内存(70500)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页
71V3556S133PFG	7.6600	询价	2	IDT，集成器件技术公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	71V3556	SRAM - 同步、SDR (ZBT)	3.135V～3.465V	100-TQFP (14x14)	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	133兆赫	易挥发的	4.5兆比特	4.2纳秒	静态随机存储器	128K×36	平行线	-
GM252AA-C	17.5000	询价	4675	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-GM252AA-C	EAR99	8473.30.5100	1
8905503276	-	询价	9425	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的								-		3（168小时）	REACH 不出行		过时的		1,600
25LC1024-I/S16K	-	询价	8835	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	死	25LC1024	EEPROM	2.5V～5.5V	死	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	5,000	20兆赫	非活跃性	1兆比特		EEPROM	128K×8	SPI	6毫秒
NM93C66MT8X	0.2700	询价	2	仙童	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	93C66	EEPROM	4.5V~5.5V	8-TSSOP	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.32.0051	2,500人	1兆赫	非活跃性	4Kbit		EEPROM	256×16	微丝	10毫秒
THGJFGT1E45保释	89.0200	询价	5	侠铠美国公司	e•MMC™	托盘	的积极	-25℃～85℃	表面贴装	153-WBGA		或 - NOR (SLC)	2.4V～3.6V、2.7V～3.6V	153-BGA (11.5x13)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）		1853-THGJFGT1E45保释			152	1.16GHz	非活跃性	2T比特		闪光	256G×8	UFS 3.1	-
P38454-B21-C	370.0000	询价	7779	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-P38454-B21-C	EAR99	8473.30.5100	1
CY7C1145LV18-400BZXC	44.9925	询价	2429	英飞凌科技	-	托盘	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	165-LBGA	CY7C1145	SRAM - 同步，QDR II+	1.7V~1.9V	165-FBGA (13x15)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	136	400兆赫	易挥发的	18兆比特		静态随机存储器	512K×36	平行线	-
CY7C197-15PC	3.6000	询价	第542章	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	24-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	CY7C197	SRAM - 异步	4.5V~5.5V	24-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.32.0041	1		易挥发的	256Kbit	15纳秒	静态随机存储器	64K×4	平行线	15纳秒
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR	-	询价	6678	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-25°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	168-WFBGA	MT46H128M32	SDRAM - 移动 LPDDR	1.7V～1.95V	168-WFBGA (12x12)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）			EAR99	8542.32.0036	1,000	200兆赫	易挥发的	4G比特	5纳秒	动态随机存取存储器	128米×32	平行线	15纳秒
S25HS512TFABHV013	10.2375	询价	5843	英飞凌科技	森帕™	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	24-TBGA		或 - NOR (SLC)	1.7V～2V	24-BGA (8x6)	下载					3A991B1A	8542.32.0071	2,500人	166兆赫	非活跃性	512兆比特		闪光	64M×8	SPI - 四路I/O、QPI	-
C-2400D4QR4LRN/32G	225.0000	询价	6225	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-C-2400D4QR4LRN/32G	EAR99	8473.30.5100	1
S29GL256P11FFIV13	9.1700	询价	6571	英飞凌科技	GL-P	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	64-LBGA	S29GL256	或-NOR	1.65V～3.6V	64-FBGA (13x11)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		非活跃性	256兆比特	110纳秒	闪光	32M×8	平行线	110纳秒
IS46LD32128C-25BPLA1	-	询价	3130	ISSI，集成硅解决方案公司	汽车，AEC-Q100	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C（温控）	表面贴装	168-VFBGA	IS46LD32128	SDRAM - 移动 LPDDR2	1.14V～1.3V、1.7V～1.95V	168-VFBGA (12x12)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	706-IS46LD32128C-25BPLA1	EAR99	8542.32.0036	1	400兆赫	易挥发的	4G比特	5.5纳秒	动态随机存取存储器	128米×32	HSUL_12	15纳秒
CAT24C04YGI	0.1400	询价	7575	催化剂半导体公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	CAT24C04	EEPROM	1.7V～5.5V	8-TSSOP	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.32.0051	1	400kHz	非活跃性	4Kbit	900纳秒	EEPROM	512×8	I²C	5毫秒
MT40A512M16TD-062E 自动：R TR	-	询价	9159	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	96-TFBGA				96-FBGA (7.5x13)	-			REACH 不出行	557-MT40A512M16TD-062EAUT：RTR			1
GD25B512MEYJGR	5.0813	询价	7468	兆易创新半导体(香港)有限公司	GD25B	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘		或 - NOR (SLC)	2.7V~3.6V	8-WSON (6x8)	下载				1970-GD25B512MEYJGRTR			3,000	133兆赫	非活跃性	512兆比特		闪光	64M×8	SPI - 四路I/O、QPI、DTR	-
R1EX24002ASAS0I#S0	0.6858	询价	5158	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	R1EX24002	EEPROM	1.8V～5.5V	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	2,500人	400kHz	非活跃性	2Kbit	900纳秒	EEPROM	256×8	I²C	5毫秒
MT29F128G08AKCABH2-10Z:A TR	-	询价	7801	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-TBGA	MT29F128G08	NAND-NAND	2.7V~3.6V	100-TBGA (12x18)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100兆赫	非活跃性	128Gbit		闪光	16G×8	平行线	-
IS46TR16640B-107MBLA2-TR	-	询价	3129	ISSI，集成硅解决方案公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	过时的	-40℃～105℃（温控）	表面贴装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM-DDR3	1.425V～1.575V	96-TWBGA (9x13)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	706-IS46TR16640B-107MBLA2-TR	EAR99	8542.32.0032	1,500人	933兆赫	易挥发的	1Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	64米×16	平行线	15纳秒
C2663KV18-450BZI	315.5800	询价	5	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		3A991B2A	8542.32.0041	1
MT62F1G64D4EK-023 AIT:B TR	58.0650	询价	1705	美光科技公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～95℃	表面贴装	441-TFBGA		SDRAM - 移动 LPDDR5	1.05V	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F1G64D4EK-023AIT:BTR			2,000	2.133GHz	易挥发的	64Gbit		动态随机存取存储器	1G×64	平行线	-
S34ML04G100TFI000Z	7.1200	询价	350	Spansion	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		3A991B1A	8542.32.0071	1
5962-8866206	-	询价	7398	瑞萨电子美国公司	-	管子	最后一次购买								-				800-5962-8866206			1
IS25WP016-JNLE	-	询价	1949年	ISSI，集成硅解决方案公司	-	管子	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IS25WP016	或-NOR	1.65V～1.95V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	100	133兆赫	非活跃性	16兆比特		闪光	2M×8	SPI - 四路I/O、QPI	800微秒
W25Q64CVTB袋	-	询价	5328	华邦电子	SpiFlash®	管子	过时的	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	24-TBGA	W25Q64	或-NOR	2.7V~3.6V	24-TFBGA (8x6)	-		3（168小时）	REACH 不出行	256-W25Q64CVTBAG	过时的		1	80兆赫	非活跃性	64兆比特	6纳秒	闪光	8M×8	SPI——四路I/O	50微秒、3毫秒
CY7C1412BV18-250BZC	-	询价	5741	英飞凌科技	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	165-LBGA	CY7C1412	SRAM - 同步，QDR II	1.7V~1.9V	165-FBGA (15x17)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	105	250兆赫	易挥发的	36兆比特		静态随机存储器	2M×18	平行线	-
IS61C5128AL-10TLI	3.6124	询价	4290	ISSI，集成硅解决方案公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS61C5128	SRAM - 异步	4.5V~5.5V	44-TSOP II	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4兆比特	10纳秒	静态随机存储器	512K×8	平行线	10纳秒
CAT28F001GI-12T	-	询价	2806	onsemi	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	32-LCC（J导联）	CAT28F001	闪光	4.5V~5.5V	32-PLCC (11.43x13.97)	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	32		非活跃性	1兆比特	120纳秒	闪光	128K×8	平行线	120纳秒
CY7C1049B-20VXC	-	询价	4479	英飞凌科技	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	36-BSOJ（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY7C1049	SRAM - 异步	4.5V~5.5V	36-SOJ	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	19		易挥发的	4兆比特	20纳秒	静态随机存储器	512K×8	平行线	20纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

内存(70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²