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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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R1LV0108ESA-5SI #B1 | 4.8900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | R1LV0108 | SRAM | 2.7V〜3.6V | 32-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -1161-R1LV0108ESA-5SI #B1 | Ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 易挥发的 | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | IS21ES08GA-JCLI-TR | 17.4700 | ![]() | 721 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | IS21ES08 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | EMMC | - | ||||
![]() | SM662Bed Bess | 48.7200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | Ferri-Emmc® | 托盘 | 积极的 | - | 表面安装 | 100-LBGA | Flash -nand(tlc) | - | 100-BGA (14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1984-sm662pedbess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 非易失性 | - | 闪光 | EMMC | - | |||||
![]() | MEM-DR332L-SL02-ER13-C | 170.0000 | ![]() | 1903年 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-MEM-DR332L-SL02-ER13-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
LE25S161PCTXG | - | ![]() | 3564 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C 〜90°C(TA) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | LE25S161 | 闪光 | 1.65V〜1.95V | 8-udfn (4x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 70 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | spi | 700µs | ||||
![]() | W632GG8NB12I | 5.3270 | ![]() | 1440 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-VFBGA | W632GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
MT53E1G32D2FW-046 wt:a | 22.0050 | ![]() | 9440 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046WT:a | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | 18NS | |||||||||
![]() | EM6HB16EWKA-12IH | 3.2261 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Etron Technology,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-VFBGA | EM6HB16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 667 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | DS28E02Q-W01+2T | - | ![]() | 9838 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -20°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | DS28E02 | EEPROM | 1.75V〜3.65V | 6-TDFN (3x3) | - | rohs3符合条件 | 175-DS28E02Q-W01+2TTR | 过时的 | 1,000 | 非易失性 | 1kbit | 2 µs | EEPROM | 256 x 4 | 1-Wire® | 25ms | |||||
![]() | AA579531-C | 230.0000 | ![]() | 5894 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-AA579531-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:d | - | ![]() | 5849 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | - | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-TBGA(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 167 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT53B512M64D4NW-062 WT ES:d | - | ![]() | 1261 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53B512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | |||||
![]() | CG7729AAT | - | ![]() | 7099 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 到达不受影响 | 过时的 | 2,500 | ||||||||||||||||||||
![]() | S25FL164K0XMFB003 | - | ![]() | 9977 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,FL1-K | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL164 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | |||
![]() | IDT71V35761S200PF8 | - | ![]() | 5041 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IDT71V35761 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71v35761s200pf8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.1 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |
![]() | 93LC76AT-I/SN | 0.5100 | ![]() | 5448 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 93LC76 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 3 MHz | 非易失性 | 8kbit | EEPROM | 1k x 8 | 微线 | 5ms | |||
![]() | DS1230AB-200+ | 28.5700 | ![]() | 35 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 28 DIP 模块( 0.600英寸,15.24毫米) | DS1230AB | NVSRAM(SRAM) | 4.75V〜5.25V | 28-Edip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -4941-DS1230AB-200+ | Ear99 | 8542.32.0041 | 12 | 非易失性 | 256kbit | 200 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 200NS | ||
![]() | W9816G6JH-7 Tr | 1.3934 | ![]() | 5228 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) | W9816G6 | Sdram | 3v〜3.6V | 50-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W9816G6JH-7TR | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 5 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | lvttl | - | |
![]() | M29W400FT55N3E | - | ![]() | 1283 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | M29W400 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 4Mbit | 55 ns | 闪光 | 512k x 8,256k x 16 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | CY7C188-20VC | - | ![]() | 2492 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C188 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-soj | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 288kbit | 20 ns | SRAM | 32k x 9 | 平行线 | 20NS | |||
![]() | W25Q128FWSAQ | - | ![]() | 9350 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | W25Q128 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q128FWSAQ | 过时的 | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 6 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,5ms | |||
![]() | S25FL128SAGBHV300 | 2.8200 | ![]() | 257 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S25FL128SAGBHV300 | 107 | |||||||||||||||||||||
![]() | CY14B116N-ZSP45XIT | 82.6875 | ![]() | 1058 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY14B116 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 非易失性 | 16mbit | 45 ns | NVSRAM | 1m x 16 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | R1EX24128BSAS0I #S1 | 4.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0051 | 250 | |||||||||||||||||
![]() | CYD18S72V18-250BBXC | - | ![]() | 9164 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 256-LBGA | CYD18S72 | sram-双端口,同步 | 1.42V〜1.58V,1.7V〜1.9V | 256-FBGA(17x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 2.64 ns | SRAM | 256K x 72 | 平行线 | - | ||
![]() | AM27S25SAJC | 16.0000 | ![]() | 133 | 0.00000000 | 高级微型设备 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜75°C(TA) | 表面安装 | 28-lcc(j-lead) | AM27S25S | - | 4.75V〜5.25V | 28-PLCC (11.51x11.51) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 4Kbit | 25 ns | 舞会 | 512 x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | C-1333D3N9K2/4G | 31.2500 | ![]() | 4793 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-C-1333D3N9K2/4G | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT28HL32GQBB3ERK-0GCT | 73.5000 | ![]() | 3353 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | MT28HL32 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 960 | |||||||||||||||||
![]() | MT62F1G32D2DS-023 AAT:b | 31.9350 | ![]() | 9571 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AATES:b | 1 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | mtfc64gazaqhd-it tr | 29.3250 | ![]() | 4075 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | MTFC64 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MTFC64GAZAQHD-ITTR | 2,000 | 200 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | EMMC | - |
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