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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT46V64M8T67A3WC1	-	RFQ	6764	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）			MT46V64M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V		-			到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1		易挥发的	512Mbit		德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT53E4G32D8CY-046 wt：c	90.4650	RFQ	9649	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr4	-	-	-				557-MT53E4G32D8CY-046WT：c			1	2.133 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	4G x 32	平行线	-
MT62F3G32D8DV-023 FAAT：b	94.8300	RFQ	6924	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-023FAAT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	3G x 32	平行线	-
thgbmjg6c1lbau7	-	RFQ	5176	美国济欧克美国公司	E•MMC™	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	thgbmjg6	闪存-NAND	-	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	152		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	EMMC	-
MWS5101EAL2	8.0000	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	22 滴（0.400英寸，10.16毫米）	MWS5101	sram-异步	4.5V〜5.5V	22-pdip	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1kbit	250 ns	SRAM	256 x 4	平行线	300NS
NM24C04UEN	-	RFQ	5714	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	NM24C04	EEPROM	4.5V〜5.5V	8点	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	100 kHz	非易失性	4Kbit	3.5 µs	EEPROM	512 x 8	i²c	10ms
S29GL512N11FFA020	-	RFQ	3538	Infineon技术	GL-N	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	512Mbit	110 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	110NS
STK22C48-SF25I	-	RFQ	9421	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度）	STK22C48	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	50		非易失性	16kbit	25 ns	NVSRAM	2k x 8	平行线	25ns
W25Q128JVESM	-	RFQ	8206	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（8x6）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q128JVESM			1	133 MHz	非易失性	128mbit	6 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	3ms
CY7C1021CV33-10ZI	2.1300	RFQ	2	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1021	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
7132LA20PDGI	-	RFQ	9735	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	48 浸（0.600英寸，15.24毫米）		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	48-PDIP	-				800-7132LA20PDGI			1		易挥发的	16kbit	20 ns	SRAM	2k x 8	平行线	20NS
S25FL256LAGMFB001	-	RFQ	5697	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL256LAGMFB001			1
W25N02KWTBIR TR	4.1753	RFQ	1007	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））		256-W25N02KWTBIRTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	104 MHz	非易失性	2Gbit	8 ns	闪光	256m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
CY7C1325B-100BGC	8.6600	RFQ	3	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1325	sram-同步，sdr	3.15v〜3.6V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
S99-50198	-	RFQ	6698	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	136
S25FL164K0XMFV013	6.0141	RFQ	8	赛普拉斯半导体公司	fl1-k	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	S25FL164	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	不适用	供应商不确定		3A991B1A	8542.32.0050	84	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms	未行业行业经验证
W74M64JVSSIQ	1.6110	RFQ	3215	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	W74M64	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	256-W74M64JVSSIQ	3A991B1A	8542.32.0071	90	104 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	-
5962-9232404MYA	-	RFQ	9242	Simtek	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	28-LCC	5962-9232404	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-LCC （13.97x8.89）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响				1		非易失性	64kbit	55 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	55ns
MT53E1G16D1FW-046 wt：a	11.9850	RFQ	4309	微米技术公司	-	盒子	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E1G16D1FW-046WT：a			1	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit	3.5 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	18NS
MT62F1G32D4DS-031 AAT：b tr	32.5650	RFQ	3030	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D4DS-031AAT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
CAT93C46VI-TE13	-	RFQ	8510	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT93C46	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	2,000	2 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8，64 x 16	微线	-
PCF85102C-2T/03118	0.5100	RFQ	9	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	2,500
STK11C88-SF45ITR	-	RFQ	9115	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度）	STK11C88	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	256kbit	45 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	45ns
MX25U51245GXDI54	6.2250	RFQ	2076	大元	MXSMIO™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA，CSPBGA		闪存-SLC）	1.65V〜2V	24-cspbga（6x8）	-		3（168））		1092-MX25U51245GXDI54			480	166 MHz	非易失性	512Mbit	5 ns	闪光	128m x 4，256m x 2，512m x 1	Spi -Quad I/O，Dtr	60µs，750µs
70v9089s9pfi	-	RFQ	7752	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v9089	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-	Rohs不合规	3（168））			3A991B2B	8542.32.0041	90		易挥发的	512kbit	9 ns	SRAM	64k x 8	平行线	-
AT24C64B-10TU-1.8	0.8800	RFQ	2	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT24C64	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	AT24C64B10TU18	Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	64kbit	900 ns	EEPROM	8k x 8	i²c	5ms
FM24C256VM8	0.8800	RFQ	966	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FM24C256	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	100 kHz	非易失性	256kbit	3.5 µs	EEPROM	32K x 8	i²c	6ms
CY7C1512-70ZI	5.1900	RFQ	82	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）			CY7C1512	sram-同步	4.5V〜5.5V		下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	512kbit	70 ns	SRAM	64k x 8	平行线	70NS
5962-8700215ZA	-	RFQ	9886	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	48 浸（0.600英寸，15.24毫米）	5962-8700215	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	48侧铜	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-5962-8700215ZA	过时的		8		易挥发的	16kbit	70 ns	SRAM	2k x 8	平行线	70NS
MT53E512M32D1NP-046 WT：b	11.7600	RFQ	3507	微米技术公司	-	托盘	积极的		表面安装	200-WFBGA	MT53E512			200-WFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53E512M32D1NP-046WT：b			1,360

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²