.1	-
SNP75X1VC/32G-C	375.0000	询价	3209	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-SNP75X1VC/32G-C	EAR99	8473.30.5100	1
W25Q10EWSNIG	0.3068	询价	9551	华邦电子	SpiFlash®	管子	不适合新设计	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	W25Q10	或-NOR	1.65V～1.95V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	256-W25Q10EWSNIG	EAR99	8542.32.0071	100	104兆赫	非活跃性	1兆比特		闪光	128K×8	SPI-四路I/O	30μs、800μs
S26KL128SDABHA030	4.9300	询价	第338章	安世半导体美国公司	-	大部分	的积极								-				2156-S26KL128SDABHA030			61
06K4626	36.2600	询价	9	英特尔	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义				1
S25FL128SAGBHVD03	-	询价	4622	英飞凌科技	FL-S	托盘	SIC停产	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	24-TBGA	S25FL128	或-NOR	2.7V~3.6V	24-BGA (8x6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0071	1	133兆赫	非活跃性	128Mbit	8纳秒	闪光	16M×8	SPI-四路I/O	-
MC-3CD721-C	110.0000	询价	2553	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-MC-3CD721-C	EAR99	8473.30.5100	1
MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR	-	询价	5873	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	-	-	MT29F6T08	NAND-NAND	2.7V~3.6V	-	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	267兆赫	非活跃性	6T比特		闪光	768G×8	平行线	-
S70GL02GS11FHB010	38.2025	询价	3251	英飞凌科技	GL-S	托盘	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	64-LBGA		或 - NOR (SLC)	2.7V~3.6V	64-FBGA (13x11)	下载					3A991B1A	8542.32.0071	1,800		非活跃性	2Gbit	110纳秒	闪光	256M×8	CFI	-
9021933	-	询价	6640	英飞凌科技	-	大部分	最后一次购买								-							1
C-1600D3SR8VEN/4G	56.2500	询价	5183	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-C-1600D3SR8VEN/4G	EAR99	8473.30.5100	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

内存(70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²