RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
BR24G32FVJ-3GTE2	0.3700	RFQ	90	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	BR24G32	EEPROM	1.6V〜5.5V	8-TSSOP-BJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	400 kHz	非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	i²c	5ms
M95128-DFMC6TG	0.7500	RFQ	5	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	M95128	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-fufdfpn（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	20 MHz	非易失性	128kbit		EEPROM	16k x 8	spi	5ms
CY14B116S-BZ35XI	63.3164	RFQ	8962	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA		NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	165-fbga（15x17）	-	rohs3符合条件		到达不受影响				105		非易失性	16mbit	35 ns	NVSRAM		平行线	35ns
7005L12PFI	-	RFQ	6380	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	-				800-7005L12PFI			1		易挥发的	64kbit	12 ns	SRAM	8k x 8	平行线	12ns
S71VS064RB0AHT4L0	3.4300	RFQ	480	肾脏	-	大部分	过时的								-				2156-S71VS064RB0AHT4L0			88
7005SJ	-	RFQ	9559	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-	表面安装	68-LCC（j-lead）		sram-双端口，异步	-	68-PLCC （24.21x24.21）	-				800-7005SJ			1		易挥发的	64kbit		SRAM	8k x 8	平行线	-
HN58C256AP10E	-	RFQ	5361	肾脏	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-HN58C256AP10E-1833			1
70V27S55PFI	-	RFQ	7962	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v27	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））			3A991B2B	8542.32.0041	90		易挥发的	512kbit	55 ns	SRAM	32k x 16	平行线	55ns
UCS-MR-1X082RZ-AC	56.2500	RFQ	9714	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-UCS-MR-1X082RZ-AC	Ear99	8473.30.5100	1
MX68GL1G0GLXFI-10Q	14.0030	RFQ	6245	大元	MX68GL	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	56-tsop	-		3（168））		1092-MX68GL1G0GLXFI-10Q			144		非易失性	1Gbit	100 ns	闪光	128m x 8	平行线	100ns
IDT71V416L10YI	-	RFQ	5791	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IDT71V416	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71v416l10yi	3A991B2A	8542.32.0041	16		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
S29WS064RABBHI010	-	RFQ	2029	Infineon技术	WS-R	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-VFBGA	S29WS064	闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	84-fbga（11.6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	200	108 MHz	非易失性	64mbit	80 ns	闪光	4m x 16	平行线	60ns
IDT71T75902S80BGGI	-	RFQ	1924年	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	IDT71T75	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载		3（168））	到达不受影响	71T75902S80BGGI	3A991B2A	8542.32.0041	84		易挥发的	18mbit	8 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
AT28HC64BF-70JU	-	RFQ	3488	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT28HC64	EEPROM	4.5V〜5.5V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	32		非易失性	64kbit	70 ns	EEPROM	8k x 8	平行线	10ms
FM21LD16-60-BG	-	RFQ	6044	赛普拉斯半导体公司	F-RAM™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	FM21LD16	fram （铁电 ram）	2.7V〜3.6V	48-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0071	480		非易失性	2Mbit	110 ns	框架	128K x 16	平行线	110NS	未行业行业经验证
24FC02-E/MS	0.3600	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	24FC02	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	1 MHz	非易失性	2kbit	450 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
CY7C1515KV18-333BZXC	190.9250	RFQ	9291	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1515	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-CY7C1515KV18-333BZXC	3A991B2A	8542.32.0041	1,360	333 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C2562XV18-366BZXC	215.1200	RFQ	94	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2562	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载							1	366 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
7164L45TPGI	-	RFQ	3735	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.300英寸，7.62mm）		sram-异步	4.5V〜5.5V	28-pdip	-				800-7164L45TPGI			1		易挥发的	64kbit	45 ns	SRAM	8k x 8	平行线	45ns
AT27C800-12PC	-	RFQ	1317	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TC）	通过洞	42 滴（0.600英寸，15.24毫米）	AT27C800	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	42-PDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1B1	8542.32.0061	8		非易失性	8mbit	120 ns	EPROM	1M x 8，512k x 16	平行线	-
7014S20J8	-	RFQ	6541	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7014S20	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	400		易挥发的	36kbit	20 ns	SRAM	4K x 9	平行线	20NS
CY62128BNLL-70ZXAT	-	RFQ	9545	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	CY62128	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,500		易挥发的	1Mbit	70 ns	SRAM	128K x 8	平行线	70NS
MT53E256M16D1FW-046 wt：b tr	7.4850	RFQ	5256	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E256M16D1FW-046WT：BTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	18NS
SST39VF802C-70-4C-B3KE	1.8400	RFQ	13	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	SST39VF802	闪光	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SST39VF802C704CB3KE	Ear99	8542.33.0001	480		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	512k x 16	平行线	10µs
MT62F3G32D8DV-023 AAT：b tr	94.8300	RFQ	1764年	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-023AAT：BTR			2,000	4.266 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	3G x 32	平行线	-
MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES：a	38.9700	RFQ	7895	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
41x1081-C	17.5000	RFQ	7181	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-41X1081-C	Ear99	8473.30.5100	1
70V38L20PF8	-	RFQ	5760	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70V38L	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750		易挥发的	1.125Mbit	20 ns	SRAM	64k x 18	平行线	20NS
IDT71V3559SA85BQI	-	RFQ	9146	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71V3559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V3559SA85BQI	3A991B2A	8542.32.0041	136		易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
W25Q128BVESG	-	RFQ	7212	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（8x6）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q128BVESG	过时的		1	104 MHz	非易失性	128mbit	7 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，3ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²