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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
AS7C256A-20JCNTR	2.2706	RFQ	8595	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	AS7C256	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	256kbit	20 ns	SRAM	32K x 8	平行线	20NS
Th58NYG2S3HBAI6	6.3600	RFQ	1403	美国济欧克美国公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-BGA	th58nyg2	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-BGA（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	210		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	25ns
CY7C1399-15VC	1.3800	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C1399	sram-异步	3v〜3.6V	28-soj	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
CY62157G30-45BVXI	11.7000	RFQ	1199	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY62157	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	512k x 16	平行线	45ns
NDS38PT5-20ET TR	2.4786	RFQ	9428	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS38PT5-20ETTR			1,000
MT46H32M16LFBF-5 IT：c tr	5.6600	RFQ	1	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H32M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS25LQ025B-JBLE-TR	-	RFQ	9013	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25LQ025	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	104 MHz	非易失性	256kbit		闪光	32K x 8	Spi -Quad I/O。	800µs
T0H92AA-C	41.0000	RFQ	9618	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-T0H92AA-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS43DR16128C-3DBLI	11.9772	RFQ	2240	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16128	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1569	Ear99	8542.32.0036	209	333 MHz	易挥发的	2Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
70V26L35J8	-	RFQ	4788	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	70V26L	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	200		易挥发的	256kbit	35 ns	SRAM	16k x 16	平行线	35ns
P1N51AA-C	25.0000	RFQ	1138	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-P1N51AA-C	Ear99	8473.30.5100	1
S29JL064J55TFI000	7.9800	RFQ	4305	Infineon技术	JL-J	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29JL064	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	64mbit	55 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	55ns
S25FL127SABMFI001	2.4200	RFQ	165	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL127SABMFI001			165
647873-B21-C	36.2500	RFQ	4729	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-647873-B21-C	Ear99	8473.30.5100	1
70121S45JG	-	RFQ	7426	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	-				800-70121S45JG			1		易挥发的	18kbit	45 ns	SRAM	2k x 9	平行线	45ns
FM24C128LN	0.6000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	FM24C128	EEPROM	2.5V〜5.5V	8点	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	100 kHz	非易失性	128kbit	3.5 µs	EEPROM	16k x 8	i²c	6ms
CY62157G18-55BVXI	13.1075	RFQ	1410	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY62157	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
24AA04SC-I/S16K	-	RFQ	1149	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	24AA04	EEPROM	1.7V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8 x 2	i²c	5ms
MT25TL512BAA1ESF-0AAT	-	RFQ	9864	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MT25TL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi	8ms，2.8ms
CAT24C32C4CTR	0.4500	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP	CAT24C32	EEPROM	1.7V〜5.5V	4-WLCSP（0.77x0.77）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-CAT24C32C4CTR	Ear99	8542.32.0071	675	1 MHz	非易失性	32kbit	400 ns	EEPROM	4K x 8	i²c	5ms
IS42S16400E-7TL	1.1100	RFQ	2	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IS42S16400E-7TL	Ear99	8542.32.0002	1	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	lvttl	-
CY7C1318BV18-250BZC	35.1300	RFQ	572	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1318	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	9	250 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
IS61NVF102418-7.5B3I	-	RFQ	6844	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVF102418	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112	18.3750	RFQ	8592	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	149-VFBGA		Flash -nand（slc），DRAM -LPDDR4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	149-VFBGA（8x9.5）	-				557-MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112			1		非易失性，挥发性	8Gbit	25 ns	闪光，ram	1G x 8	onfi	30ns
MT29F4T08GMLCEJ4：c	78.1500	RFQ	4679	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F4T08GMLCEJ4：c			1
S29GL512T11DHV023	10.1850	RFQ	8999	Infineon技术	GL-T	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,200		非易失性	512Mbit	110 ns	闪光	64m x 8	平行线	60ns
CY62128BLL-70ZAXE	2.1400	RFQ	4	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	CY62128	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	70 ns	SRAM	128K x 8	平行线	70NS
70V06S12J	-	RFQ	1341	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）		sram-双端口，异步	3v〜3.6V	68-PLCC （24.21x24.21）	-				800-70V06S12J			1		易挥发的	128kbit	12 ns	SRAM	16k x 8	平行线	12ns
S34ML01G200TFB003	-	RFQ	4236	Skyhigh Memory Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产				S34ML01				-	Rohs符合条件	3（168））		2120-S34ML01G200TFB003	3A991B1A	8542.32.0071	1,000									未行业行业经验证
C-2400D4DR8N/8G	105.0000	RFQ	2176	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-2400D4DR8EN/8G	Ear99	8473.30.5100	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²