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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
7132LA100J	-	RFQ	8595	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7132LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	24		易挥发的	16kbit	100 ns	SRAM	2k x 8	平行线	100ns
MT53B384M64D4EZ-062 wt：a tr	-	RFQ	1470	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.6 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	384m x 64	-	-
71256SA12TPI	-	RFQ	8452	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.300英寸，7.62mm）		sram-异步	4.5V〜5.5V	28-pdip	-				800-71256SA12TPI			1		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
W25Q128FVCAQ	-	RFQ	6503	Winbond电子产品	*	管子	过时的		表面安装	24-TBGA	W25Q128			24-tfbga（6x8）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q128FVCAQ	过时的		1
IS42S16100E-7TL-Tr	-	RFQ	3511	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	143 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
BR24C02-RDW6TP	-	RFQ	9045	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	BR24C02	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	100 kHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	i²c	10ms
MT62F3G32D8DV-026 AAT ES：B TR	163.3950	RFQ	1840年	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-026AATES：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	3G x 32	平行线	-
IS25LP032D-JBLE-TR	1.2200	RFQ	27	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25LP032	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
S26361-F3934-E515-C	120.0000	RFQ	1583年	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-S26361-F3934-E515-C	Ear99	8473.30.5100	1
GD25LD40EKIGR	0.3619	RFQ	4375	gigadevice 半导体（香）	GD25LD	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-uson（1.5x1.5）	下载				1970-GD25LD40EKIGRTR			3,000	50 MHz	非易失性	4Mbit	12 ns	闪光	512k x 8	spi-双i/o	100µs，6ms
IS49NLC36160-25BI	-	RFQ	9949	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC36160	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 36	平行线	-
CY7C09369V-12AXC	40.4500	RFQ	50	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C09369	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件				3A991B2B	8542.32.0041	8	50 MHz	易挥发的	288kbit	12 ns	SRAM	16k x 18	平行线	-	未行业行业经验证
CY7C1568V18-375BZXC	-	RFQ	3195	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1568	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	375 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CAT24C04WE-G	-	RFQ	1256	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT24C04	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
IS61QDPB42M36A2-500B4LI	117.1779	RFQ	1239	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDPB42	sram-同步，Quadp	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	500 MHz	易挥发的	72Mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
JS28F128M29EWHF	-	RFQ	2423	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F128M29	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576		非易失性	128mbit	70 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	70NS
AT25SF128A-CCUB-T	1.7100	RFQ	535	Adesto Technologies	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	AT25SF128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，2.4ms
CY62128BNLL-70ZXA	1.2400	RFQ	589	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	CY62128	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0041	243		易挥发的	1Mbit	70 ns	SRAM	128K x 8	平行线	70NS	未行业行业经验证
W97BH6MBVA2E TR	5.6100	RFQ	1638年	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	W97BH6	sdram- lpddr2 -s4b	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W97BH6MBVA2ETR	Ear99	8542.32.0036	3,500	400 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	128m x 16	HSUL_12	15ns
W25Q64JVXGIQ TR	0.8014	RFQ	4396	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xdfn暴露垫	W25Q64	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-XSON（4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25Q64JVXGIQTR	3A991B1A	8542.32.0071	5,000	133 MHz	非易失性	64mbit	6 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
W25N02JWSFIF TR	4.9664	RFQ	4501	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25N02	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25N02JWSFIFTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性	2Gbit	6 ns	闪光	256m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	700µs
IS43LD32128C-25BPL-TR	-	RFQ	1600	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128C-25BPL-TR	Ear99	8542.32.0036	1
S29JL064J70TFA000	6.1622	RFQ	3079	Infineon技术	JL-J	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	48-TSOP	-	rohs3符合条件		到达不受影响				96		非易失性	64mbit	70 ns	闪光		CFI
CY62256VL-70SNC	1.8900	RFQ	256	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	CY62256	sram-异步	2.7V〜3.6V	28-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	70 ns	SRAM	32K x 8	平行线	70NS
IS25LX128-JHLE-TR	3.0442	RFQ	6724	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS25LX128	闪光	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25LX128-JHLE-TR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi -octal I/o	-
W25N512GVFIG TR	1.9694	RFQ	7270	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25N512	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25N512GVFIGTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性	512Mbit	6 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
IDT71T75602S133PF	-	RFQ	8411	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71T75	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71T75602S133PF	3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	18mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
7052L35PQF	-	RFQ	8821	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-BQFP碰撞	7052L35	sram-四边形端口，异步	4.5V〜5.5V	132-PQFP （24.13x24.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	18		易挥发的	16kbit	35 ns	SRAM	2k x 8	平行线	35ns
STK11C68-SF25ITR	-	RFQ	7349	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度）	STK11C68	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	64kbit	25 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	25ns
71V2556SA100BGI	16.5291	RFQ	1190	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v2556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²