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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CY7C2562XV18-366BZXC | 215.1200 | ![]() | 94 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C2562 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 1 | 366 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | W25N01GWZEIG TR | 2.8012 | ![]() | 7608 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | W25N01 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25N01GWZEIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 8 ns | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs | ||
![]() | IS45S16400J-6BLA1 | 4.2265 | ![]() | 7164 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS45S16400 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | CY7C1021V33-15BAI | 5.1400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY7C1021 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-FBGA(7x7) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | SST39VF800A-70-4I-B3KE | 1.9700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SST39 MPF™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | SST39VF800 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | SST39VF800A704IB3KE | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 非易失性 | 8mbit | 70 ns | 闪光 | 512k x 16 | 平行线 | 20µs | |||
![]() | BR24G08F-3GTE2 | 0.2400 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) | BR24G08 | EEPROM | 1.6V〜5.5V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 非易失性 | 8kbit | EEPROM | 1k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | IS66WVQ8M4DALL-200BLI | 3.8900 | ![]() | 340 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS66WVQ8M4 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS66WVQ8M4DALL-200BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 200 MHz | 易挥发的 | 32Mbit | PSRAM | 8m x 4 | Spi -Quad I/O。 | 45ns | |||
![]() | GS88036CGT-300I | 25.2292 | ![]() | 6852 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | GS88036 | sram-同步,标准 | 2.3v〜2.7V,3v〜3.6V | 100-TQFP(20x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2364-GS88036CGT-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 300 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | 872836-091-C | 145.0000 | ![]() | 5010 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-872836-091-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | N25Q256A11E1240E | - | ![]() | 4923 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | N25Q256A11 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 64m x 4 | spi | 8ms,5ms | ||||
![]() | CY62167ELL-45ZXIT | 14.4375 | ![]() | 1500 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | CY62167 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 16mbit | 45 ns | SRAM | 2m x 8,1m x 16 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | AS4C256M16D3LC-12BCNTR | 11.3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(7.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | M59DR032EA10ZB6 | - | ![]() | 1663年 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | M59DR032 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA(7x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,638 | 非易失性 | 32Mbit | 100 ns | 闪光 | 2m x 16 | 平行线 | 100ns | ||||
![]() | CY7C1021CV33-8VXC | - | ![]() | 6616 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 850 | 易挥发的 | 1Mbit | 8 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 8ns | ||||
![]() | S71VS256RD0AHKC00 | - | ![]() | 8912 | 0.00000000 | Infineon技术 | vs-r | 托盘 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-VFBGA | S71VS256 | 闪光灯,psram | 1.7V〜1.95V | 56-VFRBGA(7.7x6.2) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | 108 MHz | 非易失性,挥发性 | 256mbit(flash),128mbit(RAM) | 闪光,ram | - | 平行线 | - | ||||||
![]() | MT60B1G16HC-48B:a tr | 16.5750 | ![]() | 2988 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 102-VFBGA | SDRAM -DDR5 | - | 102-VFBGA(9x14) | - | 557-MT60B1G16HC-48B:ATR | 2,000 | 2.4 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 16 ns | 德拉姆 | 1G x 16 | 荚 | - | ||||||||
![]() | W77Q32JWSFIS | 1.4697 | ![]() | 9104 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | W77Q32 | 闪光 | 1.7V〜1.95V | 16-Soic | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 176 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | - | Spi -Quad I/O,QPI | - | ||||||
IDT7164S35YGI | - | ![]() | 6182 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | IDT7164 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-soj | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 7164S35YGI | Ear99 | 8542.32.0041 | 27 | 易挥发的 | 64kbit | 35 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 35ns | |||||
70V3399S133BCI8 | 197.0600 | ![]() | 5351 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 256-LBGA | 70v3399 | sram-双端口,同步 | 3.15V〜3.45V | 256-cabga(17x17) | 下载 | Rohs不合规 | 4 (72小时) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 2Mbit | 4.2 ns | SRAM | 128K x 18 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT47H128M8SH-25E IT:m tr | 3.7664 | ![]() | 2814 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga(8x10) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT47H128M8SH-25EIT:MTR | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | mtfc64gasaons-aat | 41.4750 | ![]() | 1319 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 153-TFBGA | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA(11.5x13) | - | 557-mtfc64gasaons-aat | 1 | 52 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | UFS2.1 | - | |||||||||
FM93C66LVMT8 | - | ![]() | 8439 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | 93C66 | EEPROM | 2.7V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 250 kHz | 非易失性 | 4Kbit | EEPROM | 256 x 16 | 微线 | 15ms | |||||
![]() | MT62F1536M64D8EK-023 AIT:b tr | 86.2050 | ![]() | 1195 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C | 表面安装 | 441-TFBGA | sdram- lpddr5 | - | 441-TFBGA(14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AIT:BTR | 1,500 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 96Gbit | 德拉姆 | 1.5GX 64 | 平行线 | - | |||||||||
![]() | 71321SA17TFI8 | - | ![]() | 6668 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 64-TQFP(10x10) | - | 800-71321SA17TFI8TR | 1 | 易挥发的 | 16kbit | 17 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 17ns | |||||||||
![]() | A2257216-C | 125.0000 | ![]() | 9770 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-A2257216-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | DS2432P-W0A+1T | - | ![]() | 9531 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 6-SMD,J-Lead | DS2432 | EEPROM | 2.8V〜5.25V | 6-TSOC | - | rohs3符合条件 | 175-DS2432P-W0A+1TTR | 过时的 | 4,000 | 非易失性 | 1kbit | 2 µs | EEPROM | 1k x 1 | 1-Wire® | 10ms | ||||||
CAT93C46RYI-G | - | ![]() | 9266 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | CAT93C46 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 4 MHz | 非易失性 | 1kbit | EEPROM | 128 x 8,64 x 16 | 微线 | - | ||||||
![]() | IS63LV1024-10KI | - | ![]() | 4080 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS63LV1024 | sram-异步 | 3.15V〜3.45V | 32-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 21 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | S29PL064J60BFI070 | 7.9800 | ![]() | 6134 | 0.00000000 | Infineon技术 | PL-J | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | S29PL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-VFBGA(8.15x6.15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 非易失性 | 64mbit | 60 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 60ns | ||||
![]() | 71V35761S183BGG8 | - | ![]() | 7619 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v35761 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 183 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.3 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - |
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