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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CY7C1670KV18-450BZXC	345.5500	RFQ	312	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1670	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载							1	450 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	4m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
W966D6HBGX7I	-	RFQ	1887年	Winbond电子产品	-	管子	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	54-VFBGA	W966D6	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	54-vfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	480	133 MHz	易挥发的	64mbit	70 ns	PSRAM	4m x 16	平行线	-
70V9359L9PFI8	-	RFQ	7620	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v9359	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	144kbit	9 ns	SRAM	8k x 18	平行线	-
S29GL064N90FAI010	-	RFQ	4527	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，GL-N	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL064	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	64mbit	90 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	90NS
9023260	-	RFQ	4098	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				1
A0735490-C	17.5000	RFQ	8657	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A0735490-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY62128BNLL-55SXC	-	RFQ	8021	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC （0.445“，11.30mm宽度）	CY62128	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
43R1756-C	17.5000	RFQ	7855	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-43R1756-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS42S16160D-7BI-Tr	-	RFQ	9773	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
NLQ83PFS-8NIT	21.6750	RFQ	3894	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-fbga（10x14.5）	-				1982-NLQ83PFS-8NIT			2,000	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	lvstl	-
CY7C1565KV18-400BZC	-	RFQ	7835	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1565	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CG7969AAT	-	RFQ	3144	Infineon技术	-	大部分	过时的								-		供应商不确定	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
AT45DQ161-MHF2B-T	1.9431	RFQ	9249	Adesto Technologies	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-udfn裸露的垫子	AT45DQ161	闪光	2.3v〜3.6V	8-udfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	6,000	85 MHz	非易失性	16mbit		闪光	512 x 4096页	Spi -Quad I/O。	8µs，6ms
25AA040AT-I/MC	0.6900	RFQ	9581	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	25AA040	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-DFN（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	10 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	5ms
CY7C1550KV18-450BZXC	-	RFQ	4202	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1550	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	450 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
BR24A04F-WLBH2	2.0900	RFQ	484	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	BR24A04	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	250	400 kHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
AT45DB161E-SSHD2B-T	1.7503	RFQ	1773年	Adesto Technologies	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT45DB161	闪光	2.5V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	85 MHz	非易失性	16mbit		闪光	512 x 4096页	spi	8µs，4ms
CY15B108QN-50BKXIT	29.2866	RFQ	3709	Infineon技术	Excelon™-LP，F-RAM™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		fram （铁电 ram）	1.8v〜3.6V	24-fbga（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				2,000	50 MHz	非易失性	8mbit	8 ns	框架	1m x 8	spi	-
AS6C1008-55Pintr	3.0208	RFQ	9990	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	32 滴（0.600英寸，15.24毫米）		sram-异步	2.7V〜5.5V	32-PDIP	下载		（1 （无限）		1450-AS6C1008-55Pintr			1,000		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
MX25R4035FBDIL0	0.3957	RFQ	9003	大元	MXSMIO™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-ufbga，WLCSP		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-wlcsp	-		3（168））		1092-MX25R4035FBDIL0TR			6,000	108 MHz	非易失性	4Mbit	6 ns	闪光	1m x 4，2m x 2，4m x 1	Spi -Quad I/O。	100µs，4ms
7016S15J	-	RFQ	3632	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7016S15	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	18		易挥发的	144kbit	15 ns	SRAM	16k x 9	平行线	15ns
IS42RM16200D-6BLI-TR	2.3493	RFQ	1292	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42RM16200	sdram-移动	2.3v〜2.7V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	32Mbit	6 ns	德拉姆	2m x 16	平行线	-
SST39LF040-45-4C-WHE-T	-	RFQ	6212	微芯片技术	SST39 MPF™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.488“，12.40mm宽度）	SST39LF040	闪光	3v〜3.6V	32-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	4Mbit	45 ns	闪光	512k x 8	平行线	20µs
MT29F1T08CUCCBH8-6ITR：c tr	-	RFQ	8418	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	152-LBGA	MT29F1T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-lbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT29F1T08CUCCBH8-6ITR：CTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	167 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
IS46LQ16256AL-062TBLA2	15.4924	RFQ	7398	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-VFBGA		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ16256AL-062TBLA2			136	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 16	lvstl	18NS
71024S20TYG	3.8500	RFQ	8102	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	23		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	128K x 8	平行线	20NS
MT53E1G32D4NQ-046 wt：e tr	-	RFQ	6086	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53E1G32	sdram- lpddr4	1.1V		-					过时的	0000.00.0000	2,000	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
IS62WV102416ALL-35MLI	22.4621	RFQ	6512	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV102416	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-Minibga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	210		易挥发的	16mbit	35 ns	SRAM	1m x 16	平行线	35ns
SM671PECLBFSS	29.5300	RFQ	5991	硅运动，Inc。	-	大部分	积极的								-	rohs3符合条件			1984-SM671PECLBFSS			1
STK14C88-5L35M	-	RFQ	1289	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	STK14C88	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	32-PLCC （11.43x13.97）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0041	68		非易失性	256kbit	35 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	35ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²