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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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70V25S35J8 | - | ![]() | 4876 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 84-LCC(j-lead) | 70v25s | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 84-PLCC (29.31x29.31) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 200 | 易挥发的 | 128kbit | 35 ns | SRAM | 8k x 16 | 平行线 | 35ns | |||||
![]() | IS61WV5128FBLL-10TLI | 2.3764 | ![]() | 2464 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV5128FBLL-10TLI | 135 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 10NS | |||||||
![]() | JS28F640P30BF75A | - | ![]() | 2729 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Strataflash™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | JS28F640P30 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | 非易失性 | 64mbit | 75 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 75ns | |||
![]() | CY7C1312TV18-167BZC | 39.9400 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1312 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | - | 不适用 | 3A991B2A | 8 | 167 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | W631GU8NB-15 | 3.2150 | ![]() | 3198 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-VFBGA | W631GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V,1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W631GU8NB-15 | Ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 667 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
MX25LM25645GXDI00 | 4.7900 | ![]() | 5298 | 0.00000000 | 大元 | Octabus™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA,CSPBGA | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 24-cspbga(6x8) | - | 3(168)) | 1092-MX25LM25645GXDI00 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 5.5 ns | 闪光 | 32m x8,256m x 1 | spi -octal I/o | 750µs | ||||||
![]() | W25Q128FWSAQ | - | ![]() | 9350 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | W25Q128 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q128FWSAQ | 过时的 | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 6 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,5ms | ||||
![]() | MX29LV800CBXGI-70G | - | ![]() | 2094 | 0.00000000 | 大元 | MX29LV | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA,CSPBGA | MX29LV800 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA,CSP (6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 非易失性 | 8mbit | 70 ns | 闪光 | 1m x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | S25FL128SAGBHV300 | 2.8200 | ![]() | 257 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S25FL128SAGBHV300 | 107 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IS61LPD51236A-250B3LI | 20.9750 | ![]() | 2754 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61LPD51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-PBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | CY14B116N-ZSP45XIT | 82.6875 | ![]() | 1058 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY14B116 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 非易失性 | 16mbit | 45 ns | NVSRAM | 1m x 16 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | MEM-DR332L-SL02-ER13-C | 170.0000 | ![]() | 1903年 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-MEM-DR332L-SL02-ER13-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY7C188-20VC | - | ![]() | 2492 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C188 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-soj | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 288kbit | 20 ns | SRAM | 32k x 9 | 平行线 | 20NS | ||||
![]() | MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:d | - | ![]() | 5849 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | - | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-TBGA(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 167 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT53B512M64D4NW-062 WT ES:d | - | ![]() | 1261 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53B512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | ||||||
W632GU6NB12I | 5.3471 | ![]() | 9358 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-VFBGA | W632GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA(7.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 198 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | CG7729AAT | - | ![]() | 7099 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 到达不受影响 | 过时的 | 2,500 | |||||||||||||||||||||
![]() | IS21ES08GA-JCLI-TR | 17.4700 | ![]() | 721 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | IS21ES08 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | EMMC | - | |||||
![]() | S25FL164K0XMFB003 | - | ![]() | 9977 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,FL1-K | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL164 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | ||||
![]() | CY7C1046BV33-12VC | 7.0000 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1046 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-soj | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 1m x 4 | 平行线 | 12ns | ||||
![]() | MT62F1536M64D8CL-023 wt:b | 55.3050 | ![]() | 9548 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | - | - | sdram- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F1536M64D8CL-023WT:b | 1 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 96Gbit | 德拉姆 | 1.5GX 64 | 平行线 | - | |||||||||
![]() | SM662Bed Bess | 48.7200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | Ferri-Emmc® | 托盘 | 积极的 | - | 表面安装 | 100-LBGA | Flash -nand(tlc) | - | 100-BGA (14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1984-sm662pedbess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 非易失性 | - | 闪光 | EMMC | - | ||||||
![]() | MT42L64M32D1TK-18 IT:c | - | ![]() | 3494 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-WFBGA | MT42L64M32 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.3v | 134-FBGA (10x11.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 533 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 德拉姆 | 64m x 32 | 平行线 | - | |||||
![]() | R1EX24128BSAS0I #S1 | 4.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0051 | 250 | ||||||||||||||||||
![]() | GS880Z36CGT-250IV | 29.6905 | ![]() | 8147 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | GS880Z | sram-同步,ZBT | 1.7V〜2V,2.3V〜2.7V | 100-TQFP(20x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2364-GS880Z36CGT-250IV | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 66 | 250 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | mtfc8gacaalt-4m it | - | ![]() | 6301 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-TBGA | mtfc8 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | MTFC8GACAALT-4MIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT53E2G64D8TN-046 AAT:a | 122.8500 | ![]() | 7137 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 556-LFBGA | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046AAT:a | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 128Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 2G x 64 | 平行线 | 18NS | ||||||||
![]() | CY14MB256J2-SXI | - | ![]() | 1335 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CY14MB256 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 97 | 3.4 MHz | 非易失性 | 256kbit | NVSRAM | 32K x 8 | i²c | - | ||||
![]() | S25HS01GTDPMHV013 | 16.8700 | ![]() | 7793 | 0.00000000 | Infineon技术 | Semper™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 1.7V〜2V | 16-Soic | 下载 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 133 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | ||||||||
![]() | S29GL512S11TFB010 | 9.3500 | ![]() | 90 | 0.00000000 | 跨度 | 汽车,AEC-Q100,GL-S | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 512Mbit | 110 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 60ns |
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