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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT29F512G08CUCDBJ6-6R：d	-	RFQ	5708	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-LBGA	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	132-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	166 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
CAT93C46YI-TE13	0.1900	RFQ	2	Onmi	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAT93C46	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-CAT93C46YI-TE13-488	Ear99	8542.32.0071	1	2 MHz	非易失性	1kbit	250 ns	EEPROM	64 x 16，128 x 8	微线	-
S99KL512SC0BHV000	-	RFQ	3878	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产								-	rohs3符合条件		到达不受影响				1
MT53D2048M32D8QD-046 WT ES：D TR	-	RFQ	6127	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53D2048	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	-	-
70V06L12PF8	-	RFQ	2748	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP		sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP （14x14）	-				800-70V06L12PF8TR			1		易挥发的	128kbit	12 ns	SRAM	16k x 8	平行线	12ns
CY62157G30-45ZSXAT	19.4600	RFQ	9896	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		3A991B1B2	8542.32.0071	1,000		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	512k x 16	平行线	45ns
IS43R16160D-5TL	4.7138	RFQ	3797	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
C-160D3SL/16GKIT	48.7500	RFQ	5210	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-160D3SL/16GKIT	Ear99	8473.30.5100	1
CAT25C128P	-	RFQ	6937	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	CAT25C128	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-pdip	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	5 MHz	非易失性	128kbit		EEPROM	16k x 8	spi	5ms
W632GU8AB-15	-	RFQ	2742	Winbond电子产品	-	托盘	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	-	-	W632GU8	SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	242	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
M93C86-WDW6TP	0.4300	RFQ	7128	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	M93C86	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	2 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8，1k x 16	微线	5ms
24LC014T-E/SN	0.4350	RFQ	2389	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24LC014	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	400 kHz	非易失性	1kbit	900 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
S29GL512S12DHE010	91.3500	RFQ	720	赛普拉斯半导体公司	汽车，AEC-Q100，GL-S	托盘	积极的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	根据要求获得可用的信息	2832-S29GL512S12DHE010	3A991B1A	8542.32.0050	6		非易失性	512Mbit	120 ns	闪光	64m x 8	CFI	60ns
CY621572E18LL-55BVXIT	-	RFQ	3594	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY621572	sram-异步	1.65V〜2.25V	48-VFBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
CY14B104LA-ZS25XI	-	RFQ	9155	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY14B104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件						135		非易失性	4Mbit	25 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	25ns	未行业行业经验证
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ：a	252.4600	RFQ	247	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	MT29F256G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	100-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	100 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
DS1258W-100IND＃	-	RFQ	9390	ADI/MAXIM集成	-	盒子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	40 DIP 模块（0.610英寸，15.495mm）	DS1258W	NVSRAM（SRAM）	3v〜3.6V	40-Edip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	9		非易失性	2Mbit	100 ns	NVSRAM	128K x 16	平行线	100ns
MT53E256M32D1K-046 AIT：l tr	11.6800	RFQ	8256	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	200-VFBGA				200-VFBGA（10x14.5）	-			到达不受影响	557-MT53E256M32D1KS-046AIT：LTR			1
23LC1024-i/sn	2.6600	RFQ	26	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	23LC1024	SRAM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	20 MHz	易挥发的	1Mbit		SRAM	128K x 8	Spi -Quad I/O。	-
S29GL256S11TFI023	-	RFQ	6625	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，GL-S	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Mbit	110 ns	闪光	16m x 16	平行线	60ns
70v9079l9pf	-	RFQ	6592	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v9079	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	6		易挥发的	256kbit	9 ns	SRAM	32K x 8	平行线	-
AS4C128M8D3B-12BCN	6.4200	RFQ	28	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	AS4C128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	242	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
CAT93C66LI-G	-	RFQ	6482	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	CAT93C66	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-pdip	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	50	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8，256 x 16	微线	-
CG7803AA	-	RFQ	6670	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	72
M29F800DT70N6F TR	-	RFQ	3464	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29F800	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
MX25U51245GZ4J00	6.2250	RFQ	5946	大元	MX25XXX35/36 -MXSMIO™	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.7V〜2V	8-wson（8x6）	-		3（168））		1092-MX25U51245GZ4J00			480	133 MHz	非易失性	512Mbit	5 ns	闪光	128m x 4，256m x 2，512m x 1	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	4ms
SST39LF400A-55-4C-EKE	2.8500	RFQ	390	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	SST39LF400	闪光	3v〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SST39LF400A554CEKE	Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	4Mbit	55 ns	闪光	256K x 16	平行线	20µs
CAT28C256GI-15T	-	RFQ	8127	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	CAT28C256	EEPROM	4.5V〜5.5V	32-PLCC （11.43x13.97）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	500		非易失性	256kbit	150 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	5ms
S29CD016J0PFAM010	5.3000	RFQ	86	赛普拉斯半导体公司	CD-J	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	80-LBGA	S29CD016	闪光灯 -也不	1.65V〜2.75V	80-fbga（13x11）	下载							57	66 MHz	非易失性	16mbit	54 ns	闪光	512K x 32	平行线	60ns	未行业行业经验证
GD25S512MDYEGR	6.0164	RFQ	9308	gigadevice 半导体（香）	GD25S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	下载				1970-GD25S512MDYEGRTR			3,000	104 MHz	非易失性	512Mbit	7 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	60µs，2.5ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²