内存(70500)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页	SIC
CAT28C65BX-15	-	询价	6262	催化剂半导体公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	CAT28C65	EEPROM	4.5V～5.5V	28-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	1		非活跃性	64Kbit	150纳秒	EEPROM	8K×8	平行线	5毫秒
CY7C1426KV18-300BZC	46.4900	询价	63	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	165-LBGA	CY7C1426	SRAM - 同步，QDR II	1.7V~1.9V	165-FBGA (13x15)	下载							7	300兆赫	易挥发的	36兆比特		静态随机存储器	4M×9	平行线	-	未验证
R1EX25064ATA00A#S0	2.1100	询价	47	瑞萨电子美国公司	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	R1EX25064	EEPROM	1.8V～5.5V	8-TSSOP	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.32.0051	3,000	5兆赫	非活跃性	64Kbit		EEPROM	8K×8	SPI	5毫秒
CY14B108N-ZSP45XI	-	询价	8343	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY14B108	NVSRAM（非易失性SRAM）	2.7V~3.6V	54-TSOP II	下载							8		非活跃性	8兆比特	45纳秒	非静态随机仓库	512K×16	平行线	45纳秒	未验证
71V65803S133BGG8	26.1188	询价	8556	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	119-BGA	71V65803	SRAM - 同步、SDR (ZBT)	3.135V～3.465V	119-PBGA (14x22)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	133兆赫	易挥发的	9兆比特	4.2纳秒	静态随机存储器	512K×18	平行线	-
MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR	19.1550	询价	9752	美光科技公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	96-TFBGA	MT41K512M16	SDRAM-DDR3L	1.283V～1.45V	96-FBGA (8x14)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	MT41K512M16VRN-107AIT:PTR	EAR99	8542.32.0036	2,000	933兆赫	易挥发的	8Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	512米×16	平行线	15纳秒
S25FL256SAGMFAG10	5.3100	询价	11	赛普拉斯半导体公司	FL-S	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	S25FL256	或-NOR	2.7V~3.6V	16-SOIC	下载							57	133兆赫	非活跃性	256兆比特		闪光	32M×8	SPI-四路I/O	-	未验证
MT29F2G08ABAGAWP-AITES:G	3.6385	询价	2403	美光科技公司	汽车，AEC-Q100	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-TFSOP（0.724英寸，18.40毫米宽）	MT29F2G08	附件 - NAND (SLC)	2.7V~3.6V	48-TSOP I	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行			8542.32.0071	960		非活跃性	2Gbit		闪光	256M×8	平行线	-
W25Q16JWSNAM	-	询价	5217	华邦电子	SpiFlash®	管子	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	W25Q16	或-NOR	1.65V～1.95V	8-SOIC	-		3（168小时）	REACH 不出行	256-W25Q16JWSNAM			1	133兆赫	非活跃性	16兆比特	6纳秒	闪光	2M×8	SPI - 四路I/O、QPI、DTR	3毫秒
IS46LD32128A-25BPLA2	-	询价	9926	ISSI，集成硅解决方案公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40℃～105℃（温控）	表面贴装	168-VFBGA	IS46LD32128	SDRAM - 移动 LPDDR2-S4	1.14V～1.3V、1.7V～1.95V	168-VFBGA (12x12)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	706-IS46LD32128A-25BPLA2	过时的		1	400兆赫	易挥发的	4G比特	5.5纳秒	动态随机存取存储器	128米×32	HSUL_12	15纳秒
24AA025-I/MS	0.4050	询价	2987	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	24AA025	EEPROM	1.7V～5.5V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	100	400kHz	非活跃性	2Kbit	900纳秒	EEPROM	256×8	I²C	5毫秒
W25Q128BVEBG	-	询价	7446	华邦电子	SpiFlash®	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	W25Q128	或-NOR	2.7V~3.6V	8-WSON (8x6)	-		3（168小时）	REACH 不出行	256-W25Q128BVEBG	过时的		1	104兆赫	非活跃性	128Mbit	7纳秒	闪光	16M×8	SPI-四路I/O	50微秒、3毫秒
W632GG8NB15I TR	4.6281	询价	3659	华邦电子	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	78-VFBGA	W632GG8	SDRAM-DDR3	1.425V～1.575V	78-VFBGA (8x10.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	256-W632GG8NB15ITR	EAR99	8542.32.0036	2,000	667兆赫	易挥发的	2Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	256M×8	SSTL_15	15纳秒
SST25PF040CT-40E/MF	1.9050	询价	6681	微芯片	汽车、AEC-Q100、SST25	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	不锈钢25PF040	闪光	2.3V～3.6V	8-WDFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	2,000	40兆赫	非活跃性	4兆比特		闪光	512K×8	SPI	5毫秒
MTFC128GAVATTC-AAT TR	61.8150	询价	6720	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极								-				557-MTFC128GAVATTC-AATTR			2,000
CAT93C56W-TE13	-	询价	8046	催化剂半导体公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	CAT93C56	EEPROM	1.8V～5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	2,000	2兆赫	非活跃性	2Kbit		EEPROM	256×8、128×16	微丝	-
AS4C256M16D3C-93BCN	8.8996	询价	7927	联盟内存公司	-	托盘	的积极	0℃～95℃（温控）	表面贴装	96-TFBGA	AS4C256	SDRAM-DDR3	1.425V～1.575V	96-FBGA (7.5x13.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	1450-AS4C256M16D3C-93BCN	EAR99	8542.32.0036	209	1.066GHz	易挥发的	4G比特	20纳秒	动态随机存取存储器	256M×16		15纳秒
S25FL127SABBHIT03	9.3400	询价	2	赛普拉斯半导体公司	FL-S	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	24-TBGA	S25FL127	或-NOR	2.7V~3.6V	24-BGA (8x6)	下载	不符合 RoHS 指令	不适用	供应商未定义	2832-S25FL127SABBHIT03TR	3A991A2	8542.32.0070	54	108兆赫	非活跃性	128Mbit		闪光	16M×8	SPI-四路I/O	-	未验证
CY7C199C-20ZI	-	询价	1600	赛普拉斯半导体公司	-	包	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	28-TSSOP（0.465英寸，11.80毫米宽）	CY7C199	SRAM - 异步	4.5V～5.5V	28-TSOP I	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.32.0041	234		易挥发的	256Kbit	20纳秒	静态随机存储器	32K×8	平行线	20纳秒	未验证
C-2666D4SR8N/8G	54.5000	询价	9271	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-C-2666D4SR8N/8G	EAR99	8473.30.5100	1
MT53D4DAKA-DC TR	-	询价	1203	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	SIC停产		-	-	MT53D4	SDRAM - 移动 LPDDR4		-	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行			0000.00.0000	2,000		易挥发的			动态随机存取存储器
W631GG6MB11J TR	-	询价	4766	华邦电子	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-40℃～105℃（温控）	表面贴装	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM-DDR3	1.425V～1.575V	96-VFBGA (7.5x13)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	256-W631GG6MB11JTR			3,000	933兆赫	易挥发的	1Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	64米×16	SSTL_15	15纳秒
CY7C1474V25-167BGC	-	询价	6164	英飞凌科技	诺BL™	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	209-BGA	CY7C1474	SRAM-同步、SDR	2.375V～2.625V	209-FBGA (14x22)	-	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	84	167兆赫	易挥发的	72兆比特	3.4纳秒	静态随机存储器	1M×72	平行线	-
MT40A1G8AG-062E 自动：R TR	-	询价	7620	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极								-			REACH 不出行	557-MT40A1G8AG-062EAUT：RTR			1
MT62F2G32D4DS-023 AIT:C TR	58.0650	询价	9529	美光科技公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～95℃	表面贴装	200-WFBGA		SDRAM - 移动 LPDDR5	1.05V	200-WFBGA (10x14.5)	-				557-MT62F2G32D4DS-023AIT:CTR			2,000	2.133GHz	易挥发的	64Gbit		动态随机存取存储器	2G×32	平行线	-
S25FL032P0XMFV003M	-	询价	7766	英飞凌科技	FL-P	托盘	过时的	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	S25FL032	或-NOR	2.7V~3.6V	16-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1	104兆赫	非活跃性	32兆比特		闪光	4M×8	SPI-四路I/O	5微秒、3毫秒
CY7C09569V-83AXC	33.8600	询价	35	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	144-LQFP	CY7C09569	SRAM - 双端口，同步	3V～3.6V	144-TQFP (20x20)	下载	符合ROHS3标准				3A991B2B	8542.32.0041	9	83兆赫	易挥发的	576Kbit	6纳秒	静态随机存储器	16K×36	平行线	-	未验证
S29VS256RABBHI000	52.6400	询价	221	英飞凌科技	VS-R	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	44-VFBGA	S29VS256	或-NOR	1.7V～1.95V	44-FBGA (7.5x5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2832-S29VS256RABBHI000	3A991B1A	8542.32.0071	第377章	108兆赫	非活跃性	256兆比特	80纳秒	闪光	16M×16	平行线	60纳秒
MT53E768M32D4DT-046 AIT:E TR	-	询价	9697	美光科技公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	200-VFBGA	MT53E768	SDRAM - 移动 LPDDR4	1.1V	200-VFBGA (10x14.5)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）		MT53E768M32D4DT-046AIT:ETR	EAR99	8542.32.0036	2,000	2.133GHz	易挥发的	24Gbit		动态随机存取存储器	768米×32	-	-
MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C	-	询价	6000	美光科技公司	-	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	90-VFBGA	MT46H16M32	SDRAM - 移动 LPDDR	1.7V～1.95V	90-VFBGA (8x13)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0036	1,000	200兆赫	易挥发的	512兆比特	5纳秒	动态随机存取存储器	16M×32	平行线	15纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

内存(70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²