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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | IS42SM16160K-6BLI | 5.9929 | ![]() | 1805年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42SM16160 | sdram-移动 | 2.7V〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | MX25U12835FMI0A | - | ![]() | 5582 | 0.00000000 | 大元 | MX25XXX35/36 -MXSMIO™ | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MX25U12835 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 16 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 30µs,3ms | ||||
![]() | 71V65803S133BQ | 26.1188 | ![]() | 3302 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v65803 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 133 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 4.2 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29F2G08ABAEAWP:e | 3.8500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F2G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | IS42VS16100C1-10TI-Tr | - | ![]() | 8711 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42VS16100 | Sdram | 1.7V〜1.9V | 50-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 100 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 7 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29E6T08ETHBBM5-3ES:b tr | - | ![]() | 5779 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | - | - | MT29E6T08 | 闪存-NAND | 2.5V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 非易失性 | 6Tbit | 闪光 | 768g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | w25p16vsfig t r | - | ![]() | 5668 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | W25P16 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 50 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | spi | 7ms | ||||
![]() | DSHB1Q01+T10 | - | ![]() | 7593 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | DSHB1Q | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 175-DSHB1Q01+T10TR | 过时的 | 2,500 | ||||||||||||||||||
![]() | 71V3577S80BGG8 | 8.5003 | ![]() | 4443 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v3577 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 100 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | IS45S16800F-6BLA1-Tr | 4.8260 | ![]() | 3191 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS45S16800 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | 71V416L15BEI | 7.9158 | ![]() | 8990 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | 71v416l | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-cabga(9x9) | 下载 | Rohs不合规 | 4 (72小时) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 250 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | S99-50354 | - | ![]() | 8373 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 上次购买 | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | CY62138FV30LL-45ZSXI | - | ![]() | 4052 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62138 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 117 | 易挥发的 | 2Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
S27KL0642GABHI030 | 4.5886 | ![]() | 5390 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperRAM™KL | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S27KL0642 | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.6V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 338 | 200 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 35 ns | PSRAM | 8m x 8 | 超肥 | 35ns | ||||
![]() | W74M25JVSFIQ | 3.7732 | ![]() | 7660 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | W74M25 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W74M25JVSFIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 80 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 6 ns | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | - | ||
![]() | 70v9099l7pfi8 | - | ![]() | 5413 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 70v9099 | sram-双端口,同步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | - | Rohs不合规 | 3(168)) | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 1Mbit | 7.5 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | AT27C512R-45RU | - | ![]() | 3752 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 28-SOIC (0.342“,8.69mm宽度) | AT27C512 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 28-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B1B2 | 8542.32.0061 | 26 | 非易失性 | 512kbit | 45 ns | EPROM | 64k x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | S29GL02GS12TFSR20 | - | ![]() | 3487 | 0.00000000 | Infineon技术 | GL-S | 托盘 | 过时的 | 0°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL02 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2832-S29GL02GS12TFSR20 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 2Mbit | 120 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT55V512V36PT-7.5 | 17.3600 | ![]() | 495 | 0.00000000 | 微米技术公司 | ZBT® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | SRAM -ZBT | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 4.2 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | AS4C256M16D4A-62BCN | 8.9500 | ![]() | 198 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-fbga(7.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-AS4C256M16D4A-62BCN | 198 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 18 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 荚 | 15ns | |||||
![]() | mtfc8gamalbh-aat es tr | - | ![]() | 6870 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 153-TFBGA | mtfc8 | 闪存-NAND | - | 153-TFBGA(11.5x13) | - | (1 (无限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | |||||||
![]() | CY7C1413UV18-300BZXC | 67.2400 | ![]() | 221 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1413 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | - | 不适用 | 3A991B2A | 1 | 300 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | IDT71V67903S85PF | - | ![]() | 7019 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IDT71V67903 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V67903S85PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 87 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 8.5 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | S29GL512P10TFIR10 | - | ![]() | 4296 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | gl-p | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29GL512P10TFIR10 | 1 | 非易失性 | 512Mbit | 100 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 100ns | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | CY7C1440AV33-167BZC | 51.9800 | ![]() | 183 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1440 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 167 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.4 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | A2C0006273800 a | - | ![]() | 8722 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | - | 到达不受影响 | A2C0006273800A | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | ER2810小时 | 20.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | SFEM064GB1ED1TO-A-6F-111-StD | 40.6200 | ![]() | 8202 | 0.00000000 | 瑞士 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 153-TFBGA | SFEM064 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 153-BGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | EMMC | - | ||||
![]() | CY62128DV30LL-70ZAIT | 0.9900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | CY62128 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 32-tsop | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 1Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | N25Q032A13EF840E | - | ![]() | 6423 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | N25Q032A13 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-vdfpn(MLP8)(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 320 | 108 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 8m x 4 | spi | 8ms,5ms |
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