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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
85080-001-C	162.0000	RFQ	1802年	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-85080-001-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS61QDPB42M36A2-500B4LI	117.1779	RFQ	1239	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDPB42	sram-同步，Quadp	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	500 MHz	易挥发的	72Mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
FM25V40-DGC	16.0000	RFQ	71	拉姆特隆	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0071	1
00FC888-C	110.0000	RFQ	9031	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-00FC888-C	Ear99	8473.30.5100	1
MX25U2033EZNI-12G	0.4338	RFQ	5432	大元	MXSMIO™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	MX25U2033	闪光灯 -也不	1.65V〜2V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	570	80 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	Spi -Quad I/O。	30µs，3ms
CY62138FV30LL-45ZSXI	-	RFQ	4052	Infineon技术	MOBL®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62138	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	117		易挥发的	2Mbit	45 ns	SRAM	256K x 8	平行线	45ns
MT40A2G8NEA-062E：r	21.7650	RFQ	3877	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A2G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT40A2G8NEA-062E：R			1,260	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	13.75 ns	德拉姆	2G x 8	平行线	15ns
70v9099l9pf	-	RFQ	2912	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v9099	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	6		易挥发的	1Mbit	9 ns	SRAM	128K x 8	平行线	-
DS2501P+	-	RFQ	4414	ADI/MAXIM集成	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件			175-DS2501P+	过时的		1
70P244L55BYGI8	-	RFQ	7824	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	81-TFBGA	70P244L	sram-双端口，异步	1.7V〜1.9V	81-cabga（5x5）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,500		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	4K x 16	平行线	55ns
IS43LR16160G-6BL	5.7300	RFQ	4544	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16160	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	300	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
P00922-B21-C	262.5000	RFQ	1052	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-P00922-B21-C	Ear99	8473.30.5100	1
S26361-F3934-E512-C	166.2500	RFQ	4668	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-S26361-F3934-E512-C	Ear99	8473.30.5100	1
S25FL256LDPMFV001	-	RFQ	8320	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL256LDPMFV001			1
MTFC4GMVEA-4M IT	-	RFQ	3351	微米技术公司	E•MMC™	大部分	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc4	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8523.51.0000	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
23A1024-i/st	2.7400	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	23A1024	SRAM	1.7V〜2.2V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	20 MHz	易挥发的	1Mbit		SRAM	128K x 8	Spi -Quad I/O。	-
IS43DR16128C-25DBL-TR	6.2016	RFQ	5623	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43DR16128C-25DBL-TR			2,500	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ns	德拉姆	128m x 16	SSTL_18	15ns
MT60B1G16HC-48B：a tr	16.5750	RFQ	2988	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	102-VFBGA		SDRAM -DDR5	-	102-VFBGA（9x14）	-				557-MT60B1G16HC-48B：ATR			2,000	2.4 GHz	易挥发的	16Gbit	16 ns	德拉姆	1G x 16	荚	-
S29GL01GS11TFB010YZK000	-	RFQ	8322	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，GL-S	大部分	上次购买	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	56-tsop	-							1		非易失性	1Gbit	110 ns	闪光	128m x 8	CFI	60ns
mtfc64gasaons-aat	41.4750	RFQ	1319	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	153-TFBGA		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	153-TFBGA（11.5x13）	-				557-mtfc64gasaons-aat			1	52 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	UFS2.1	-
24FC01-E/SN36KVAO	-	RFQ	2005	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24FC01	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-SOIC	下载			到达不受影响	150-24FC01-E/SN36KVAO	Ear99	8542.32.0051	100	1 MHz	非易失性	1kbit	450 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
FM93C66LVMT8	-	RFQ	8439	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93C66	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-tssop	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	250 kHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	微线	15ms
MT29F1T208EGHBBG1-3R：b tr	-	RFQ	2933	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	272-VFBGA	MT29F1T208	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	272-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	1.125Tbit		闪光	144g x 8	平行线	-
M29W160EB70ZA6E	-	RFQ	8843	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	M29W160	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	187		非易失性	16mbit	70 ns	闪光	2m x 8，1m x 16	平行线	70NS
W25Q40EWSNBG	-	RFQ	5141	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	W25Q40	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q40EWSNBG	过时的		1	104 MHz	非易失性	4Mbit	6 ns	闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O，QPI	30µs，800µs
MT41K256M8DA-125：k	5.3700	RFQ	29	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K256M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1	800 MHz	易挥发的	2Gbit	13.75 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
FM25C040ULEN	0.4400	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	FM25C040	EEPROM	2.7V〜5.5V	8点	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	15ms
M59DR032EA10ZB6	-	RFQ	1663年	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	M59DR032	闪光灯 -也不	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（7x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,638		非易失性	32Mbit	100 ns	闪光	2m x 16	平行线	100ns
S70FL01GSDSMFV010	15.2600	RFQ	1966年	Infineon技术	fl-s	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S70FL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,400	80 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O。	-
MT47H128M8SH-25E IT：m tr	3.7664	RFQ	2814	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT47H128M8SH-25EIT：MTR	Ear99	8542.32.0032	2,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²