内存(70500)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页	SIC
P38454-B21-C	370.0000	询价	7779	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-P38454-B21-C	EAR99	8473.30.5100	1
CY7C197-15PC	3.6000	询价	第542章	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	24-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	CY7C197	SRAM - 异步	4.5V～5.5V	24-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.32.0041	1		易挥发的	256Kbit	15纳秒	静态随机存储器	64K×4	平行线	15纳秒
C-2400D4QR4LRN/32G	225.0000	询价	6225	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-C-2400D4QR4LRN/32G	EAR99	8473.30.5100	1
R1EX24002ASAS0I#S0	0.6858	询价	5158	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	R1EX24002	EEPROM	1.8V～5.5V	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	2,500人	400kHz	非活跃性	2Kbit	900纳秒	EEPROM	256×8	I²C	5毫秒
MT62F1G64D4EK-023 AIT:B TR	58.0650	询价	1705	美光科技公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～95℃	表面贴装	441-TFBGA		SDRAM - 移动 LPDDR5	1.05V	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F1G64D4EK-023AIT:BTR			2,000	2.133GHz	易挥发的	64Gbit		动态随机存取存储器	1G×64	平行线	-
MR5A16AUMA45	77.7900	询价	2907	Everspin技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	48-LFBGA	MR5A16	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	48-FBGA (10x10)	-	符合ROHS3标准	6（标签上的T）	REACH 不出行	819-MR5A16AUMA45	EAR99	8542.32.0071	240		非活跃性	32兆比特	45纳秒	内存	2M×16	平行线	45纳秒
MPC2605ZP83	46.6900	询价	3	摩托罗拉	-	大部分	的积极	20℃～110℃（太焦）	表面贴装	241-BGA	MPC2605	内存	3.135V～3.465V	241-PBGA (25x25)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	供应商未定义			0000.00.0000	1	83兆赫	易挥发的	256Kbit		内存	-	平行线	-
S25FS128SAGBHV200	2.8200	询价	185	安世半导体美国公司	-	大部分	的积极								-				2156-S25FS128SAGBHV200			107
CY7C1418JV18-300BZXC	58.4000	询价	1	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	165-LBGA	CY7C1418	SRAM-同步、DDR II	1.7V~1.9V	165-FBGA (15x17)	下载	符合ROHS3标准				3A991B2A	8542.32.0041	105	300兆赫	易挥发的	36兆比特		静态随机存储器	2M×18	平行线	-	未验证
CY7C1318KV18-333BZC	30.6800	询价	1	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	165-LBGA	CY7C1318	SRAM-同步、DDR II	1.7V~1.9V	165-FBGA (13x15)	下载	不符合 RoHS 指令				3A991B2A	8542.32.0041	10	333兆赫	易挥发的	18兆比特		静态随机存储器	1M×18	平行线	-	未验证
FM28V020-SGTR	11.9900	询价	4	赛普拉斯半导体公司	F-RAM™	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	FM28V020	FRAM（铁电RAM）	2V～3.6V	28-SOIC	下载							1		非活跃性	256Kbit	140纳秒	铁电存储器	32K×8	平行线	140纳秒	未验证
SM671PBB-AFST	-	询价	9308	慧荣科技	铁-UFS™	托盘	的积极	-40℃～85℃	表面贴装	153-TFBGA	SM671	忆 - NAND (TLC)	-	153-BGA (11.5x13)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	1984-SM671PBB-AFST			1		非活跃性	256Gbit		闪光	32G×8	UFS2.1	-
IDT71V35761S200PF8	-	询价	5041	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	IDT71V35761	SRAM-同步、SDR	3.135V～3.465V	100-TQFP (14x14)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行	71V35761S200PF8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	200兆赫	易挥发的	4.5兆比特	3.1纳秒	静态随机存储器	128K×36	平行线	-
SST25PF040CT-40E/MF18GVAO	-	询价	9847	微芯片	汽车、AEC-Q100、SST25	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	不锈钢25PF040	闪光	2.3V～3.6V	8-WDFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	2,000	40兆赫	非活跃性	4兆比特		闪光	512K×8	SPI	5毫秒
M5M5V108DKV-70H#BT	6.3000	询价	4	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.32.0041	1
MR10Q010MBR	7.0944	询价	8048	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	24-LBGA	MR10Q010	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	24-BGA (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR10Q010MBRTR	EAR99	8542.32.0071	1,000	40兆赫	非活跃性	1兆比特	7纳秒	内存	128K×8	SPI - 四路I/O、QPI	-
IDT71V424S12PH8	-	询价	4767	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	IDT71V424	SRAM - 异步	3V～3.6V	44-TSOP II	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行	71V424S12PH8	3A991B2A	8542.32.0041	1,500人		易挥发的	4兆比特	12纳秒	静态随机存储器	512K×8	平行线	12纳秒
CY7C1168KV18-400BZC	33.7600	询价	第887章	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	165-LBGA	CY7C1168	SRAM - 同步、DDR II+	1.7V~1.9V	165-FBGA (13x15)	下载	不符合 RoHS 指令				3A991B2A	8542.32.0041	9	400兆赫	易挥发的	18兆比特		静态随机存储器	1M×18	平行线	-	未验证
7006S12PFI	-	询价	3252	瑞萨电子美国公司	-	托盘	最后一次购买	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	64-LQFP		SRAM - 双端口，异步	4.5V～5.5V	64-TQFP (14x14)	-				800-7006S12PFI			1		易挥发的	128Kbit	12纳秒	静态随机存储器	16K×8	平行线	12纳秒
CY7C0851V-167AC	41.9300	询价	第753章	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	176-LQFP	CY7C0851	SRAM - 双端口，同步	3.135V～3.465V	176-TQFP (24x24)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		3A991B2A	8542.32.0041	1	167兆赫	易挥发的	2兆比特		静态随机存储器	64K×36	平行线	-
FM93C46TLMT8	-	询价	2883	仙童	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	93C46	EEPROM	2.7V～5.5V	8-TSSOP	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.32.0051	1	250kHz	非活跃性	1Kbit		EEPROM	64×16	微丝	15毫秒
SST26VF016BT-80E/SM70SVAO	-	询价	9756	微芯片	汽车、AEC-Q100、SST26 SQI®	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.209英寸，5.30毫米宽）	不锈钢26VF016	闪光	2.3V～3.6V	8-SOIJ	-		1（无限制）	REACH 不出行	150-不锈钢26VF016BT-80E/SM70SVAO	EAR99	8542.32.0071	2,100	80兆赫	非活跃性	16兆比特		闪光	2M×8	SPI——四路I/O	1.5毫秒
CY62157G30-45ZSXAT	19.4600	询价	9896	英飞凌科技	MoBL®	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）		SRAM - 异步	2.2V～3.6V	44-TSOP II	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		3A991B1B2	8542.32.0071	1,000		易挥发的	8兆比特	45纳秒	静态随机存储器	512K×16	平行线	45纳秒
W25Q512NWFIM TR	-	询价	2629	华邦电子	SpiFlash®	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	W25Q512	或-NOR	1.65V～1.95V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	256-W25Q512NWFIMTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133兆赫	非活跃性	512兆比特	6纳秒	闪光	64M×8	SPI - 四路I/O、QPI、DTR	3毫秒
CYDM128A16-55BVXI	-	询价	8216	赛普拉斯半导体公司	MoBL®	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	100-VFBGA	CYDM	SRAM - 双端口，异步	1.7V～1.9V、2.4V～2.6V、2.7V～3.3V	100-VFBGA (6x6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0041	1		易挥发的	128Kbit	55纳秒	静态随机存储器	8K×16	平行线	55纳秒
MT62F4G32D8DV-026 AIT:B TR	114.9600	询价	6187	美光科技公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～95℃	-	-		SDRAM - 移动 LPDDR5	-	-	-				557-MT62F4G32D8DV-026AIT:BTR			2,000	3.2GHz	易挥发的	128Gbit		动态随机存取存储器	4G×32	平行线	-
713977-B21-C	48.7500	询价	6758	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-713977-B21-C	EAR99	8473.30.5100	1
MT61M512M32KPA-14 N:C TR	42.1050	询价	8544	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极								-				557-MT61M512M32KPA-14N：CTR			2,000
32229L7370	-	询价	2944	国际商业机器公司	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义				1
CY7C1413JV18-250BZXC	52.7200	询价	117	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	165-LBGA	CY7C1413	SRAM - 同步，QDR II	1.7V~1.9V	165-FBGA (15x17)	下载	符合ROHS3标准				3A991B2A	8542.32.0041	6	250兆赫	易挥发的	36兆比特		静态随机存储器	2M×18	平行线	-	未验证

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

内存(70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²