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IS61C5128AS-25HLI	3.6544	RFQ	2445	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	IS61C5128	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-Stsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	234		易挥发的	4Mbit	25 ns	SRAM	512k x 8	平行线	25ns
IS61LPD51236A-250B3LI-TR	20.1000	RFQ	8075	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LPD51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-PBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61LPS12836A-250TQL	8.3815	RFQ	1366	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS12836	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	72	250 MHz	易挥发的	4.5mbit	2.6 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS61LPS51236A-200B3LI-Tr	-	RFQ	6311	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LPS51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61LV6416-8KL-Tr	-	RFQ	6926	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS61LV6416	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2B	8542.32.0041	2,500		易挥发的	1Mbit	8 ns	SRAM	64k x 16	平行线	8ns
IS61NLP102418-200B3LI-Tr	-	RFQ	2426	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NLP102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS61VPS51236A-200TQLI-TR	-	RFQ	5568	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61VPS51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61WV12816DBLL-10BLI-TR	2.8644	RFQ	7247	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV12816	sram-异步	3v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	2Mbit	10 ns	SRAM	128K x 16	平行线	10NS
IS61WV25616BLS-25TLI	4.4433	RFQ	3313	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV25616	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	25 ns	SRAM	256K x 16	平行线	25ns
IS61WV5128BLL-10BLI-TR	3.2736	RFQ	8793	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-TFBGA	IS61WV5128	sram-异步	2.4v〜3.6V	36-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
IS62LV256AL-20TLI-TR	1.1527	RFQ	2749	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	IS62LV256	sram-异步	3v〜3.6V	28-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	2,000		易挥发的	256kbit	20 ns	SRAM	32K x 8	平行线	20NS
IS62WV102416ALL-35TLI	21.9142	RFQ	4482	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS62WV102416	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	96		易挥发的	16mbit	35 ns	SRAM	1m x 16	平行线	35ns
IS62WV5128BLL-55QLI-TR	3.6397	RFQ	5988	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC （0.445“，11.30mm宽度）	IS62WV5128	sram-异步	2.5V〜3.6V	32 SOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	512k x 8	平行线	55ns
IS65WV1288BLL-55HLA1-TR	3.2572	RFQ	9109	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	IS65WV1288	sram-异步	2.5V〜3.6V	32-Stsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	2,000		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
IS66WV25616BLL-55TLI	-	RFQ	9585	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS66WV25616	PSRAM （伪 SRAM）	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	55 ns	PSRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS66WV51216BLL-55BLI	-	RFQ	1690年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WV51216	PSRAM （伪 SRAM）	2.5V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	312		易挥发的	8mbit	55 ns	PSRAM	512k x 16	平行线	55ns
CY62147EV30LL-45B2XI	6.9400	RFQ	4817	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY62147	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
CY7C0241-15AXI	-	RFQ	5292	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C0241	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	90		易挥发的	72kbit	15 ns	SRAM	4K x 18	平行线	15ns
CY7C024-25JXI	-	RFQ	6196	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	CY7C024	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	15		易挥发的	64kbit	25 ns	SRAM	4K x 16	平行线	25ns
CY7C024A-25JXC	-	RFQ	5044	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	CY7C024	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	15		易挥发的	64kbit	25 ns	SRAM	4K x 16	平行线	25ns
CY7C1062DV33-10BGXI	-	RFQ	1084	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1062	sram-异步	3v〜3.6V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	84		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	512K x 32	平行线	10NS
CY7C1270V18-375BZXC	-	RFQ	3168	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1270	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	105	375 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C131-15NXI	-	RFQ	1075	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	52-BQFP	CY7C131	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PQFP（10x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	96		易挥发的	8kbit	15 ns	SRAM	1k x 8	平行线	15ns
CY7C1320JV18-250BZXI	-	RFQ	5643	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1320	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	136	250 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1461AV33-133AXI	-	RFQ	5848	Infineon技术	NOBL™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1461	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	36mbit	6.5 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C1513JV18-250BZXC	-	RFQ	8883	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1513	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C1513JV18-300BZXC	-	RFQ	6003	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1513	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	105	300 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C1568V18-375BZXC	-	RFQ	3195	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1568	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	105	375 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C1570V18-375BZXC	-	RFQ	6658	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1570	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	105	375 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CYD36S72V18-200BGXC	-	RFQ	9369	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	484-FBGA	CYD36S72	sram-双端口，同步	1.42V〜1.58V，1.7V〜1.9V	484-PBGA（27x27）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	40	200 MHz	易挥发的	36mbit	3.3 ns	SRAM	512k x 72	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²