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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | MT52L256M32D1PU-107 wt:b tr | - | ![]() | 6952 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -30°C〜85°C(TC) | MT52L256 | sdram- lpddr3 | 1.2V | - | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 256m x 32 | - | - | ||||||||
GS81302DT37GE-450I | 243.5230 | ![]() | 7991 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜100°C(TJ) | 表面安装 | 165-LBGA | GS81302DT37 | sram-四边形端口,同步 | 1.7V〜1.9V | 165-FPBGA(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2364-GS81302DT37GE-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450 MHz | 易挥发的 | 144Mbit | SRAM | 4m x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | 71V016SA15BFI | 3.6892 | ![]() | 5563 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | 71v016 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-cabga(7x7) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 476 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | 71V3559S80BQ | 9.9699 | ![]() | 3636 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v3559 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 易挥发的 | 4.5mbit | 8 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||||
![]() | S29GL256S10GHB010 | 6.7115 | ![]() | 7162 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,GL-S | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 56-VFBGA | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 56-FBGA(9x7) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 260 | 非易失性 | 256Mbit | 100 ns | 闪光 | 32m x 8 | CFI | 60ns | ||||||||
![]() | W71NW20GD3GW | - | ![]() | 2478 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | - | - | W71NW20 | flash -nand,dram -lpddr | 1.7V〜1.95V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W71NW20GD3GW | 136 | 非易失性,挥发性 | 2GBIT(NAND),1GBIT(lpddr) | 闪光,ram | - | - | - | ||||||
7130LA35C | 87.2408 | ![]() | 8253 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 上次购买 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 48 浸(0.600英寸,15.24毫米) | 7130LA | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 48侧铜 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 8 | 易挥发的 | 8kbit | 35 ns | SRAM | 1k x 8 | 平行线 | 35ns | |||||
![]() | CY7C1480BV33-167AXC | 129.4200 | ![]() | 229 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1480 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 167 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 3.4 ns | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | CY62168DV30LL-55BVXIT | - | ![]() | 2118 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62168 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(8x9.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 16mbit | 55 ns | SRAM | 2m x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | R1LV0816ASA-5SI #SK | 24.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991 | 8542.32.0041 | 1,000 | ||||||||||||||||||
![]() | AS4C256M16D3LB-10BCNTR | - | ![]() | 5219 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(13.5x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-AS4C256M16D3LB-10BCNTR | 过时的 | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | S25FL129P0XNFI010 | - | ![]() | 8925 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-p | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | S25FL129 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-uson(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 5µs,3ms | ||||
![]() | S29GL032N90FFIS30 | - | ![]() | 7110 | 0.00000000 | Infineon技术 | GL-N | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL032 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 非易失性 | 32Mbit | 90 ns | 闪光 | 4m x 8,2m x 16 | 平行线 | 90NS | ||||
CY7C1444AV33-1XWI | - | ![]() | 6850 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | CY7C1444 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0071 | 180 | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | ||||||
![]() | H6Y77UT-C | 24.5000 | ![]() | 4117 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-H6Y77UT-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | AA579531-C | 230.0000 | ![]() | 5894 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-AA579531-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS62WV10248BLL-55BLI-TR | 6.1800 | ![]() | 5950 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS62WV10248 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 48-Minibga(7.2x8.7) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 8mbit | 55 ns | SRAM | 1m x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | MT62F768M64D4EK-023 AAT:b | 47.8950 | ![]() | 5053 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | - | 表面安装 | 441-TFBGA | MT62F768 | sdram- lpddr5 | - | 441-TFBGA(14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-023AAT:b | 1 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 48Gbit | 德拉姆 | 768m x 64 | 平行线 | - | ||||||||
25LC020AT-E/OT | 0.5700 | ![]() | 1010 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | SOT-23-6 | 25LC020 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 10 MHz | 非易失性 | 2kbit | EEPROM | 256 x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | A1544901-C | 17.5000 | ![]() | 6772 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-A1544901-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 71V67703S75BG | 26.1188 | ![]() | 9916 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v67703 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 117 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | 7018S12PF | - | ![]() | 2647 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 上次购买 | - | 800-7018S12PF | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | W25Q64FWZEIG | - | ![]() | 4111 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | W25Q64 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q64FWZEIG | 过时的 | 8542.32.0071 | 63 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,5ms | |||
![]() | MT61M512M32KPA-14 N:C TR | 42.1050 | ![]() | 8544 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT61M512M32KPA-14N:CTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C10202020202 ZXC | - | ![]() | 1265 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1020 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 512kbit | 12 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 12ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | IDT71V25761YSA166BQI | - | ![]() | 2831 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IDT71V25761 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V25761YSA166BQI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 166 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
S29PL064J70BFW072 | 5.8150 | ![]() | 2527 | 0.00000000 | Infineon技术 | PL-J | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-VFBGA | S29PL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-FBGA(9x7) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 800 | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 70NS | |||||
![]() | MT53D6DABE-DC | - | ![]() | 2172 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 在sic中停产 | - | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1,360 | |||||||||||||||||||||
![]() | 7026L12JI8 | - | ![]() | 1542 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-LCC(j-lead) | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | - | 800-7026L12JI8TR | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 12 ns | SRAM | 16k x 16 | 平行线 | 12ns | |||||||||
![]() | CYDMX064A16-90BVXI | 6.9400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-VFBGA | cydmx | sram-双端口,莫布 | 1.8V〜3.3V | 100-vfbga(6x6) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 44 | 易挥发的 | 64kbit | 90 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 90NS | 未行业行业经验证 |
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