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CY14B512Q1A-SXI	-	RFQ	3079	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CY14B512	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	97	40 MHz	非易失性	512kbit		NVSRAM	64k x 8	spi	-
MT42L64M32D2HE-18 IT：d	8.8050	RFQ	3310	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	MT42L64M32	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v	134-vfbga（10x11.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT42L64M32D2HE-18IT：d	Ear99	8542.32.0036	2,100	533 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
AS7C34098A-12TCNTR	4.5617	RFQ	1681年	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	AS7C34098	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
AT25040AN-10SU-1.8	-	RFQ	4410	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT25040	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	AT25040AN-10SU1.8	Ear99	8542.32.0051	100	20 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	5ms
AT25640A-10TU-2.7	-	RFQ	7974	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT25640	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	20 MHz	非易失性	64kbit		EEPROM	8k x 8	spi	5ms
MT29C8G96MAZBADJV-5 WT	-	RFQ	8727	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT29C8G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	8Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 16 nand），128m x 32 lpdram）	平行线	-
7016L20PF	-	RFQ	7522	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	80-LQFP	7016L20	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	80-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	45		易挥发的	144kbit	20 ns	SRAM	16k x 9	平行线	20NS
MT62F768M64D4EK-026 WT ES：B TR	51.0300	RFQ	8919	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA	MT62F768	sdram- lpddr5	-	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F768M64D4EK-026WTES：BTR			1,500	3.2 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	平行线	-
70V24S55J8	-	RFQ	4478	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	70v24	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	200		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	4K x 16	平行线	55ns
M93C76-WMN6P	-	RFQ	8950	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M93C76	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	2 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1K x 8，512 x 16	微线	5ms
7034L15PF	-	RFQ	4516	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	7034L15	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	3		易挥发的	72kbit	15 ns	SRAM	4K x 18	平行线	15ns
IS46TR16256AL-15HBLA1	-	RFQ	3553	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	667 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
MT53E4G32D8GS-046 AIT：c	109.4700	RFQ	6034	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜95°C	-	-		sdram- lpddr4	-	-	-				557-MT53E4G32D8GS-046AIT：c			1	2.133 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	4G x 32	平行线	-
S25FL164K0XMFI011	-	RFQ	8329	赛普拉斯半导体公司	fl1-k	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	S25FL164	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件			2832-S25FL164K0XMFI011			91	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms	未行业行业经验证
BR25H040F-2CE2	0.6300	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	BR25H040	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	10 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	4ms
71V3558SA166BQGI	10.5878	RFQ	4313	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3558	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
AS4C2M32S-5TCNTR	-	RFQ	7800	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	AS4C2M32	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	200 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	2NS
SM662GXC-ACS	-	RFQ	7586	硅运动，Inc。	-	托盘	过时的				SM662				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1
AT45DB161E-SHD-T	-	RFQ	6891	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	AT45DB161	闪光	2.5V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	85 MHz	非易失性	16mbit		闪光	528 x 4096页	spi	8µs，6ms
IS61WV1288EEBLL-10BLI-TR	2.5289	RFQ	3202	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV1288EEBLL-10BLI-TR			2,500		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
70V631S12BFGI	256.1448	RFQ	4109	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	208-LFBGA	70v631	sram-双端口，异步	3.15V〜3.45V	208-cabga（15x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	7		易挥发的	4.5mbit	12 ns	SRAM	256K x 18	平行线	12ns
IDT71V3578S133PFI8	-	RFQ	7088	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V3578	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V3578S133PFI8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
MT41J64M16JT-15E：G。	-	RFQ	7524	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41J64M16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（8x14）	下载	Rohs符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	667 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	-
SST39VF6402B-70-4C-EKE-T	8.4150	RFQ	9728	微芯片技术	SST39 MPF™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	SST39VF6402	闪光	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	4m x 16	平行线	10µs
71V2556S100PFG	7.6801	RFQ	3132	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
MT53D384M32D2DS-053 XT：e	-	RFQ	4694	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
GS8673ET36BGK-675I	328.1075	RFQ	6762	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	260-BGA	GS8673ET	sram-四边形端口，同步	1.3V〜1.4V	260-BGA （22x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS8673ET36BGK-675I	3A991B2B	8542.32.0041	8	675 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
MT41K256M16HA-125 V：E TR	-	RFQ	6318	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K256M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	4Gbit	13.75 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
7133SA70J8	-	RFQ	6068	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7133SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	250		易挥发的	32kbit	70 ns	SRAM	2k x 16	平行线	70NS
FM24C128FN	0.6000	RFQ	3934	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	FM24C128	EEPROM	4.5V〜5.5V	8点	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	1	400 kHz	非易失性	128kbit	900 ns	EEPROM	16k x 8	i²c	6ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²