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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT41J256M8JE-15E：a	-	RFQ	7444	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	82-fbga	MT41J256M8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	82-fbga （12.5x15.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	667 MHz	易挥发的	2Gbit	13.5 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
BR24G16FVM-3GTTR	0.3200	RFQ	9052	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vssop，8-msop （0.110英寸，2.80mm宽度）	BR24G16	EEPROM	1.6V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	i²c	5ms
A2146192-C	37.5000	RFQ	5184	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A2146192-C	Ear99	8473.30.5100	1
25AA020A/W16K	-	RFQ	2877	微芯片技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	25AA020	EEPROM	1.8V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	10 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	spi	5ms
CY7C1361S-133AXI	16.4700	RFQ	290	赛普拉斯半导体公司	-	包	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1361	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-	不适用				3A991B2A		19	133 MHz	易挥发的	9Mbit	6.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-	未行业行业经验证
S25FL064LABNFA011	-	RFQ	8750	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL064LABNFA011			1
IS62WV2568BLL-55TLI	2.7300	RFQ	8	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	IS62WV2568	sram-异步	2.5V〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	156		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	256K x 8	平行线	55ns
7164S35YGI	-	RFQ	5191	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	7164	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	35 ns	SRAM	8k x 8	平行线	35ns
MB85RC256VPF-G-BCERE1	3.2589	RFQ	8743	Kaga Fei America，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	MB85RC256	fram （铁电 ram）	2.7V〜5.5V	8-sop	-	rohs3符合条件	3（168））		865-MB85RC256VPF-G-BCERE1TR	Ear99	8542.32.0071	500	1 MHz	非易失性	256kbit	550 ns	框架	32K x 8	i²c	-
S29GL064S90TFI010	-	RFQ	5624	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，GL-S	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL064	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	91		非易失性	64mbit	90 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	60ns
PA5282U-1M16G-C	81.7500	RFQ	7962	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-PA5282U-1M16G-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS25LP016D-JULE-TR	0.7583	RFQ	3691	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	IS25LP016	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-uson（2x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	5,000	133 MHz	非易失性	16mbit	7 ns	闪光	2m x 8	SPI，QPI	800µs
AT24C08D-UUM1B-T	-	RFQ	3365	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP	AT24C08	EEPROM	1.7v〜3.6V	4-wlcsp	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	1 MHz	非易失性	8kbit	4.5 µs	EEPROM	1k x 8	i²c	5ms
S29GL512T11DHV020	10.1850	RFQ	2214	Infineon技术	GL-T	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	520		非易失性	512Mbit	110 ns	闪光	64m x 8	平行线	60ns
ME619GXFLEG3S	104.2300	RFQ	8605	硅运动，Inc。	-	大部分	积极的								-	rohs3符合条件			1984-ME619GXFLEG3S			1
NDL86PFE-9MIT	-	RFQ	5306	Insignis Technology Corporation	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	-	-				1982-NDL86PFE-9MIT	过时的		2,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	512m x 16	平行线	-
S-24CS02ADP-G	-	RFQ	5481	Ablic Inc.	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	S-24CS02	EEPROM	1.8V〜5.5V	8点	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	50	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	10ms
mtfc32gazaqhd-ait	17.3550	RFQ	3528	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				1,520	200 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
P47P0975	-	RFQ	9791	IBM	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
M24C08-DRMN3TP/k	0.5000	RFQ	5035	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M24C08	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	8kbit	450 ns	EEPROM	1k x 8	i²c	4ms
EDFB232A1MA-GD-FD	-	RFQ	8640	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TA）	-	-	EDFB232	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,680	800 MHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
BR24T256FV-WE2	0.9900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-lssop （0.173“，4.40mm宽度）	BR24T256	EEPROM	1.6V〜5.5V	8SSOP-B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	400 kHz	非易失性	256kbit		EEPROM	32K x 8	i²c	5ms
CY7C1148KV18-450BZXC	-	RFQ	5232	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1148	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	450 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-
S25FL132K0XNFI040	-	RFQ	4384	Infineon技术	fl1-k	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	S25FL132	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	490	108 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
S34MS01G200TFI900	-	RFQ	9522	Skyhigh Memory Limited	-	托盘	在sic中停产				S34MS01				-	Rohs符合条件	3（168））		2120-S34MS01G200TFI900	3A991B1A	8542.32.0071	96									未行业行业经验证
70V25S25PFG8	-	RFQ	8399	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的								-			到达不受影响	800-70V25S25PFG8	Ear99	8542.32.0041	1
7005L20JG	-	RFQ	9207	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7005L20	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	-				800-7005L20JG	过时的		18		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	8k x 8	平行线	20NS
MT48LC16M16A2FG-75 IT：D Tr	-	RFQ	9090	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
N25W032A11EF640E	-	RFQ	4138	微米技术公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	N25W032	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	（8-vdfpn（6x5）（MLP8）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	490	108 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	8m x 4	spi	-
mtfc32gludm-wt	-	RFQ	5751	微米技术公司	E•MMC™	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	-	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²