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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS25LQ025B-JNLE	-	RFQ	8020	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25LQ025	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1328	Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	256kbit		闪光	32K x 8	Spi -Quad I/O。	800µs
IS25LQ080B-JBLE	-	RFQ	3862	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25LQ080	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1329	Ear99	8542.32.0071	90	104 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	1ms
IS25LQ080B-JNLE	-	RFQ	9553	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25LQ080	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1331	Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	1ms
IS25LQ016B-JKLE	-	RFQ	2832	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25LQ016	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1333	Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	1ms
IS25LQ016B-JNLE	-	RFQ	3764	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25LQ016	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1334	Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	1ms
IS25LP064-JMLE	-	RFQ	6462	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IS25LP064	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1340	3A991B1A	8542.32.0071	44	133 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	800µs
IS25LP128-JBLE	2.3600	RFQ	5	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25LP128	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1341	3A991B1A	8542.32.0071	90	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	1ms
AS4C4M16SA-6BIN	3.5400	RFQ	10	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	AS4C4M16	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1257	Ear99	8542.32.0002	348	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	2NS
AS4C8M16SA-6TCN	3.5500	RFQ	1	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	AS4C8M16	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1266	Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	易挥发的	128mbit	5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	12ns
IS61LF102418B-7.5TQ-TR	-	RFQ	2346	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LF102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS61LPS51236B-200TQLI-TR	13.9821	RFQ	1941年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61NLP51236B-200TQLI-TR	13.9821	RFQ	2127	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLP51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61NVP51236B-200B3I-Tr	-	RFQ	4796	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVP51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61NVP51236B-200B-200B-200B-200B3LI-Tr	14.6300	RFQ	6150	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVP51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61NVP51236B-200TQLI-TR	14.2500	RFQ	3178	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NVP51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61LF102418B-7.5TQ	-	RFQ	6357	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LF102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS61LF102418B-7.5TQLI	17.2425	RFQ	8483	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LF102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS61NLP102418B-200B3LI	20.7400	RFQ	9334	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NLP102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS61NLP102418B-200TQLI	19.1200	RFQ	8368	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLP102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS61NLP51236B-200TQLI	17.2425	RFQ	9873	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLP51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61NVP51236B-200B3LI	16.3574	RFQ	7507	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVP51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61NVP51236B-200TQLI	17.2425	RFQ	3182	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NVP51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61VF51236B-7.5TQLI	17.2425	RFQ	9352	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61VF51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
MT29F128G08CKCCBH2-12Z：c	-	RFQ	8358	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-TBGA	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-TBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT29F256G08AUCDBJ6-6：d	-	RFQ	6885	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-LBGA	MT29F256G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	132-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	166 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT29F32G08ABCDBJ4-6：d	-	RFQ	6569	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	166 MHz	非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT29F512G08CUCDBJ6-6R：d	-	RFQ	5708	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-LBGA	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	132-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	166 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT41K64M16TW-107 IT：j	-	RFQ	8187	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K64M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,368	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	-
MTFC32GJDED-3M WT	-	RFQ	3571	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	169-VFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	1.65V〜3.6V	169-VFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8523.51.0000	980		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
MTFC64GJDDN-4M IT	-	RFQ	6226	微米技术公司	E•MMC™	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-LFBGA	MTFC64	闪存-NAND	1.65V〜3.6V	169-LFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8523.51.0000	980		非易失性	512kbit		闪光	64k x 8	MMC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²