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R1EX24128BSAS0I ＃S1	4.2300	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	250
GS880Z36CGT-250IV	29.6905	RFQ	8147	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	GS880Z	sram-同步，ZBT	1.7V〜2V，2.3V〜2.7V	100-TQFP（20x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS880Z36CGT-250IV	3A991B2B	8542.32.0041	66	250 MHz	易挥发的	9Mbit		SRAM	256K x 36	平行线	-
mtfc8gacaalt-4m it	-	RFQ	6301	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-TBGA	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-TBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））		MTFC8GACAALT-4MIT	3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MT53E2G64D8TN-046 AAT：a	122.8500	RFQ	7137	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	556-LFBGA		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	556-LFBGA （12.4x12.4）	-				557-MT53E2G64D8TN-046AAT：a			1	2.133 GHz	易挥发的	128Gbit	3.5 ns	德拉姆	2G x 64	平行线	18NS
CY14MB256J2-SXI	-	RFQ	1335	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CY14MB256	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	97	3.4 MHz	非易失性	256kbit		NVSRAM	32K x 8	i²c	-
S25HS01GTDPMHV013	16.8700	RFQ	7793	Infineon技术	Semper™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	1.7V〜2V	16-Soic	下载					3A991B1A	8542.32.0071	1,450	133 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
S29GL512S11TFB010	9.3500	RFQ	90	跨度	汽车，AEC-Q100，GL-S	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载					3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	512Mbit	110 ns	闪光	32m x 16	平行线	60ns
GD55LX01GEFIRR	18.7900	RFQ	5406	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	16 SOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				1,000	200 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi-八分之一，Dtr	-
CY7C1399BL-12ZXCT	-	RFQ	4746	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	CY7C1399	sram-异步	3v〜3.6V	28-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,500		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
W9812G6KH-5I TR	1.7328	RFQ	6869	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	W9812G6	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W9812G6KH-5ITR	Ear99	8542.32.0002	1,000	200 MHz	易挥发的	128mbit	4.5 ns	德拉姆	8m x 16	lvttl	-
S25FL256LAGBHN023	5.5125	RFQ	3593	Infineon技术	fl-l	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
P13211-001-C	835.0000	RFQ	8335	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-P13211-001-C	Ear99	8473.30.5100	1
S29GL128N90TFAR20	-	RFQ	7879	跨度	汽车，AEC-Q100，GL-N	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL128	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	128mbit	90 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	90NS
N25Q128A11EF740F TR	-	RFQ	6864	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	N25Q128A11	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	（8-vdfpn（6x5）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	32m x 4	spi	8ms，5ms
CAT25080LI-GC	-	RFQ	1963年	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	CAT25080	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-pdip	-		（1 （无限）	到达不受影响	488-CAT25080LI-GC	过时的		50		非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	spi	5ms
MT29F2T08EMLEEJ4-QJ：e tr	52.9800	RFQ	3739	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F2T08EMLEEJ4-QJ：ETR			2,000
MT29F256G08CEECBH6-12：c tr	-	RFQ	5224	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-vbga	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.5V〜3.6V	152-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
S29GL256S90FHA020	7.6825	RFQ	1215	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,800		非易失性	256Mbit	90 ns	闪光	16m x 16	平行线	60ns
MT53E768M32D4DT-046 AAT：e	29.2650	RFQ	4217	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53E768	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E768M32D4DT-046AAT：e	Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	768m x 32	-	-
NLQ46PFS-6NIT TR	15.2500	RFQ	2	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-fbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 16	lvstl	18NS
NDS76PT5-20ET TR	2.0259	RFQ	2716	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	-				1982-NDS76PT5-20ETTR			1,000	200 MHz	易挥发的	128mbit		德拉姆	4m x 32	lvttl	-
C-1333D3QR8VRN/16G	187.5000	RFQ	2284	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-1333D3QR8VRN/16G	Ear99	8473.30.5100	1
W25Q128BVESG	-	RFQ	7212	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（8x6）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q128BVESG	过时的		1	104 MHz	非易失性	128mbit	7 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，3ms
71V424L15YG	-	RFQ	4485	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	36-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	20		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	平行线	15ns
03T8399-C	58.5000	RFQ	9846	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-03T8399-C	Ear99	8473.30.5100	1
CG8231AA	-	RFQ	8079	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1
NDL16PFJ-9MET TR	3.7465	RFQ	7004	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x13）	-				1982-NDL16PFJ-9METTR			1,500	933 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	-
CAT24C01BWI	-	RFQ	1909年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT24C01	EEPROM	1.8V〜6V	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000	400 kHz	非易失性	1kbit	1 µs	EEPROM	128 x 8	i²c	10ms
GD25WQ128WIGY	1.3445	RFQ	6874	gigadevice 半导体（香）	GD25WQ	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-wson（5x6）	下载				1970-GD25WQ128WIGY			5,700	104 MHz	非易失性	128mbit	8 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	120µs，4ms
GS8162Z36DGD-250IV	43.5167	RFQ	5898	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	165-LBGA	GS8162Z36	sram-同步，ZBT	1.7V〜2V，2.3V〜2.7V	165-FPBGA（15x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS8162Z36DGD-250IV	3A991B2B	8542.32.0041	18	250 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²