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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MD27C64-35/b	-	RFQ	4068	Rochester Electronics，LLC	-	大部分	积极的				MD27C				下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.32.0061	1
SC9S08PA4L0VTG	-	RFQ	4653	自由度半导体	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		0000.00.0000	1
CAT25C08SI-TE13	-	RFQ	3519	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT25C08	EEPROM	2.5V〜6V	8-SOIC	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.32.0051	2,000	10 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	spi	5ms
SC9S08PT16WAVLC	-	RFQ	4976	自由度半导体	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		0000.00.0000	1
29705/bxa	84.2200	RFQ	1	Rochester Electronics，LLC	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.32.0071	1
CAT28LV256G25	-	RFQ	4148	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	CAT28LV256	EEPROM	3v〜3.6V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.32.0051	1		非易失性	256kbit	250 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	10ms
GVT71128E36T-10T	1.7100	RFQ	3	Galvantech	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	700
CAT93C46RWGI	0.1000	RFQ	2265	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT93C46	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.32.0051	1	4 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8，64 x 16	微线	-
MT55L128L36F1T-11	6.5800	RFQ	4	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		SRAM -ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1	90 MHz	易挥发的	4Mbit	8.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
CY7C144-55JC	-	RFQ	6106	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	CY7C144	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.23x24.23）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	8k x 8	平行线	55ns	未行业行业经验证
CY7C1460SV25-167BZXC	57.3500	RFQ	162	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1460	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-FBGA（13x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			1	167 MHz	易挥发的	36mbit	3.4 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
CY7C1328A-133AI	3.9100	RFQ	2	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1328	sram-同步，sdr	3.15v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
MT55L512Y36PF-10	20.9200	RFQ	112	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	MT55L512Y	sram-异步，ZBT	3.135V〜3.465V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C028V-25AXC	-	RFQ	7405	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C028	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	25 ns	SRAM	64k x 16	平行线	25ns	未行业行业经验证
MT57W2MH8CF-4	28.3700	RFQ	1	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-同步	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	18mbit	450 ps	SRAM	2m x 8	HSTL	-
93L42222AFM/b	104.3800	RFQ	231	Rochester Electronics，LLC	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定	3A001A2C	8542.32.0041	1
CDP1824CD/b	148.2400	RFQ	129	Rochester Electronics，LLC	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	18-CDIP	CDP18	sram-异步	4V〜6.5V	18-CDIP	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256位	710 ns	SRAM	32 x 8	平行线	-
SMJ64C16S-25JDM	47.3300	RFQ	575	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		0000.00.0000	1
MT54W1MH18BF-5	34.7800	RFQ	4	微米技术公司	QDR™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	MT54W1MH	sram-四边形端口，同步	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	200 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-
MT58L512L18FT-10	14.8300	RFQ	5	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1	66 MHz	易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
CY7C1513KV18-333BZI	164.7600	RFQ	897	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1513	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响			1	333 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
SMJ64C16L-45JDM	26.6700	RFQ	982	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		0000.00.0000	1
SMJ64C16L-25JDM	55.3300	RFQ	647	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		0000.00.0000	1
UPD44645184AF5-E40-FQ1	71.5600	RFQ	93	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1
CY27C256A-45PI	2.7700	RFQ	3821	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	CY27C256	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	28-pdip	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.32.0061	1		非易失性	256kbit	45 ns	EPROM	32K x 8	平行线	-
27S19APC	20.1300	RFQ	3	Rochester Electronics，LLC	-	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.32.0071	1
M29F800FB55M3F2	4.5800	RFQ	9055	联盟记忆，Inc。	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-Soic（0.496英寸，宽度为12.60mm）	M29F800	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	44-SO	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0071	500		非易失性	8mbit	55 ns	闪光	1M x 8，512k x 16		55ns
MT55V512V36PT-10	17.3600	RFQ	285	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55V512V	sram-异步，ZBT	2.375V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
MT58L256L36FS-7.5	5.2800	RFQ	15	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	113 MHz	易挥发的	8mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
CY7C1470V25-167BZC	-	RFQ	6138	赛普拉斯半导体公司	NOBL™	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1470	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响			1	167 MHz	易挥发的	72Mbit	3.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-	未行业行业经验证

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²