RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
W25X20BVSNIG	-	RFQ	1740年	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	W25x20	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	3ms
IS42S32200C1-6T-TR	-	RFQ	1902年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32200	Sdram	3.15V〜3.45V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
NDS38PT5-16IT TR	2.7110	RFQ	1907年	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS38PT5-16Ittr			1,000
397415-S21-C	37.5000	RFQ	3175	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-397415-S21-C	Ear99	8473.30.5100	1
71V67803S166PFG	17.3400	RFQ	38	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67803	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
S25HL01GTFABHI033	15.4000	RFQ	8259	Infineon技术	Semper™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-vbga		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	24-fbga（8x8）	下载					3A991B1A	8542.32.0071	2,500	166 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
IS61LPD51236A-200TQLI-TR	19.1250	RFQ	5183	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPD51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
MT53E1DBDS-DC TR	22.5000	RFQ	9059	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT53E1				-			到达不受影响	557-MT53E1DBDS-DCTR			2,000
FM24C17UM8	0.3700	RFQ	9243	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FM24C17	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	100 kHz	非易失性	16kbit	3.5 µs	EEPROM	2k x 8	i²c	10ms
MT29F512G08EBHAFJ4-3T：a	-	RFQ	7053	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F512G08	Flash -nand（tlc）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
W25Q32JWBYIG TR	-	RFQ	6091	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	12-UFBGA，WLCSP	W25Q32	闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	12-wlcsp （2.31x2.03）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	W25Q32JWBYIGTR	3A991B1A	8542.32.0071	4,500	133 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	5ms
CY62128DV30LL-55ZAIT	2.1100	RFQ	9	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	CY62128	sram-异步	2.2v〜3.6V	32-tsop	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1,500		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
CY62128BNLL-55SXIT	6.7400	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC （0.445“，11.30mm宽度）	CY62128	sram-同步	4.5V〜5.5V	32-Soic	-	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2832-CY62128BNLL-55SXITTR	3A991A2	8542.32.0040	75		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
S25FL032P0XNFI001M	-	RFQ	8176	Infineon技术	fl-p	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	S25FL032	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	5µs，3ms
BU9888FV-WE2	0.6163	RFQ	1875年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	8-lssop （0.173“，4.40mm宽度）	BU9888	EEPROM	3v〜3.6V	8SSOP-B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	spi	2ms
CY7C1424TV18-250BZC	67.2400	RFQ	554	赛普拉斯半导体公司	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1424	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	不适用				3A991B2A		1	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
MT40A8G4BAF-062E：b	-	RFQ	5484	微米技术公司	Twindie™	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A8G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（10.5x11）	-				557-MT40A8G4BAF-062E：b	过时的	8542.32.0071	168	1.6 GHz	非易失性	32Gbit	13.75 ns	德拉姆	8g x 4	平行线	-
70V34L25PF	-	RFQ	3521	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v34	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	3		易挥发的	72kbit	25 ns	SRAM	4K x 18	平行线	25ns
P770018CF8C001	-	RFQ	6714	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产								-			到达不受影响				1
24LC02BH-E/MS	0.4350	RFQ	3224	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	24LC02BH	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
IS61LF102418A-6.5B3I-Tr	-	RFQ	6418	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LF102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
S25FL128LAGMFB013	-	RFQ	5452	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL128LAGMFB013			1
IDT71V424YS12PH8	-	RFQ	2233	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IDT71V424	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71v424ys12ph8	3A991B2A	8542.32.0041	1,500		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	512k x 8	平行线	12ns
W25Q64FWSSIG	-	RFQ	9728	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	W25Q64	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	90	104 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	5ms
STK14CA8-NF35ITR	-	RFQ	3786	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	STK14CA8	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	32-Soic	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	1Mbit	35 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	35ns
AS6C1008-55Pintr	3.0208	RFQ	9990	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	32 滴（0.600英寸，15.24毫米）		sram-异步	2.7V〜5.5V	32-PDIP	下载		（1 （无限）		1450-AS6C1008-55Pintr			1,000		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
W97BH6MBVA1I	6.3973	RFQ	2642	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	W97BH6	sdram- lpddr2 -s4b	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W97BH6MBVA1I	Ear99	8542.32.0036	168	533 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	128m x 16	HSUL_12	15ns
MT53B512M64D4NK-062 WT ES：C TR	-	RFQ	2895	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	366-WFBGA	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	366-WFBGA（15x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.6 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
IDT70824L20PF	-	RFQ	6056	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	80-LQFP	IDT70824	萨拉姆	4.5V〜5.5V	80-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	70824L20PF	Ear99	8542.32.0041	6		易挥发的	64kbit	20 ns	内存	4K x 16	平行线	20NS
11LC040T-i/tt	0.3200	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	11LC040	EEPROM	2.5V〜5.5V	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	100 kHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	单线	5ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²