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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
7132LA45L48B	-	RFQ	6178	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	48-LCC		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	48-LCC （14.22x14.22）	-				800-7132LA45L48B			1		易挥发的	16kbit	45 ns	SRAM	2k x 8	平行线	45ns
CAT25C08V-26735T	0.1400	RFQ	122	Onmi	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT25C08	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-CAT25C08V-26735T-488	Ear99	8542.32.0071	1	10 MHz	非易失性	8kbit	40 ns	EEPROM	1k x 8	spi	5ms
CG6719AM	-	RFQ	9873	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
70V7519S166BC	225.9344	RFQ	9787	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	256-LBGA	70v7519	sram-双端口，同步	3.15V〜3.45V	256-cabga（17x17）	下载	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	6	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.6 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
CY62136VNLL-70BAI	4.9100	RFQ	4	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	62
W25Q10EWSNIG	0.3068	RFQ	9551	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	W25Q10	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25Q10EWSNIG	Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	1Mbit		闪光	128K x 8	Spi -Quad I/O。	30µs，800µs
IS61LPS25618EC-200TQLI	7.5262	RFQ	4450	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS25618	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
W25Q16DVUUAG	-	RFQ	5032	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	W25Q16	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-uson （4x3）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q16DVUUAG	过时的		1	104 MHz	非易失性	16mbit	6 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，3ms
BR24C02-WDW6TP	-	RFQ	6549	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	BR24C02	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
MTFC256GAVATTC-AIT TR	82.2150	RFQ	2803	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MTFC256GAVATTC-AITTR			2,000
7034L12PF	-	RFQ	8671	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	-				800-7034L12PF			1		易挥发的	72kbit	12 ns	SRAM	4K x 18	平行线	12ns
MT40A2G8NEA-062E：J Tr	-	RFQ	1208	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A2G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））		557-MT40A2G8NEA-062E：JTR	过时的		2,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	2G x 8	平行线	15ns
6116LA45SOGI	-	RFQ	7517	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6116LA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	45 ns	SRAM	2k x 8	平行线	45ns
1787 Tr	59.8650	RFQ	8903	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-1787Tr			2,000
7019L20PF8	-	RFQ	9572	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	7019L20	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750		易挥发的	1.125Mbit	20 ns	SRAM	128K x 9	平行线	20NS
C-2400D4DR8S/16G	58.5000	RFQ	1512	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-2400D4DR8S/16G	Ear99	8473.30.5100	1
MT53B384M64D4NK-053 wt：b	-	RFQ	5939	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	366-WFBGA	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	366-WFBGA（15x15）	-			到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,190	1.866 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	384m x 64	-	-
CY7C1470V33-167BZXI	-	RFQ	2820	Infineon技术	NOBL™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1470	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	167 MHz	易挥发的	72Mbit	3.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
mt66r7072a10ab5zzw.zca	-	RFQ	5424	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	121-WFBGA	MT66R7072	PCM -LPDDR2，MCP -LPDDR2	1.14v〜1.95v	121-vfbga（11x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	非易失性	1Gbit（PCM），512Mbit （MCP）		内存	128m x 8（PCM），64m x 8（MCP）	平行线	-
GD25F64FWIGR	0.9688	RFQ	5581	gigadevice 半导体（香）	GD25F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-wson（5x6）	-				1970-GD25F64FWIGRTR			3,000	200 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，Dtr	-
00D5048-C	48.5000	RFQ	9025	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-00D5048-C	Ear99	8473.30.5100	1
NDL26PFI-9MET TR	6.6986	RFQ	4501	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-fbga（7.5x13）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1982-NDL26PFI-9METTR	Ear99	8542.32.0036	1,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
CY7C1018DV33-10VXI	3.6300	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C1018	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	23		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
S29GL512N10FFAR23	-	RFQ	4829	Infineon技术	GL-N	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL512	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	64-FBGA（13x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	100ns
03x6657-C	24.5000	RFQ	3318	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-03x6657-C	Ear99	8473.30.5100	1
W25Q80EWSNBG	-	RFQ	9472	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	W25Q80	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q80EWSNBG	过时的		1	104 MHz	非易失性	8mbit	6 ns	闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	30µs，800µs
MX25U16356ZNI02	0.5327	RFQ	2457	大元	-	托盘	积极的								-		3（168））		1092-MX25U16356ZNI02			570
IS43LR16160H-6BL	4.8239	RFQ	2579	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR16160H-6BL			300	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
H2P65ET-C	24.5000	RFQ	6503	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-H2P65ET-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS43TR85120A-093NBLI	-	RFQ	7700	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR85120A-093NBLI	Ear99	8542.32.0036	220	1.066 GHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²