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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S29GL01GS11DHSS10 | 12.4950 | ![]() | 5912 | 0.00000000 | Infineon技术 | GL-S | 托盘 | 积极的 | 0°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(9x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,600 | 非易失性 | 1Gbit | 110 ns | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | 60ns | ||||
![]() | W25Q32JVXGAQ | - | ![]() | 7178 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | W25Q32 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-XSON(4x4) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q32JVXGAQ | 1 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | |||||
![]() | AT27C256R-70TU | - | ![]() | 3080 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | AT27C256 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 28-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0061 | 234 | 非易失性 | 256kbit | 70 ns | EPROM | 32K x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | STK14C88B-NF35UTR | - | ![]() | 7328 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.295(7.50mm) | STK14C88 | NVSRAM(SRAM) | 4.5V〜5.5V | 32-Soic | - | rohs3符合条件 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 非易失性 | 256kbit | 35 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 35ns | ||||
![]() | M24128-BRMN6P | 0.4200 | ![]() | 2034 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | M24128 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 非易失性 | 128kbit | 450 ns | EEPROM | 16k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | M27C322-100F1 | - | ![]() | 8872 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 42-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) | M27C322 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 42-CDIP板条密封与窗户 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0061 | 9 | 非易失性 | 32Mbit | 100 ns | EPROM | 2m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | FM24W256-G | 6.4400 | ![]() | 9231 | 0.00000000 | Infineon技术 | F-RAM™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FM24W256 | fram (铁电 ram) | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 97 | 1 MHz | 非易失性 | 256kbit | 550 ns | 框架 | 32K x 8 | i²c | - | |||
![]() | S29CL016J0MFAI030 | 3.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | cl-j | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 80-LBGA | S29CL016 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜3.6V | 80-fbga(13x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29CL016J0MFAI030 | 3A991B1B1 | 8542.32.0071 | 167 | 56 MHz | 非易失性 | 16mbit | 54 ns | 闪光 | 512K x 32 | 平行线 | 60ns | ||||
![]() | FM28V020-TG | 10.7100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Infineon技术 | F-RAM™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | FM28V020 | fram (铁电 ram) | 2v〜3.6V | 32-Stsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 234 | 非易失性 | 256kbit | 140 ns | 框架 | 32K x 8 | 平行线 | 140ns | ||||
![]() | 25LC160A-I/WF15K | - | ![]() | 5460 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 死 | 25LC160 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 10 MHz | 非易失性 | 16kbit | EEPROM | 2k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | IS42S32160C-75BLI-TR | - | ![]() | 6125 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-LFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-WBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 6 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | IDT71V25761S166PF | - | ![]() | 7882 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IDT71V25761 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V25761S166PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | thgjfgt1e45bail | 89.0200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 美国济欧克美国公司 | E•MMC™ | 托盘 | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 153-WBGA | 闪存-SLC) | 2.4V〜3.6V,2.7V〜3.6V | 153-BGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 1853-thgjfgt1e45bail | 152 | 1.16 GHz | 非易失性 | 2Tbit | 闪光 | 256g x 8 | UFS 3.1 | - | |||||||
![]() | 25LC040A-H/SN16KVAO | - | ![]() | 8424 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 25LC040 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A001A2A | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | 非易失性 | 4Kbit | EEPROM | 512 x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | SMJ68CE16L-25JDM | 64.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 24fc04-i/sn | 0.2700 | ![]() | 124 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 24FC04 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 非易失性 | 4Kbit | 450 ns | EEPROM | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | |||
MT53D1024M64D8NW-046 WT ES:d | - | ![]() | 7492 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 432-VFBGA | MT53D1024 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 432-VFBGA(15x15) | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,190 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 德拉姆 | 1G x 64 | - | - | |||||||
W29N04KZSIBF TR | 6.7961 | ![]() | 6314 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 256-W29N04KZSIBFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 4Gbit | 25 ns | 闪光 | 512m x 8 | onfi | 35ns,700µs | ||||||
BR95040-WDW6TP | - | ![]() | 5707 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | BR95040 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | BR95040WDW6TP | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 5 MHz | 非易失性 | 4Kbit | EEPROM | 512 x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | 7133LA55FB | - | ![]() | 8598 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 68-flatpack | 7133la | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 68-fpack | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 9 | 易挥发的 | 32kbit | 55 ns | SRAM | 2k x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | SST26WF064C-104I/TD | 5.0700 | ![]() | 5025 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SST26SQI® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | SST26WF064 | 闪光 | 1.65V〜1.95V | 24-tbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1.5ms | ||||
![]() | CY14B101K-SP35XC | - | ![]() | 8240 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) | CY14B101 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 30 | 非易失性 | 1Mbit | 35 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 35ns | ||||
![]() | S29GL128N90FFAR22 | - | ![]() | 8141 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,GL-N | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL128 | 闪光灯 -也不 | 3v〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 128mbit | 90 ns | 闪光 | 16m x 8,8m x 16 | 平行线 | 90NS | ||||
![]() | AT45DQ161-CCUF-T | 1.6016 | ![]() | 7113 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 9-UBGA | AT45DQ161 | 闪光 | 2.3v〜3.6V | 9-ubga (6x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 85 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 528 x 4096页 | Spi -Quad I/O。 | 8µs,6ms | ||||
![]() | W25Q512NWFIM TR | - | ![]() | 2629 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | W25Q512 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q512NWFIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 6 ns | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 3ms | ||
MX35UF2GE4AD-Z4I | 3.2300 | ![]() | 1428 | 0.00000000 | 大元 | MX35UF | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 8-wson(8x6) | - | 3(168)) | 1092-MX35UF2GE4AD-Z4I | 480 | 133 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 512m x 4 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||||||
![]() | MX25L6473EZNI-10G | 1.0130 | ![]() | 3829 | 0.00000000 | 大元 | MXSMIO™ | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | MX25L6473 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | spi | 50µs,3ms | ||||
![]() | CY7C1346S-166AXC | 5.8400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1346 | sram-同步,sdr | 3.15v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | - | 不适用 | 3A991B2A | 52 | 166 MHz | 易挥发的 | 2Mbit | 3.5 ns | SRAM | 64k x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 |
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