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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | R1LP0408DSP-5SR ＃S0 | - |  | 3007 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 32-SOIC（0.450英寸，11.40mm宽度） | R1LP0408 | SRAM | 4.5V〜5.5V | 32 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | ||
 | R1LP5256ESA-7SR ＃S0 | - | | 7767 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度） | R1LP5256 | SRAM | 4.5V〜5.5V | 28-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | ||
 | R1LP5256ESP-5SR ＃S0 | - | | 2279 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 28-SOIC （0.330英寸，8.38毫米宽） | R1LP5256 | SRAM | 4.5V〜5.5V | 28 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 256kbit | 55 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 55ns | ||
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| R1LV3216RSA-7SI ＃B0 | - | | 7220 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | R1LV3216 | SRAM | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 32Mbit | 70 ns | SRAM | 4m x 8，2m x 16 | 平行线 | 70NS | ||
| R1LV3216RSD-5SI ＃S0 | - | | 1792年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 52-tfsop （0.350英寸，8.89mm宽度） | R1LV3216 | SRAM | 2.7V〜3.6V | 52-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 32Mbit | 55 ns | SRAM | 4m x 8，2m x 16 | 平行线 | 55ns | ||
| R1LV5256ESA-5SI ＃S0 | - | | 1537年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度） | R1LV5256 | SRAM | 2.7V〜3.6V | 28-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 256kbit | 55 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 55ns | ||
| R1LV5256ESP-5SI ＃S0 | - | | 7417 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 28-Soic（0.330英寸，8.40mm宽度） | R1LV5256 | SRAM | 2.7V〜3.6V | 28 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 256kbit | 55 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 55ns | ||
| R1WV3216RBG-7SI ＃B0 | - | | 7608 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-TFBGA | R1WV3216 | SRAM | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA（7.5x8.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 32Mbit | 70 ns | SRAM | 2m x 16 | 平行线 | 70NS | ||
| R1WV3216RBG-7SI ＃S0 | - | | 4274 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-TFBGA | R1WV3216 | SRAM | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA（7.5x8.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 32Mbit | 70 ns | SRAM | 2m x 16 | 平行线 | 70NS | ||
 | MT41J128M16JT-125：k tr | 5.3700 | | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 0°C〜95°C（TC） | 表面安装 | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA（8x14） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 13.75 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | - | |
 | MT41K256M8DA-125：k | 5.3700 | | 29 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C（TC） | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA（8x10.5） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 13.75 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | - | |
 | MT46H64M32LFMA-5 IT：a | - | | 9449 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 168-WFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | 平行线 | 15ns | ||
 | MT46V64M8CV-5B IT：j | - | | 7775 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 60-TFBGA | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 60-fbga（8x12.5） | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
 | MT46V64M8TG-5B IT：j | - | | 1835年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽） | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
 | MT41K1G8THE-15E：d | - | | 4182 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜95°C（TC） | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K1G8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA（10.5x12） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 13.5 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | - | ||
| MT49H16M36BM-25：a | - | | 1236 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜95°C（TC） | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H16M36 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-µBGA（18.5x11） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 16m x 36 | 平行线 | - | ||
| DS1245XP-70+ | - | | 5826 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 积极的 | - | - | DS1245 | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8473.30.1140 | 1 | ||||||||||||
 | DS24B33Q+U | - | | 8399 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | DS24B33 | EEPROM | 2.8V〜5.25V | 6-TDFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 非易失性 | 4Kbit | 2 µs | EEPROM | 256 x 16 | 1-Wire® | - | ||
 | DS28E05R+t | 1.0000 | | 22 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | DS28E05 | EEPROM | 3v〜3.6V | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 非易失性 | 896位 | 2 µs | EEPROM | 112 x 8 | 1-Wire® | - | ||
 | MR25H256MDC | 15.0800 | | 8182 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车，AEC-Q100 | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | MR25H256 | MRAM （磁磁性 RAM） | 2.7V〜3.6V | 8-DFN（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 40 MHz | 非易失性 | 256kbit | 内存 | 32K x 8 | spi | - | ||
 | MR4A08BCMA35R | 46.9950 | | 2126 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-LFBGA | MR4A08 | MRAM （磁磁性 RAM） | 3v〜3.6V | 48-fbga（10x10） | 下载 | rohs3符合条件 | 5（48）（48）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 16mbit | 35 ns | 内存 | 2m x 8 | 平行线 | 35ns | ||
| MR4A16BMA35 | 42.7400 | | 960 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 48-LFBGA | MR4A16 | MRAM （磁磁性 RAM） | 3v〜3.6V | 48-fbga（10x10） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 240 | 非易失性 | 16mbit | 35 ns | 内存 | 1m x 16 | 平行线 | 35ns | ||
 | MR0A08BCSO35 | - | | 9529 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 32-SOIC（0.295（7.50mm） | MR0A08 | MRAM （磁磁性 RAM） | 3v〜3.6V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 108 | 非易失性 | 1Mbit | 35 ns | 内存 | 128K x 8 | 平行线 | 35ns | ||
 | CY14E256Q1A-SXIT | - | | 4495 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | CY14E256 | NVSRAM（SRAM） | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 2,500 | 40 MHz | 非易失性 | 256kbit | NVSRAM | 32K x 8 | spi | - |
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