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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
CAT25320VP2IGTKK	0.2000	RFQ	33	Onmi	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	CAT25320	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tdfn （2x3）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0071	3,000	10 MHz	非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	spi	5ms
SM668GXA-AC	-	RFQ	5444	硅运动，Inc。	-	托盘	过时的				SM668				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8523.51.0000	1
AT45DB081D-MU-2.5	-	RFQ	7301	Adesto Technologies	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-vdfn暴露垫	AT45DB081	闪光	2.5V〜3.6V	8-vdfn（6x5）	下载		3（168））			Ear99	8542.32.0071	490	50 MHz	非易失性	8mbit		闪光	264字节x 4096页	spi	4ms
W25Q64FWZPIQ TR	-	RFQ	1431	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q64	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25Q64FWZPIQTR	过时的	8542.32.0071	5,000	104 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，5ms
IDT71V3558SA200BQG8	-	RFQ	5518	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71V3558	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载		3（168））	到达不受影响	71V3558SA200BQG8	3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
ECF440AACCN-V6-Y3	-	RFQ	3688	微米技术公司	-	大部分	积极的				ECF440				-		3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1
867853-B21-C	130.0000	RFQ	6775	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-867853-B21-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS25WP064-JBLE	-	RFQ	3176	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25WP064	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1442	3A991B1A	8542.32.0071	90	133 MHz	非易失性	64mbit	7 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
X28C513JIZ-12	98.4200	RFQ	30	Rochester Electronics，LLC	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	X28C513	EEPROM	4.5V〜5.5V	32-PLCC （13.97x11.43）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-X28C513JIZ-12	Ear99	8542.32.0051	1		非易失性	512kbit	120 ns	EEPROM	64k x 8		10ms
CY62148G30-45SXI	6.4575	RFQ	4232	Infineon技术	MOBL®	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC （0.445“，11.30mm宽度）	CY62148	sram-异步	2.2v〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	500		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns
CY7C1520KV18-333BZXC	190.9250	RFQ	7291	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1520	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,360	333 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
IS61NLF25636A-7.5TQLI	15.4275	RFQ	8799	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLF25636	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
LE2464CXATBG	0.4600	RFQ	67	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	6-XFBGA，WLCSP	LE2464	EEPROM	1.7v〜3.6V	6-WLCSP（1.2x0.80）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	64kbit	900 ns	EEPROM	8k x 8	i²c	5ms
S99PL127J0110	-	RFQ	8006	Infineon技术	-	托盘	过时的	-	-	-		-	-	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	91		-	-		-		-	-
25AA02UIDT-I/OT	0.5100	RFQ	4209	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	SOT-23-6	25AA02	EEPROM	1.8V〜5.5V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	10 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	spi	5ms
S25FL128SAGNFM003	6.2300	RFQ	5061	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，fl-s	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	S25FL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	-
AT27C256R-70JU-306	-	RFQ	6144	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT27C256	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	32		非易失性	256kbit	70 ns	EPROM	32K x 8	平行线	-
CY7C197-20VCT	2.5600	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	24-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C197	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-SOJ	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	256kbit	20 ns	SRAM	64k x 4	平行线	20NS
MT58L256V36PS-6TR	5.9800	RFQ	32	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	100	166 MHz	易挥发的	8mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
W25Q16DVSSIG	-	RFQ	5968	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	W25Q16	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	90	104 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，3ms
MT29VZZZAD9GUFSM-046 W.213 TR	17.0762	RFQ	8675	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29VZZZAD9GUFSM-046W.213TR			2,000
CG8170AAT	-	RFQ	6419	Infineon技术	-	大部分	过时的								-		供应商不确定	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
SM662PXD-BDS	-	RFQ	6080	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	过时的	-25°C〜85°C	表面安装	153-TFBGA	SM662	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）	-	153-BGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		1984-SM662PXD-BDSS	3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	320Gbit		闪光	40g x 8	EMMC	-
IS61NLF102418-7.5B3I-Tr	-	RFQ	3795	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NLF102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IDT71V632S7PF8	-	RFQ	7221	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V632	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71v632s7pf8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	66 MHz	易挥发的	2Mbit	7 ns	SRAM	64k x 32	平行线	-
SST25VF020B-80-4C-SAE	1.0200	RFQ	1	微芯片技术	SST25	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SST25VF020	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	80 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	10µs
W25M02GVTBIG TR	-	RFQ	1751年	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	W25M02	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	104 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	spi	700µs
GD55B01GEYIGY	8.8738	RFQ	4263	gigadevice 半导体（香）	GD55B	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	-				1970-GD55B01GEYIGY			4,800	133 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
CY7C1472BV25-250BZC	-	RFQ	8331	Infineon技术	NOBL™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1472	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	72Mbit	3 ns	SRAM	4m x 18	平行线	-
CY62147EV30LL-45ZSXI	5.5300	RFQ	13	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62147	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²