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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
GS8673ET36BGK-675I	328.1075	RFQ	6762	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	260-BGA	GS8673ET	sram-四边形端口，同步	1.3V〜1.4V	260-BGA （22x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS8673ET36BGK-675I	3A991B2B	8542.32.0041	8	675 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
MT41K256M16HA-125 V：E TR	-	RFQ	6318	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K256M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	4Gbit	13.75 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
7133SA70J8	-	RFQ	6068	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7133SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	250		易挥发的	32kbit	70 ns	SRAM	2k x 16	平行线	70NS
FM24C128FN	0.6000	RFQ	3934	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	FM24C128	EEPROM	4.5V〜5.5V	8点	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	1	400 kHz	非易失性	128kbit	900 ns	EEPROM	16k x 8	i²c	6ms
MX25L12845GM2I-08G	1.6150	RFQ	9791	大元	MX25XXX45 -MXSMIO™	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	MX25L12845	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	92	120 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	30µs，750µs
MT53E1536M64D8HJ-046 wt：c tr	67.8450	RFQ	5913	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	556-TFBGA		sdram- lpddr4	-	556-WFBGA （12.4x12.4）	-				557-MT53E1536M64D8HJ-046WT：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	1.5MX 64	-	-
CY7C1355C-133BGXC	10.8800	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	NOBL™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1355	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	28	133 MHz	易挥发的	9Mbit	6.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-	未行业行业经验证
CY7C1420JV18-300BZXC	53.7900	RFQ	391	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1420	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	6	300 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
CY7C25652KV18-400BZC	222.0000	RFQ	384	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C25652	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载							1	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
CY62148ESL-55ZAXAKJ	-	RFQ	6638	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	过时的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1
CAT24FC64WI-TE13	-	RFQ	9729	催化剂半导体公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT24FC64	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	2,000	1 MHz	非易失性	64kbit	500 ns	EEPROM	8k x 8	i²c	5ms
CY7C1018CV33-12VC	-	RFQ	8341	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C1018	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
CY7C1049CV33-10ZXC	3.8000	RFQ	2	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1049	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
5962-8764813QYA	24.0000	RFQ	192	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	32-CLCC，窗口	5962-8764813	EPROM -UV	4.5V〜5.5V	32-CLCC （13.97x11.43）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0061	1		非易失性	512kbit	200 ns	EPROM	64k x 8	平行线	-
MT54W1MH18BF-5TR	43.4700	RFQ	2	微米技术公司	QDR™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-同步	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	450 ps	SRAM	1m x 18	HSTL	-
CY27S07PC	5.5700	RFQ	7160	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	CY27S07	sram-异步	4.5V〜5.5V	16二滴	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	64位	35 ns	SRAM	16 x 4	平行线	-
CY27H010-45PC	2.5400	RFQ	147	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	32 滴（0.600英寸，15.24毫米）	CY27H010	EPROM -UV	4.5V〜5.5V	32-PDIP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0071	1		非易失性	1Mbit	45 ns	EPROM	128K x 8	平行线	-
CY7C1354C-250AXC	12.7300	RFQ	83	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1354	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	9Mbit	2.8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
CY27C256-150JC	1.4700	RFQ	26	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	CY27C256	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0071	1		非易失性	256kbit	150 ns	EPROM	32K x 8	平行线	-
R1EX24128ASAS0A ＃S0	4.2300	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	2,500
R1EX24512ASAS0I ＃S1	6.0100	RFQ	896	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	250
R1RW0416DSB-0PR ＃D0	-	RFQ	6355	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991	8542.32.0041	1
R1QAA7236RBG-22RB0	29.2300	RFQ	29	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1
GS82582D38GE-550I	492.0000	RFQ	5	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	165-LBGA	GS82582D38	sram-四边形端口，同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FPBGA（15x17）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS82582D38GE-550I	3A991B2B	8542.32.0041	10	550 MHz	易挥发的	288Mbit		SRAM	8m x 36	平行线	-
NM93C46MT8X	0.5900	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93C46	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	64 x 16	微线	10ms
MT53D512M32D2DS-046 IT：d	19.0000	RFQ	1723年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53D512M32D2DS-046IT：d	Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
MT58L32L32PT-6	10.9700	RFQ	38	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	500	166 MHz	易挥发的	1Mbit	3.5 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
CY7C1460AV25-200BZXC	62.5100	RFQ	330	赛普拉斯半导体公司	NOBL™	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1460	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				5	200 MHz	易挥发的	36mbit	3.2 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
LC3564CM-70U-TLM-E	1.4000	RFQ	35	Onmi	*	大部分	积极的								下载	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1,000
M10042040054x0Pway	13.8276	RFQ	6756	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	8-WDFN暴露垫	M10042040054	MRAM （磁磁性 RAM）	1.71V〜2V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	800-M10042040054x0Pway	Ear99	8542.32.0071	225	54 MHz	非易失性	4Mbit		内存	1m x 4	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²