SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
AS7C256A-12JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C256A-12Jintr 2.2706
RFQ
ECAD 2856 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) AS7C256 sram-异步 4.5V〜5.5V 28-soj 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 1,000 易挥发的 256kbit 12 ns SRAM 32K x 8 平行线 12ns
S-24CS02ADP-G ABLIC Inc. S-24CS02ADP-G -
RFQ
ECAD 5481 0.00000000 Ablic Inc. - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) S-24CS02 EEPROM 1.8V〜5.5V 8点 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 50 400 kHz 非易失性 2kbit 900 ns EEPROM 256 x 8 i²c 10ms
CAT24C128LGI Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C128LGI 0.3400
RFQ
ECAD 1702 0.00000000 催化剂半导体公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) CAT24C128 EEPROM 1.8V〜5.5V 8-pdip 下载 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1 1 MHz 非易失性 128kbit 400 ns EEPROM 16k x 8 i²c 5ms
EDFB232A1MA-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFB232A1MA-GD-FD -
RFQ
ECAD 8640 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TA) - - EDFB232 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,680 800 MHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 平行线 -
IS25LP016D-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JULE-TR 0.7583
RFQ
ECAD 3691 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 IS25LP016 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 5,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 SPI,QPI 800µs
AT25DN011-SSHF-T Adesto Technologies AT25DN011-SSHF-T 0.5300
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Adesto Technologies - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) AT25DN011 闪光 2.3v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000 104 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi 8µs,1.75ms
70V24L25J Renesas Electronics America Inc 70V24L25J -
RFQ
ECAD 8082 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 84-LCC(j-lead) 70V24L sram-双端口,异步 3v〜3.6V 84-PLCC (29.31x29.31) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 15 易挥发的 64kbit 25 ns SRAM 4K x 16 平行线 25ns
CAT28C64BKI-15 onsemi CAT28C64BKI-15 -
RFQ
ECAD 1669年 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) CAT28C64 EEPROM 4.5V〜5.5V 28-Soic - Rohs不合规 供应商不确定 2156-CAT28C64BKI-15-488 Ear99 8542.32.0071 1 非易失性 64kbit 150 ns EEPROM 8k x 8 5ms 未行业行业经验证
S29GL128N11FFA020 Infineon Technologies S29GL128N11FFA020 -
RFQ
ECAD 6835 0.00000000 Infineon技术 GL-N 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA S29GL128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-FBGA(13x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 128mbit 110 ns 闪光 16m x 8,8m x 16 平行线 110NS
IS62WV2568FBLL-45HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568FBLL-45HLI-TR 1.5491
RFQ
ECAD 8434 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) sram-异步 2.2v〜3.6V 32-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS62WV2568FBLL-45HLI-TR 2,000 易挥发的 2Mbit 45 ns SRAM 256K x 8 平行线 45ns
MT48LC4M32B2TG-6A:L Alliance Memory, Inc. MT48LC4M32B2TG-6A:l -
RFQ
ECAD 8955 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) MT48LC4M32B2 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 1450-1363 Ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 12ns
MTFC32GAZAQHD-AIT Micron Technology Inc. mtfc32gazaqhd-ait 17.3550
RFQ
ECAD 3528 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA mtfc32g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-VFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1,520 200 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
M24C08-DRMN3TP/K STMicroelectronics M24C08-DRMN3TP/k 0.5000
RFQ
ECAD 5035 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M24C08 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 非易失性 8kbit 450 ns EEPROM 1k x 8 i²c 4ms
MT54W1MH18JF-7.5 Micron Technology Inc. MT54W1MH18JF-7.5 23.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 微米技术公司 QDR™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA sram-同步 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 18mbit 500 ps SRAM 1m x 18 HSTL -
CAT25010VI-GT3A onsemi CAT25010VI-GT3A -
RFQ
ECAD 4307 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) CAT25010 EEPROM 1.8V〜5.5V 8-SOIC 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.32.0071 3,000 非易失性 1kbit EEPROM 128 x 8 spi 5ms
IS42S83200G-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-6TLI-TR 6.5463
RFQ
ECAD 6384 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S83200 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 -
P03054-C91-C ProLabs P03054-C91-C 835.0000
RFQ
ECAD 7620 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-P03054-C91-C Ear99 8473.30.5100 1
MT48LC16M16A2FG-75 IT:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2FG-75 IT:D Tr -
RFQ
ECAD 9090 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-VFBGA MT48LC16M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-VFBGA(8x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
S29GL064S90TFI010 Infineon Technologies S29GL064S90TFI010 -
RFQ
ECAD 5624 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100,GL-S 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) S29GL064 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 91 非易失性 64mbit 90 ns 闪光 8m x 8,4m x 16 平行线 60ns
PA5282U-1M16G-C ProLabs PA5282U-1M16G-C 81.7500
RFQ
ECAD 7962 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-PA5282U-1M16G-C Ear99 8473.30.5100 1
S99FL064LABMFI010 Infineon Technologies S99FL064LABMFI010 -
RFQ
ECAD 8449 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 上次购买 - 1
A9810569-C ProLabs A9810569-C 618.7500
RFQ
ECAD 3978 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-A9810569-C Ear99 8473.30.5100 1
CY7C1424KV18-250BZCT Infineon Technologies CY7C1424KV18-250BZCT -
RFQ
ECAD 9069 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA CY7C1424 Sram-同步,DDR II 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 250 MHz 易挥发的 36mbit SRAM 1m x 36 平行线 -
71V3557S75PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3557S75PFG 8.6800
RFQ
ECAD 102 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3557 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
IS45S16320F-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7TLA1-Tr 12.2700
RFQ
ECAD 6774 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS45S16320 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 143 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
99Y1497-C ProLabs 99Y1497-C 17.5000
RFQ
ECAD 3422 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-99Y1497-C Ear99 8473.30.5100 1
NDL86PFE-9MIT Insignis Technology Corporation NDL86PFE-9MIT -
RFQ
ECAD 5306 0.00000000 Insignis Technology Corporation - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) - - SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V - - 1982-NDL86PFE-9MIT 过时的 2,000 933 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 512m x 16 平行线 -
N25W032A11EF640E Micron Technology Inc. N25W032A11EF640E -
RFQ
ECAD 4138 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 N25W032 闪光灯 -也不 1.7V〜2V (8-vdfpn(6x5)(MLP8) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 490 108 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 8m x 4 spi -
S25FL132K0XNFI040 Infineon Technologies S25FL132K0XNFI040 -
RFQ
ECAD 4384 0.00000000 Infineon技术 fl1-k 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) S25FL132 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 490 108 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 3ms
W25Q16JWSNAM Winbond Electronics W25Q16JWSNam -
RFQ
ECAD 5217 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 管子 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) W25Q16 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3(168)) 到达不受影响 256-W25Q16JWSNAM 1 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库