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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备软件包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
S29PL127J80BFI010	16.5339	RFQ	2	赛普拉斯半导体公司	PL-J	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	80-VFBGA	S29PL127	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	80-FBGA（8x11）	下载	Rohs不合规	不适用	供应商不确定		3A991B1A	8542.32.0070	16		非易失性	128mbit	80 ns	闪光	8m x 16	平行线	80ns	未行业行业经验证
gd25lq32etigy	0.6080	RFQ	4126	gigadevice 半导体（香）	GD25LQ	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-sop	下载				1970-GD25LQ32ETIGY			4,320	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，2.4ms
CAT24AA01WI-G	0.1700	RFQ	6414	Onmi	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT24AA01	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	1kbit	400 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
S34ML04G100TFV000	-	RFQ	9186	Skyhigh Memory Limited	-	托盘	在sic中停产				S34ML04				-	Rohs符合条件	3（168））		2120-S34ML04G100TFV000	3A991B1A	8542.32.0071	96									未行业行业经验证
MT53B384M64D4NK-062 XT：b	-	RFQ	6529	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜105°C（TC）	表面安装	366-WFBGA	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	366-WFBGA（15x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,190	1.6 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	384m x 64	-	-
CY7C1011CV33-10ZXI	4.3400	RFQ	7079	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY7C1011	sram-异步	3v〜3.6V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	2Mbit	10 ns	SRAM	128K x 16	平行线	10NS
LE25S20XATAG	-	RFQ	1366	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-XFBGA，WLCSP	LE25S20	闪光	1.65V〜1.95V	8-wlcsp（1.55x1.53）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	5,000	40 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	3.5ms
SM671PXELBFSS	77.2400	RFQ	2180	硅运动，Inc。	-	大部分	积极的								-	rohs3符合条件			1984-SM671PXELBFSS			1
FM25V02-G	4.5600	RFQ	5	赛普拉斯半导体公司	F-RAM™	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FM25V02	fram （铁电 ram）	2v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件			2832-FM25V02-G	Ear99	8542.32.0071	110	40 MHz	非易失性	256kbit		框架	32K x 8	spi	-
S29GL01GP12FAI010	13.0000	RFQ	236	赛普拉斯半导体公司	gl-p	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件			2832-S29GL01GP12FAI010	3A991B1A	8542.32.0071	39		非易失性	1Gbit	120 ns	闪光	128m x 8	平行线	120ns
MT53E2G64D8EG-046 wt：c	-	RFQ	5062	微米技术公司	-	大部分	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53E2G64D8EG-046WT：c			1,260
AT34C02C-TH-T	0.3000	RFQ	2	atmel	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT34C02	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
71V30L25TF8	-	RFQ	7688	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	71v30	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP（10x10）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	500		易挥发的	8kbit	25 ns	SRAM	1k x 8	平行线	25ns
W631GU6NB15I TR	4.8100	RFQ	2	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	W631GU6	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V，1.425V〜1.575V	96-VFBGA（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	3,000	667 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
SST26VF040A-80E/MF	1.5600	RFQ	588	微芯片技术	SST26SQI®	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	SST26VF040	闪光	2.7V〜3.6V	8-WDFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	150-SST26VF040A-80E/MF	3A991B1A	8542.32.0071	98	80 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O。	1.5ms
P770020CF5C000	-	RFQ	8985	Infineon技术	-	大部分	上次购买								-							1
DK280531	-	RFQ	5035	Infineon技术	-	大部分	过时的								-		供应商不确定	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
IS61LV25616AL-10TLI	4.7200	RFQ	1	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61LV25616	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
A0643480-C	17.5000	RFQ	8322	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A0643480-C	Ear99	8473.30.5100	1
S99GL128S90TFI010	3.6700	RFQ	141	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）		2832-S99GL128S90TFI010	Ear99	8542.39.0000	1
MEM3800-256U1024D-C	37.5000	RFQ	5151	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-MEM3800-256U1024D-C	Ear99	8473.30.9100	1
CY7C1312SV18-167BZC	39.9400	RFQ	792	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1312	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	不适用				3A991B2A		8	167 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
IS46DR16640C-3DBLA2-TR	5.9400	RFQ	1230	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,500	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
S34ML04G200TFI900	1.6700	RFQ	714	赛普拉斯半导体公司	ML-2	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S34ML04	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件				3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	25ns
IDT71T75902S80BGGI	-	RFQ	1924年	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	IDT71T75	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载		3（168））	到达不受影响	71T75902S80BGGI	3A991B2A	8542.32.0041	84		易挥发的	18mbit	8 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
AT28HC64BF-70JU	-	RFQ	3488	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT28HC64	EEPROM	4.5V〜5.5V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	32		非易失性	64kbit	70 ns	EEPROM	8k x 8	平行线	10ms
NLQ26PFS-8NAT	8.8663	RFQ	7230	Insignis Technology Corporation	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-fbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1982-NLQ26PFS-8NAT			136	1.2 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 16	lvstl	18NS
S25FS064SDSNFV033	2.6075	RFQ	8846	Infineon技术	FS-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-wlga	S25FS064	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	8-LGA（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	80 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
IDT71V416L10YI	-	RFQ	5791	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IDT71V416	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71v416l10yi	3A991B2A	8542.32.0041	16		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
S29WS064RABBHI010	-	RFQ	2029	Infineon技术	WS-R	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-VFBGA	S29WS064	闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	84-fbga（11.6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	200	108 MHz	非易失性	64mbit	80 ns	闪光	4m x 16	平行线	60ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²