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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
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MX35LF2GE4AD-Z4I | 3.1832 | ![]() | 6926 | 0.00000000 | 旺宏 | MX35LF | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 8-WSON (8x6) | - | 3(168小时) | 1092-MX35LF2GE4AD-Z4I | 第480章 | 104兆赫 | 非活跃性 | 2Gbit | 8纳秒 | 闪光 | 512米×4 | SPI | 800微秒 | ||||||||
![]() | MT62F1G64D4EK-023 AIT:C | 86.2500 | ![]() | 9865 | 0.00000000 | 美光科技公司 | - | 盒子 | 的积极 | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AIT:C | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CY62127DV30LL-55ZI | 1.9000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY62127 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×16 | 平行线 | 55纳秒 | ||||
![]() | 71V432S5PFG | 3.4000 | ![]() | 第302章 | 0.00000000 | IDT,集成器件技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | 71V432 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.63V | 100-TQFP (14x14) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100兆赫 | 易挥发的 | 1兆比特 | 5纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×32 | 平行线 | - | |||||
![]() | GD25VE16CTIGR | - | ![]() | 8137 | 0.00000000 | 兆易创新半导体(香港)有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | GD25VE16 | 或-NOR | 2.1V~3.6V | 8-SOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104兆赫 | 非活跃性 | 16兆比特 | 闪光 | 2M×8 | SPI-四路I/O | - | ||||
![]() | W25Q128JVTIM TR | - | ![]() | 9527 | 0.00000000 | 华邦电子 | SpiFlash® | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | W25Q128 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133兆赫 | 非活跃性 | 128Mbit | 闪光 | 16M×8 | SPI-四路I/O | - | |||||||
![]() | MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A TR | - | ![]() | 2990 | 0.00000000 | 美光科技公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-TBGA | MT29F128G08 | NAND-NAND | 2.7V~3.6V | 100-TBGA (12x18) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100兆赫 | 非活跃性 | 128Gbit | 闪光 | 16G×8 | 平行线 | - | ||||
![]() | CY7C1328A-133AI | 3.9100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1328 | SRAM-同步、SDR | 3.15V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133兆赫 | 易挥发的 | 4.5兆比特 | 4纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×18 | 平行线 | - | |||
![]() | CY7C1514AV18-250BZI | - | ![]() | 6987 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1514 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | ||||
![]() | IS43TR16128BL-15HBL-TR | - | ![]() | 7957 | 0.00000000 | ISSI,集成硅解决方案公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 0℃~95℃(温控) | 表面贴装 | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM-DDR3L | 1.283V~1.45V | 96-TWBGA (9x13) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,500人 | 667兆赫 | 易挥发的 | 2Gbit | 20纳秒 | 动态随机存取存储器 | 128M×16 | 平行线 | 15纳秒 | |||
![]() | EM6HC16EWKG-10IH | 2.5809 | ![]() | 1305 | 0.00000000 | 钰创科技股份有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | -40°C ~ 95°C(温控) | 表面贴装 | 96-TFBGA | EM6HC16 | SDRAM-DDR3 | 1.283V~1.45V | 96-FBGA (9x13) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,500人 | 933兆赫 | 易挥发的 | 1Gbit | 20纳秒 | 动态随机存取存储器 | 64米×16 | 平行线 | 15纳秒 | |||
![]() | CY7C1472BV33-200BZC | 138.6700 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 诺BL™ | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1472 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 3纳秒 | 静态随机存储器 | 4M×18 | 平行线 | - | 未验证 | ||||
![]() | AS4C32M32MD1-5BINTR | - | ![]() | 2565 | 0.00000000 | 联盟内存公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | 90-VFBGA | AS4C2M32 | SDRAM - 移动 LPDDR | 1.7V~1.9V | 90-FBGA (8x13) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200兆赫 | 易挥发的 | 1Gbit | 5纳秒 | 动态随机存取存储器 | 32米×32 | 平行线 | 15纳秒 | |||
![]() | IS21TF08G-JCLI | 20.1600 | ![]() | 4454 | 0.00000000 | ISSI,集成硅解决方案公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 153-VFBGA | IS21TF08G | 忆 - NAND (TLC) | 2.7V~3.6V | 153-VFBGA (11.5x13) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 706-IS21TF08G-JCLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200兆赫 | 非活跃性 | 64Gbit | 闪光 | 8G×8 | MMC | - | |||
![]() | 7024S12PF8 | - | ![]() | 2311 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | SRAM - 双端口,异步 | 4.5V~5.5V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-7024S12PF8TR | 1 | 易挥发的 | 64Kbit | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 4K×16 | 平行线 | 12纳秒 | |||||||||
MT40A2G8NRE-083E:B | - | ![]() | 5313 | 0.00000000 | 美光科技公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~95℃(温控) | 表面贴装 | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM-DDR4 | 1.14V~1.26V | 78-FBGA (8x12) | - | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,140 | 1.2GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 动态随机存取存储器 | 2G×8 | 平行线 | - | ||||||
![]() | M25P80-VMN6TP TR | - | ![]() | 6444 | 0.00000000 | 美光科技公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | M25P80 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 8-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,500人 | 75兆赫 | 非活跃性 | 8兆比特 | 闪光 | 1M×8 | SPI | 15毫秒、5毫秒 | ||||
![]() | MR25H40CDF | 21.0200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | MR25H40 | MRAM(磁阻RAM) | 3V~3.6V | 8-DFN-EP,小旗 (5x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 819-1040 | EAR99 | 8542.32.0071 | 第570章 | 40兆赫 | 非活跃性 | 4兆比特 | 内存 | 512K×8 | SPI | - | |||
![]() | CY7C1399B-15ZXCT | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-TSSOP(0.465英寸,11.80毫米宽) | CY7C1399 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 28-TSOP I | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,500人 | 易挥发的 | 256Kbit | 15纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×8 | 平行线 | 15纳秒 | ||||
![]() | CG6643AAT | - | ![]() | 5550 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | IS43TR81280CL-107MBL | 3.5686 | ![]() | 3402 | 0.00000000 | ISSI,集成硅解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 的积极 | 0℃~95℃(温控) | 表面贴装 | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM-DDR3L | 1.283V~1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 706-IS43TR81280CL-107MBL | EAR99 | 8542.32.0032 | 第242章 | 933兆赫 | 易挥发的 | 1Gbit | 20纳秒 | 动态随机存取存储器 | 128M×8 | 平行线 | 15纳秒 | ||
![]() | 70V261S25PFG | - | ![]() | 7009 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | 70V261 | SRAM - 双端口,异步 | 3V~3.6V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-70V261S25PFG | 过时的 | 1 | 易挥发的 | 256Kbit | 25纳秒 | 静态随机存储器 | 16K×16 | 平行线 | 25纳秒 | |||||||
![]() | R1LV0408CSB-7LC#D0 | 13.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | IDT71V67602S150PF | - | ![]() | 5687 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | IDT71V67602 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.465V | 100-TQFP (14x14) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 71V67602S150PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 150兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 3.8纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | ||
![]() | 71321LA25PF | - | ![]() | 8788 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 64-LQFP | 71321LA | SRAM - 双端口,异步 | 4.5V~5.5V | 64-TQFP (14x14) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | 易挥发的 | 16Kbit | 25纳秒 | 静态随机存储器 | 2K×8 | 平行线 | 25纳秒 | ||||
![]() | S25FL256LAGMFI000Z | 5.6700 | ![]() | 6104 | 0.00000000 | Spansion | FL-L | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | S25FL256 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 16-SOIC | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 133兆赫 | 非活跃性 | 256兆比特 | 闪光 | 32M×8 | SPI - 四路I/O、QPI | - | ||||
![]() | CY7C1460AV33-200AXCKG | 51.5800 | ![]() | 214 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-CY7C1460AV33-200AXCKG-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | R1QAA7218RBG-22RA0 | 35.5800 | ![]() | 第840章 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | GD25Q80ENIGR | 0.4242 | ![]() | 5279 | 0.00000000 | 兆易创新半导体(香港)有限公司 | GD25Q | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-UDFN 裸露焊盘 | 或 - NOR (SLC) | 2.7V~3.6V | 8-USON (3x4) | 下载 | 1970-GD25Q80ENIGTRR | 3,000 | 133兆赫 | 非活跃性 | 8兆比特 | 7纳秒 | 闪光 | 1M×8 | SPI-四路I/O | 70微秒,2毫秒 | ||||||||
![]() | CAT34C02VP2I-GT3 | - | ![]() | 5695 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 |
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