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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CY7C1380BV25-200AC	15.9700	RFQ	1840年	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1380	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
M5M5V108DVP-70HIBT	6.3000	RFQ	538	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1
CY7C1041CV33-12BAXE	8.5500	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY7C1041	sram-异步	3v〜3.6V	48-fbga（7x8.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				36		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns	未行业行业经验证
W631GG6NB12J TR	-	RFQ	2534	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-VFBGA（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GG6NB12JTR	Ear99	8542.32.0032	3,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	SSTL_15	15ns
CY15B128Q-SXET	5.7331	RFQ	3436	Infineon技术	F-RAM™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		fram （铁电 ram）	2.7V〜3.6V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				2,500	33 MHz	非易失性	128kbit	9 ns	框架	16k x 8	spi	-
IS46TR85120AL-125KBLA1	-	RFQ	3420	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS46TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR85120AL-125KBLA1	Ear99	8542.32.0036	136	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS49RL18640-107EBL	109.1224	RFQ	1959年	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-LBGA		rldram 3	1.28V〜1.42V	168-FBGA（（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49RL18640-107EBL			119	933 MHz	易挥发的	1.152Gbit	8 ns	德拉姆	64m x 18	平行线	-
IDT71V3556S166BGI	-	RFQ	3812	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	IDT71V3556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V3556S166BGI	3A991B2A	8542.32.0041	84	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
CY62146G30-45BVXI	-	RFQ	9436	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY62146	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载							50		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns	未行业行业经验证
70V26L12J8	-	RFQ	7262	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）		sram-双端口，异步	3v〜3.6V	84-PLCC （29.31x29.31）	-				800-70V26L12J8TR			1		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	16k x 16	平行线	12ns
M87C257-90C1	-	RFQ	7261	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	M87C257	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	32-PLCC （11.43x13.97）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	32		非易失性	256kbit	90 ns	EPROM	32K x 8	平行线	-
CY62128BLL-70ZRXET	-	RFQ	9916	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	CY62128	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,500		易挥发的	1Mbit	70 ns	SRAM	128K x 8	平行线	70NS
S25FL256LAGMFM003	9.8500	RFQ	8302	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，fl-l	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,450	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
W956A8MBYA5I	1.9326	RFQ	1632年	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	24-TBGA	W956A8	HyperRam	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W956A8MBYA5I	Ear99	8542.32.0002	480	200 MHz	易挥发的	64mbit	35 ns	德拉姆	8m x 8	超肥	35ns
GD55B01GEFIRR	13.0800	RFQ	6702	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	16 SOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				1,000	133 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
SM662GXC BESS	27.7300	RFQ	98	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-	表面安装	100-LBGA		Flash -nand（tlc）	-	100-BGA （14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM662GXCBESS	3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	-		闪光		EMMC	-
C-1333D3N9/4G	30.0000	RFQ	4957	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-1333D3N9/4G	Ear99	8473.30.5100	1
309977-128 01	-	RFQ	6676	Infineon技术	-	大部分	过时的								-		供应商不确定	到达不受影响	309977-12801	过时的	0000.00.0000	1
W25Q40EWWA	-	RFQ	7703	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	-	-	W25Q40	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	-	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q40EWWA	过时的		1	104 MHz	非易失性	4Mbit	7 ns	闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O，QPI	50µs，3ms
4ZC7A08740-C	210.0000	RFQ	2730	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-4ZC7A08740-C	Ear99	8473.30.5100	1
872969-001-C	145.0000	RFQ	3549	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-872969-001-C	Ear99	8473.30.5100	1
669239-081-C	68.7500	RFQ	2191	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-669239-081-C	Ear99	8473.30.5100	1
GD9AU8G8E3AMGI	14.6400	RFQ	3554	gigadevice 半导体（香）	GD9A	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载				1970-GD9AU8G8E3AMGI			960		非易失性	8Gbit	18 ns	闪光	1G x 8	平行线	20NS
04184Arlad-6n	41.6000	RFQ	25	IBM	-	大部分	积极的		表面安装						下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1			4Mbit		SRAM	256K x 18
S80KS2563GABHM023	13.6850	RFQ	8568	Infineon技术	HyperRAM™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-vbga		PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜2V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	2,500	200 MHz	易挥发的	256Mbit	35 ns	PSRAM	32m x 8	spi -octal I/o	35ns
IS43TR16640ED-15HBLI-TR	5.2459	RFQ	7553	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR16640ED-15HBLI-TR			1,500	667 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	SSTL_15	15ns
A8217683-C	110.0000	RFQ	7961	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A8217683-C	Ear99	8473.30.5100	1
RMLV0808BGSB-4S2 ＃AA0	6.2000	RFQ	2504	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	RMLV0808	SRAM	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-1161-RMLV0808BGSB-4S2＃AA0	3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	1m x 8	平行线	45ns
A9781929-C	130.0000	RFQ	5589	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A9781929-C	Ear99	8473.30.5100	1
P00926-K21-C	835.0000	RFQ	2545	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-P00926-K21-C	Ear99	8473.30.5100	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²