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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT41J512M4HX-15E：d	-	RFQ	1944年	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41J512M4	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-fbga（9x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	667 MHz	易挥发的	2Gbit	13.5 ns	德拉姆	512m x 4	平行线	-
AT45DQ161-MHF2B-T	1.9431	RFQ	9249	Adesto Technologies	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-udfn裸露的垫子	AT45DQ161	闪光	2.3v〜3.6V	8-udfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	6,000	85 MHz	非易失性	16mbit		闪光	512 x 4096页	Spi -Quad I/O。	8µs，6ms
CY7C1550KV18-450BZXC	-	RFQ	4202	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1550	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	450 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
MT38M5041A3034EZZI.xr6	-	RFQ	4105	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	MT38M5041	flash-也不，psram	1.7V〜1.95V	56-VFBGA（8x8）	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,560	133 MHz	非易失性，挥发性	512mbit（Flash），128mbit（ram）		闪光，ram	32m x 16,8m x 16	平行线	-
CG7815AAT	-	RFQ	6101	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000
A2884834-C	62.5000	RFQ	8089	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A2884834-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS43R86400F-5TL-Tr	3.2532	RFQ	7255	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）		sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43R86400F-5TL-Tr			1,500	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	sstl_2	15ns
CG7703AA	90.3980	RFQ	8463	Infineon技术	-	托盘	积极的				CG7703				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2015-CG7703Aainactive	3A991B2A	8542.32.0041	272
CG7969AAT	-	RFQ	3144	Infineon技术	-	大部分	过时的								-		供应商不确定	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
70V08L15PFG	93.2360	RFQ	8250	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v08	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	45		易挥发的	512kbit	15 ns	SRAM	64k x 8	平行线	15ns
71321SA55JG	-	RFQ	4123	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	71321SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	24		易挥发的	16kbit	55 ns	SRAM	2k x 8	平行线	55ns
CY7C1243KV18-400BZC	57.7800	RFQ	408	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1243	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	136	400 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
N25Q064A13EV140	-	RFQ	5342	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	N25Q064A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
IS43DR16640A-3DBL	-	RFQ	8828	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-twbga（8x13.65）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	190	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
MT29F8T08EWLEEM5-T：E TR	171.6300	RFQ	8452	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C	-	-		Flash -nand（tlc）	-	-	-				557-MT29F8T08EWLEEM5-T：ETR			1,500		非易失性	8Tbit		闪光	1t x 8	平行线	-
MT29C4G48MAZAMAMK-5 IT	-	RFQ	2531	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	153-VFBGA	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT49H32M18FM-25E：b	-	RFQ	7465	微米技术公司	-	大部分	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0032	1,000	400 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
MT41J128M16JT-125：k tr	5.3700	RFQ	1	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41J128M16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	2Gbit	13.75 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
S34ML02G100TFV000	3.0000	RFQ	889	赛普拉斯半导体公司	ML-1	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S34ML02	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件				3A991B1A	8542.32.0071	167		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	25ns
BR24A04F-WLBH2	2.0900	RFQ	484	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	BR24A04	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	250	400 kHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
MT53D512M32D2DS-046 AIT：D Tr	-	RFQ	3752	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
AT25256AW-10SI-2.7-T	-	RFQ	3335	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	AT25256	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	20 MHz	非易失性	256kbit		EEPROM	32K x 8	spi	5ms
CY7C1320CV18-167BZC	-	RFQ	3509	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1320	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	167 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-
838083-H21-C	130.0000	RFQ	3608	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-838083-H21-C	Ear99	8473.30.5100	1
AT24C256BW-SH-B	-	RFQ	6743	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	AT24C256	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	94	1 MHz	非易失性	256kbit	550 ns	EEPROM	32K x 8	i²c	5ms
A6994473-C	37.0000	RFQ	6870	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A6994473-C	Ear99	8473.30.5100	1
7005S25PFI	-	RFQ	8713	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP	7005S25	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	90		易挥发的	64kbit	25 ns	SRAM	8k x 8	平行线	25ns
IS64LF102436B-7.5TQLA3-Tr	116.5500	RFQ	3458	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS64LF102436	sram-异步	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	36mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
AT45DB161E-SSHD2B-T	1.7503	RFQ	1773年	Adesto Technologies	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT45DB161	闪光	2.5V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	85 MHz	非易失性	16mbit		闪光	512 x 4096页	spi	8µs，4ms
DS28E02P-W10+5T	-	RFQ	5145	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	6-SMD，J-Lead	DS28E02	EEPROM	1.75V〜3.65V	6-TSOC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		175-DS28E02P-W10+5TTR	过时的		4,000		非易失性	1kbit	2 µs	EEPROM	256 x 4	1-Wire®	25ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²