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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
R1LV0108ESA-5SI#B1 Renesas Electronics America Inc R1LV0108ESA-5SI #B1 4.8900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) R1LV0108 SRAM 2.7V〜3.6V 32-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -1161-R1LV0108ESA-5SI #B1 Ear99 8542.32.0041 234 易挥发的 1Mbit 55 ns SRAM 128K x 8 平行线 55ns
IS21ES08GA-JCLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES08GA-JCLI-TR 17.4700
RFQ
ECAD 721 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA IS21ES08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 153-VFBGA(11.5x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 EMMC -
SM662PED BESS Silicon Motion, Inc. SM662Bed Bess 48.7200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 硅运动,Inc。 Ferri-Emmc® 托盘 积极的 - 表面安装 100-LBGA Flash -nand(tlc) - 100-BGA (14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1984-sm662pedbess 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 - 闪光 EMMC -
MEM-DR332L-SL02-ER13-C ProLabs MEM-DR332L-SL02-ER13-C 170.0000
RFQ
ECAD 1903年 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-MEM-DR332L-SL02-ER13-C Ear99 8473.30.5100 1
LE25S161PCTXG onsemi LE25S161PCTXG -
RFQ
ECAD 3564 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C 〜90°C(TA) 表面安装 8-udfn裸露的垫子 LE25S161 闪光 1.65V〜1.95V 8-udfn (4x3) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 70 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 spi 700µs
W632GG8NB12I Winbond Electronics W632GG8NB12I 5.3270
RFQ
ECAD 1440 0.00000000 Winbond电子产品 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
MT53E1G32D2FW-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 wt:a 22.0050
RFQ
ECAD 9440 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -25°C 〜85°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046WT:a 1 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 平行线 18NS
EM6HB16EWKA-12IH Etron Technology, Inc. EM6HB16EWKA-12IH 3.2261
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Etron Technology,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-VFBGA EM6HB16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 667 MHz 易挥发的 512Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
DS28E02Q-W01+2T ADI/Maxim Integrated DS28E02Q-W01+2T -
RFQ
ECAD 9838 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -20°C〜85°C(TA) 表面安装 6-WDFN暴露垫 DS28E02 EEPROM 1.75V〜3.65V 6-TDFN (3x3) - rohs3符合条件 175-DS28E02Q-W01+2TTR 过时的 1,000 非易失性 1kbit 2 µs EEPROM 256 x 4 1-Wire® 25ms
AA579531-C ProLabs AA579531-C 230.0000
RFQ
ECAD 5894 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-AA579531-C Ear99 8473.30.5100 1
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:d -
RFQ
ECAD 5849 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 - MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-TBGA(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 167 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NW-062 WT ES:d -
RFQ
ECAD 1261 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B512 sdram- lpddr4 1.1V - - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
CG7729AAT Infineon Technologies CG7729AAT -
RFQ
ECAD 7099 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 到达不受影响 过时的 2,500
S25FL164K0XMFB003 Infineon Technologies S25FL164K0XMFB003 -
RFQ
ECAD 9977 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100,FL1-K 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) S25FL164 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 108 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 3ms
IDT71V35761S200PF8 Renesas Electronics America Inc IDT71V35761S200PF8 -
RFQ
ECAD 5041 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP IDT71V35761 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 71v35761s200pf8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 200 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
93LC76AT-I/SN Microchip Technology 93LC76AT-I/SN 0.5100
RFQ
ECAD 5448 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 93LC76 EEPROM 2.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 3,300 3 MHz 非易失性 8kbit EEPROM 1k x 8 微线 5ms
DS1230AB-200+ ADI/Maxim Integrated DS1230AB-200+ 28.5700
RFQ
ECAD 35 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 28 DIP 模块( 0.600英寸,15.24毫米) DS1230AB NVSRAM(SRAM) 4.75V〜5.25V 28-Edip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -4941-DS1230AB-200+ Ear99 8542.32.0041 12 非易失性 256kbit 200 ns NVSRAM 32K x 8 平行线 200NS
W9816G6JH-7 TR Winbond Electronics W9816G6JH-7 Tr 1.3934
RFQ
ECAD 5228 0.00000000 Winbond电子产品 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) W9816G6 Sdram 3v〜3.6V 50-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 256-W9816G6JH-7TR Ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 易挥发的 16mbit 5 ns 德拉姆 1m x 16 lvttl -
M29W400FT55N3E Micron Technology Inc. M29W400FT55N3E -
RFQ
ECAD 1283 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29W400 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 96 非易失性 4Mbit 55 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 55ns
CY7C188-20VC Infineon Technologies CY7C188-20VC -
RFQ
ECAD 2492 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) CY7C188 sram-异步 4.5V〜5.5V 32-soj 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 288kbit 20 ns SRAM 32k x 9 平行线 20NS
W25Q128FWSAQ Winbond Electronics W25Q128FWSAQ -
RFQ
ECAD 9350 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) W25Q128 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3(168)) 到达不受影响 256-W25Q128FWSAQ 过时的 1 104 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 60µs,5ms
S25FL128SAGBHV300 NXP Semiconductors S25FL128SAGBHV300 2.8200
RFQ
ECAD 257 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 - 2156-S25FL128SAGBHV300 107
CY14B116N-ZSP45XIT Infineon Technologies CY14B116N-ZSP45XIT 82.6875
RFQ
ECAD 1058 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) CY14B116 NVSRAM(SRAM) 2.7V〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 非易失性 16mbit 45 ns NVSRAM 1m x 16 平行线 45ns
R1EX24128BSAS0I#S1 Renesas Electronics America Inc R1EX24128BSAS0I #S1 4.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - 不适用 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.32.0051 250
CYD18S72V18-250BBXC Infineon Technologies CYD18S72V18-250BBXC -
RFQ
ECAD 9164 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 256-LBGA CYD18S72 sram-双端口,同步 1.42V〜1.58V,1.7V〜1.9V 256-FBGA(17x17) 下载 rohs3符合条件 5(48)(48)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.64 ns SRAM 256K x 72 平行线 -
AM27S25SAJC Advanced Micro Devices AM27S25SAJC 16.0000
RFQ
ECAD 133 0.00000000 高级微型设备 - 大部分 积极的 0°C〜75°C(TA) 表面安装 28-lcc(j-lead) AM27S25S - 4.75V〜5.25V 28-PLCC (11.51x11.51) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.32.0071 1 非易失性 4Kbit 25 ns 舞会 512 x 8 平行线 -
C-1333D3N9K2/4G ProLabs C-1333D3N9K2/4G 31.2500
RFQ
ECAD 4793 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-C-1333D3N9K2/4G Ear99 8473.30.5100 1
MT28HL32GQBB3ERK-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL32GQBB3ERK-0GCT 73.5000
RFQ
ECAD 3353 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 MT28HL32 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 960
MT62F1G32D2DS-023 AAT ES:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 AAT:b 31.9350
RFQ
ECAD 9571 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 1.05V 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023AATES:b 1 4.266 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 平行线 -
MTFC64GAZAQHD-IT TR Micron Technology Inc. mtfc64gazaqhd-it tr 29.3250
RFQ
ECAD 4075 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA MTFC64 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-VFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFC64GAZAQHD-ITTR 2,000 200 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 EMMC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库