内存(70500)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页
W25Q32FVTCAQ	-	询价	8760	华邦电子	SpiFlash®	管子	过时的	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	24-TBGA	W25Q32	或-NOR	2.7V~3.6V	24-TFBGA (8x6)	-		3（168小时）	REACH 不出行	256-W25Q32FVTCAQ	过时的		1	104兆赫	非活跃性	32兆比特	7纳秒	闪光	4M×8	SPI - 四路I/O、QPI	50微秒、3毫秒
MT53E512M64D4HJ-046 WT:D	-	询价	3117	美光科技公司	-	盒子	过时的								-				557-MT53E512M64D4HJ-046WT:D	过时的		1
7025L20PFG	-	询价	5012	瑞萨电子美国公司	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	7025L20	SRAM - 双端口，异步	4.5V～5.5V	100-TQFP (14x14)	-				800-7025L20PFG	过时的		1		易挥发的	128Kbit	20纳秒	静态随机存储器	8K×16	平行线	20纳秒
W25Q64JVSFAM	-	询价	5423	华邦电子	SpiFlash®	管子	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	W25Q64	或-NOR	2.7V~3.6V	16-SOIC	-		3（168小时）	REACH 不出行	256-W25Q64JVSFAM			1	133兆赫	非活跃性	64兆比特	6纳秒	闪光	8M×8	SPI-四路I/O	3毫秒
SST49LF160C-33-4C-NHE	-	询价	5611	微芯片	SST49	管子	过时的	0℃～85℃（TA）	表面贴装	32-LCC（J导联）	不锈钢49LF160	闪光	3V～3.6V	32-PLCC (11.43x13.97)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	SST49LF160C334CNHE	EAR99	8542.32.0071	30	33兆赫	非活跃性	16兆比特	120纳秒	闪光	2M×8	平行线	20微秒
MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:C TR	60.5400	询价	1980年	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极								-				557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ：CTR			2,000
CY62128EV30LL-55EKI	3.7500	询价	250	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.32.0041	1
7027S35PFI	-	询价	1087	瑞萨电子美国公司	-	托盘	最后一次购买	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	100-LQFP		SRAM - 双端口，异步	4.5V～5.5V	100-TQFP (14x14)	-				800-7027S35PFI			1		易挥发的	512Kbit	35纳秒	静态随机存储器	32K×16	平行线	35纳秒
W25Q32JVTBAM	-	询价	3846	华邦电子	SpiFlash®	管子	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	24-TBGA	W25Q32	或-NOR	2.7V~3.6V	24-TFBGA (8x6)	-		3（168小时）	REACH 不出行	256-W25Q32JVTBAM			1	133兆赫	非活跃性	32兆比特	6纳秒	闪光	4M×8	SPI-四路I/O	3毫秒
MEM-DR416L-HL01-UN24-C	150.0000	询价	1510	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-MEM-DR416L-HL01-UN24-C	EAR99	8473.30.5100	1
AS6C8016B-55BIN	5.8702	询价	6338	联盟内存公司	-	托盘	的积极				AS6C8016				下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	1450-AS6C8016B-55BIN	EAR99	8542.32.0041	300
W25Q01JVZEIQ TR	9.0300	询价	4611	华邦电子	SpiFlash®	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	W25Q01	或-NOR	2.7V~3.6V	8-WSON (8x6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	256-W25Q01JVZEIQTR	3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133兆赫	非活跃性	1Gbit	7.5纳秒	闪光	128M×8	SPI-四路I/O	3.5毫秒
BR24L01AFVT-WE2	0.4602	询价	5602	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	BR24L01	EEPROM	1.8V～5.5V	8-TSSOP-B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	3,000	400kHz	非活跃性	1Kbit		EEPROM	128×8	I²C	5毫秒
S25FL512SAGMFMR10	15.5700	询价	第353章	英飞凌科技	FL-S	托盘	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	S25FL512	或-NOR	2.7V~3.6V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0071	240	133兆赫	非活跃性	512兆比特		闪光	64M×8	SPI-四路I/O	-
CY7C1061AV33-10ZXC	-	询价	3963	英飞凌科技	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY7C1061	SRAM - 异步	3V～3.6V	54-TSOP II	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	108		易挥发的	16兆比特	10纳秒	静态随机存储器	1M×16	平行线	10纳秒
CG7050AT	-	询价	2485	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1
MT53E768M32D4DT-053 AAT:E TR	29.2650	询价	6307	美光科技公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（温控）	表面贴装	200-VFBGA	MT53E768	SDRAM - 移动 LPDDR4	1.1V	200-VFBGA (10x14.5)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	MT53E768M32D4DT-053AAT:ETR	EAR99	8542.32.0036	2,000	1.866GHz	易挥发的	24Gbit		动态随机存取存储器	768米×32	-	-
MT62F2G32D4DS-026 WT:B TR	45.6900	询价	8742	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-25℃～85℃	表面贴装	200-WFBGA		SDRAM - 移动 LPDDR5	1.05V	200-WFBGA (10x14.5)	-				557-MT62F2G32D4DS-026WT:BTR			2,000	3.2GHz	易挥发的	64Gbit		动态随机存取存储器	2G×32	平行线	-
7009S15PF8	-	询价	2891	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	最后一次购买								-				800-7009S15PF8TR			1
23K640-I/ST	0.8400	询价	3	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	23K640	静态随机存储器	2.7V~3.6V	8-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	23K640IST	EAR99	8542.32.0041	100	20兆赫	易挥发的	64Kbit		静态随机存储器	8K×8	SPI	-
R1EX25032ASA00A#S0	1.4500	询价	94	瑞萨电子美国公司	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	R1EX25032	EEPROM	1.8V～5.5V	8-SOP	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.32.0051	2,500人	5兆赫	非活跃性	32Kbit		EEPROM	4K×8	SPI	5毫秒
GD5F2GQ4UFYIGY	-	询价	5750	兆易创新半导体(香港)有限公司	-	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	GD5F2GQ4	NAND-NAND	2.7V~3.6V	8-WSON (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0071	4,800	120兆赫	非活跃性	2Gbit		闪光	256M×8	SPI-四路I/O	700微秒
501538-001-C	51.2500	询价	5446	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-501538-001-C	EAR99	8473.30.5100	1
4X70G78061-C	145.0000	询价	8456	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-4X70G78061-C	EAR99	8473.30.5100	1
N2M400HDB321A3CE	-	询价	5980	美光科技公司	-	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	100-LBGA	N2M400	NAND-NAND	2.7V~3.6V	100-LBGA (14x18)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）			3A991B1A	8542.32.0071	98	52兆赫	非活跃性	128Gbit		闪光	16G×8	MMC	-
S34ML01G200TFI003	-	询价	6950	赛普拉斯半导体公司	ML-2	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-TFSOP（0.724英寸，18.40毫米宽）	S34ML01	NAND-NAND	2.7V~3.6V	48-TSOP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非活跃性	1Gbit		闪光	128M×8	平行线	25纳秒
NV25256MUW3VTBG	2.4600	询价	115	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-UFDFN 裸露焊盘	NV25256	EEPROM	1.8V～5.5V	8-UDFN (2x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	3,000	10兆赫	非活跃性	256Kbit	40纳秒	EEPROM	32K×8	SPI	5毫秒
S25HL512TDPMHV010	10.0975	询价	4821	英飞凌科技	森帕™	托盘	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）		或 - NOR (SLC)	2.7V~3.6V	16-SOIC	下载					3A991B1A	8542.32.0071	240	133兆赫	非活跃性	512兆比特		闪光	64M×8	SPI - 四路I/O、QPI	-
A8526300-C	73.5000	询价	7676	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-A8526300-C	EAR99	8473.30.5100	1
A4188265-C	62.5000	询价	4632	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-A4188265-C	EAR99	8473.30.5100	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

内存(70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²