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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
SM662GXD BFST	44.9200	RFQ	5	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	100-LBGA	SM662	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）	-	100-BGA （14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	EMMC	-
EM6GD08EWAHH-10IH	3.5028	RFQ	5807	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	EM6GD08	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（7.5x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6GD08EWAHH-10IHTR	Ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS66WVH32M8DBLL-100B1LI	4.8440	RFQ	7449	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS66WVH32M8DBLL-100B1LI			480	100 MHz	易挥发的	256Mbit	40 ns	PSRAM	32m x 8	平行线	40ns
N0H88AA-C	195.0000	RFQ	9000	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-N0H88AA-C	Ear99	8473.30.5100	1
70v9359l7pfi	-	RFQ	3786	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v9359	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	45		易挥发的	144kbit	7.5 ns	SRAM	8k x 18	平行线	-
IS62WV5128EBLL-45QLI-TR	4.0037	RFQ	2398	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC （0.445“，11.30mm宽度）	IS62WV5128	sram-异步	2.2v〜3.6V	32 SOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns
CY7C2170KV18-550BZXC	-	RFQ	9708	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2170	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	550 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-
24vl014h/p	0.6150	RFQ	2282	微芯片技术	-	管子	积极的	-20°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	24VL014	EEPROM	1.5V〜3.6V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	60	400 kHz	非易失性	1kbit	900 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
IS25WJ032F-JNLE	1.0600	RFQ	365	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25WJ032F	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WJ032F-JNLE	3A991B1A	8542.32.0071	100	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	1.6ms
A2257182-C	37.5000	RFQ	9529	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A2257182-C	Ear99	8473.30.5100	1
S25FL064LABNFA043	-	RFQ	9578	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL064LABNFA043			1
CY7C1423JV18-250BZXC	-	RFQ	8390	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1423	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-
M24C08-WBN6P	-	RFQ	1438	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	M24C08	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	50	400 kHz	非易失性	8kbit	900 ns	EEPROM	1k x 8	i²c	5ms
MT44K64M18RB-107E：A TR	64.4550	RFQ	5837	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-TBGA	MT44K64M18	rldram 3	1.28V〜1.42V	168-BGA（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	易挥发的	1.125Gbit	8 ns	德拉姆	64m x 18	平行线	-
MT29F4G08ABAFAWP-AAT：f	5.3900	RFQ	564	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F4G08ABAFAWP-AAT：f	3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
W988D6FBGX6E	-	RFQ	1269	Winbond电子产品	-	托盘	过时的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	54-TFBGA	W988D6	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	54-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	312	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
FM25V20-G	12.4000	RFQ	8189	赛普拉斯半导体公司	F-RAM™	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	FM25V20	fram （铁电 ram）	2v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件			2156-FM25V20-G-CY			94	40 MHz	非易失性	2Mbit		框架	256K x 8	spi	-	未行业行业经验证
852545-001-C	87.5000	RFQ	9286	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-852545-001-C	Ear99	8473.30.5100	1
CG8204AA	-	RFQ	4432	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
MWS5101EAL3	2.8500	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	22 滴（0.400英寸，10.16毫米）	MWS5101	sram-异步	4.5V〜5.5V	22-pdip	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1kbit	350 ns	SRAM	256 x 4	平行线	400NS
BR93A76RFVM-WMTR	0.8300	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-vssop，8-msop （0.110英寸，2.80mm宽度）	BR93A76	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	2 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	512 x 16	微线	5ms
C64898AAT	-	RFQ	3905	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
93LC86B-E/SN	0.6450	RFQ	8085	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93LC86	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	1k x 16	微线	5ms
IS61NVF25672-6.5B1I	-	RFQ	3918	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	209-BGA	IS61NVF25672	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	209-LFBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	256K x 72	平行线	-
W25x10clzpig tr	-	RFQ	5638	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25x10	闪光	2.3v〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	5,000	104 MHz	非易失性	1Mbit		闪光	128K x 8	spi	800µs
7130SA17TFI8	-	RFQ	7688	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP（10x10）	-				800-7130SA17TFI8TR			1		易挥发的	8kbit	17 ns	SRAM	1k x 8	平行线	17ns
CAT25C08Y-TE13	-	RFQ	5287	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAT25C08	EEPROM	2.5V〜6V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	2,000	10 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	spi	5ms
AS7C256B-15JIN	-	RFQ	2941	联盟记忆，Inc。	-	管子	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	AS7C256	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	25		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
AS4C4M16SA-6BIN	3.5400	RFQ	10	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	AS4C4M16	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1257	Ear99	8542.32.0002	348	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	2NS
MT58L256L18F1T-8.5Ittr	4.9900	RFQ	15	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	500	100 MHz	易挥发的	4Mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²