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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 时钟频率 内存类型 内存大小 访QQT 内存格式 记忆组织 内存接口 周期写入T - 字、页 SIC
MX35LF2GE4AD-Z4I Macronix MX35LF2GE4AD-Z4I 3.1832
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ECAD 6926 0.00000000 旺宏 MX35LF 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 附件 - NAND (SLC) 2.7V~3.6V 8-WSON (8x6) - 3(168小时) 1092-MX35LF2GE4AD-Z4I 第480章 104兆赫 非活跃性 2Gbit 8纳秒 闪光 512米×4 SPI 800微秒
MT62F1G64D4EK-023 AIT:C Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AIT:C 86.2500
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ECAD 9865 0.00000000 美光科技公司 - 盒子 的积极 - 557-MT62F1G64D4EK-023AIT:C 1
CY62127DV30LL-55ZI Cypress Semiconductor Corp CY62127DV30LL-55ZI 1.9000
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ECAD 15 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MoBL® 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) CY62127 SRAM - 异步 2.2V~3.6V 44-TSOP II 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) REACH旅行 EAR99 8542.32.0041 1 易挥发的 1兆比特 55纳秒 静态随机存储器 64K×16 平行线 55纳秒
71V432S5PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V432S5PFG 3.4000
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ECAD 第302章 0.00000000 IDT,集成器件技术公司 - 托盘 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 100-LQFP 71V432 SRAM-同步、SDR 3.135V~3.63V 100-TQFP (14x14) 下载 符合ROHS3标准 3A991B2A 8542.32.0041 72 100兆赫 易挥发的 1兆比特 5纳秒 静态随机存储器 32K×32 平行线 -
GD25VE16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CTIGR -
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ECAD 8137 0.00000000 兆易创新半导体(香港)有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) GD25VE16 或-NOR 2.1V~3.6V 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 3,000 104兆赫 非活跃性 16兆比特 闪光 2M×8 SPI-四路I/O -
W25Q128JVTIM TR Winbond Electronics W25Q128JVTIM TR -
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ECAD 9527 0.00000000 华邦电子 SpiFlash® 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) W25Q128 或-NOR 2.7V~3.6V - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133兆赫 非活跃性 128Mbit 闪光 16M×8 SPI-四路I/O -
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A TR -
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ECAD 2990 0.00000000 美光科技公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 100-TBGA MT29F128G08 NAND-NAND 2.7V~3.6V 100-TBGA (12x18) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100兆赫 非活跃性 128Gbit 闪光 16G×8 平行线 -
CY7C1328A-133AI Cypress Semiconductor Corp CY7C1328A-133AI 3.9100
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ECAD 2 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 100-LQFP CY7C1328 SRAM-同步、SDR 3.15V~3.6V 100-TQFP (14x20) 下载 不适用 3(168小时) 供应商未定义 3A991B2A 8542.32.0041 1 133兆赫 易挥发的 4.5兆比特 4纳秒 静态随机存储器 256K×18 平行线 -
CY7C1514AV18-250BZI Infineon Technologies CY7C1514AV18-250BZI -
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ECAD 6987 0.00000000 英飞凌科技 - 托盘 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 165-LBGA CY7C1514 SRAM - 同步,QDR II 1.7V~1.9V 165-FBGA (15x17) 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) REACH 不出行 3A991B2A 8542.32.0041 105 250兆赫 易挥发的 72兆比特 静态随机存储器 2M×36 平行线 -
IS43TR16128BL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128BL-15HBL-TR -
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ECAD 7957 0.00000000 ISSI,集成硅解决方案公司 - 卷带式 (TR) 过时的 0℃~95℃(温控) 表面贴装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM-DDR3L 1.283V~1.45V 96-TWBGA (9x13) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0036 1,500人 667兆赫 易挥发的 2Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 128M×16 平行线 15纳秒
EM6HC16EWKG-10IH Etron Technology, Inc. EM6HC16EWKG-10IH 2.5809
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ECAD 1305 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -40°C ~ 95°C(温控) 表面贴装 96-TFBGA EM6HC16 SDRAM-DDR3 1.283V~1.45V 96-FBGA (9x13) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0032 1,500人 933兆赫 易挥发的 1Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 64米×16 平行线 15纳秒
CY7C1472BV33-200BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1472BV33-200BZC 138.6700
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ECAD 42 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 诺BL™ 托盘 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 165-LBGA CY7C1472 SRAM-同步、SDR 3.135V~3.6V 165-FBGA (15x17) 下载 不符合 RoHS 指令 3A991B2A 8542.32.0041 105 200兆赫 易挥发的 72兆比特 3纳秒 静态随机存储器 4M×18 平行线 - 未验证
AS4C32M32MD1-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD1-5BINTR -
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ECAD 2565 0.00000000 联盟内存公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 90-VFBGA AS4C2M32 SDRAM - 移动 LPDDR 1.7V~1.9V 90-FBGA (8x13) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0032 1,000 200兆赫 易挥发的 1Gbit 5纳秒 动态随机存取存储器 32米×32 平行线 15纳秒
IS21TF08G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF08G-JCLI 20.1600
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ECAD 4454 0.00000000 ISSI,集成硅解决方案公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 153-VFBGA IS21TF08G 忆 - NAND (TLC) 2.7V~3.6V 153-VFBGA (11.5x13) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 706-IS21TF08G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200兆赫 非活跃性 64Gbit 闪光 8G×8 MMC -
7024S12PF8 Renesas Electronics America Inc 7024S12PF8 -
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ECAD 2311 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 0℃~70℃(TA) 表面贴装 100-LQFP SRAM - 双端口,异步 4.5V~5.5V 100-TQFP (14x14) - 800-7024S12PF8TR 1 易挥发的 64Kbit 12纳秒 静态随机存储器 4K×16 平行线 12纳秒
MT40A2G8NRE-083E:B Micron Technology Inc. MT40A2G8NRE-083E:B -
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ECAD 5313 0.00000000 美光科技公司 - 托盘 过时的 0℃~95℃(温控) 表面贴装 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM-DDR4 1.14V~1.26V 78-FBGA (8x12) - 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0036 1,140 1.2GHz 易挥发的 16Gbit 动态随机存取存储器 2G×8 平行线 -
M25P80-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P80-VMN6TP TR -
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ECAD 6444 0.00000000 美光科技公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) M25P80 或-NOR 2.7V~3.6V 8-SO 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 2,500人 75兆赫 非活跃性 8兆比特 闪光 1M×8 SPI 15毫秒、5毫秒
MR25H40CDF Everspin Technologies Inc. MR25H40CDF 21.0200
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ECAD 8 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H40 MRAM(磁阻RAM) 3V~3.6V 8-DFN-EP,小旗 (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 819-1040 EAR99 8542.32.0071 第570章 40兆赫 非活跃性 4兆比特 内存 512K×8 SPI -
CY7C1399B-15ZXCT Cypress Semiconductor Corp CY7C1399B-15ZXCT 0.6600
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ECAD 1 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 28-TSSOP(0.465英寸,11.80毫米宽) CY7C1399 SRAM - 异步 3V~3.6V 28-TSOP I 下载 不适用 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.32.0041 1,500人 易挥发的 256Kbit 15纳秒 静态随机存储器 32K×8 平行线 15纳秒
CG6643AAT Cypress Semiconductor Corp CG6643AAT -
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ECAD 5550 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 1
IS43TR81280CL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280CL-107MBL 3.5686
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ECAD 3402 0.00000000 ISSI,集成硅解决方案公司 汽车,AEC-Q100 托盘 的积极 0℃~95℃(温控) 表面贴装 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM-DDR3L 1.283V~1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 706-IS43TR81280CL-107MBL EAR99 8542.32.0032 第242章 933兆赫 易挥发的 1Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 128M×8 平行线 15纳秒
70V261S25PFG Renesas Electronics America Inc 70V261S25PFG -
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ECAD 7009 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 托盘 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 100-LQFP 70V261 SRAM - 双端口,异步 3V~3.6V 100-TQFP (14x14) - 800-70V261S25PFG 过时的 1 易挥发的 256Kbit 25纳秒 静态随机存储器 16K×16 平行线 25纳秒
R1LV0408CSB-7LC#D0 Renesas Electronics America Inc R1LV0408CSB-7LC#D0 13.3100
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ECAD 2 0.00000000 瑞萨电子美国公司 * 大部分 的积极 - 不适用 3(168小时) 供应商未定义 3A991 8542.32.0041 1
IDT71V67602S150PF Renesas Electronics America Inc IDT71V67602S150PF -
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ECAD 5687 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 托盘 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 100-LQFP IDT71V67602 SRAM-同步、SDR 3.135V~3.465V 100-TQFP (14x14) 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) REACH 不出行 71V67602S150PF 3A991B2A 8542.32.0041 72 150兆赫 易挥发的 9兆比特 3.8纳秒 静态随机存储器 256K×36 平行线 -
71321LA25PF Renesas Electronics America Inc 71321LA25PF -
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ECAD 8788 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 托盘 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 64-LQFP 71321LA SRAM - 双端口,异步 4.5V~5.5V 64-TQFP (14x14) 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0041 45 易挥发的 16Kbit 25纳秒 静态随机存储器 2K×8 平行线 25纳秒
S25FL256LAGMFI000Z Spansion S25FL256LAGMFI000Z 5.6700
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ECAD 6104 0.00000000 Spansion FL-L 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) S25FL256 或-NOR 2.7V~3.6V 16-SOIC 下载 不适用 3(168小时) 供应商未定义 3A991B1A 8542.32.0071 1 133兆赫 非活跃性 256兆比特 闪光 32M×8 SPI - 四路I/O、QPI -
CY7C1460AV33-200AXCKG Cypress Semiconductor Corp CY7C1460AV33-200AXCKG 51.5800
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ECAD 214 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-CY7C1460AV33-200AXCKG-428 1
R1QAA7218RBG-22RA0 Renesas Electronics America Inc R1QAA7218RBG-22RA0 35.5800
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ECAD 第840章 0.00000000 瑞萨电子美国公司 * 大部分 的积极 - 不适用 3(168小时) 供应商未定义 3A991B2A 8542.32.0041 1
GD25Q80ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ENIGR 0.4242
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ECAD 5279 0.00000000 兆易创新半导体(香港)有限公司 GD25Q 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-UDFN 裸露焊盘 或 - NOR (SLC) 2.7V~3.6V 8-USON (3x4) 下载 1970-GD25Q80ENIGTRR 3,000 133兆赫 非活跃性 8兆比特 7纳秒 闪光 1M×8 SPI-四路I/O 70微秒,2毫秒
CAT34C02VP2I-GT3 onsemi CAT34C02VP2I-GT3 -
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ECAD 5695 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 下载 EAR99 8542.32.0051 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库