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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
IS25LP040E-JNLA3-Tr	0.4861	RFQ	6284	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	2.3v〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP040E-JNLA3-TR			3,000	104 MHz	非易失性	4Mbit	8 ns	闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O，QPI	40µs，1.2ms
M29W400FT55N3E	-	RFQ	1283	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W400	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	4Mbit	55 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	55ns
PC28F128P33TF60A	5.4000	RFQ	8317	联盟记忆，Inc。	Strataflash™	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-TBGA		闪存 - 或MLC）	2.3v〜3.6V	64- Easybga（10x13）	-		3（168））		1450-PC28F128P33TF60A			300	52 MHz	非易失性	128mbit	60 ns	闪光	8m x 16	CFI	-
W25Q32JVTBIQ TR	0.9450	RFQ	1730	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	W25Q32	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-tfbga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
mtfc32gapalgt-ait	-	RFQ	3412	微米技术公司	-	大部分	上次购买	-40°C〜85°C（TA）			mtfc32g	闪存-NAND	-		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC32GAPALGT-AIT		8542.32.0071	1,520		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
CY7C037V-20AXC	-	RFQ	1998	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C037	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	90		易挥发的	576kbit	20 ns	SRAM	32K x 18	平行线	20NS
MX25LW51245GXDI00	7.4700	RFQ	7426	大元	Octabus™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA，CSPBGA		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	24-cspbga（6x8）	-		3（168））		1092-MX25LW51245GXDI00			480	133 MHz	非易失性	512Mbit	5.2 ns	闪光	64m x 8，512m x 1	Spi-八分之一，Dtr	750µs
IS45S32200L-7BLA2	6.3035	RFQ	3933	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS45S32200	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
UCS-ML-1X324RU-GC	230.0000	RFQ	6472	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-UCS-ML-1X324RU-GC	Ear99	8473.30.5100	1
AT28HC64B-90SU-T	7.9800	RFQ	4982	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	AT28HC64	EEPROM	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	1,000		非易失性	64kbit	90 ns	EEPROM	8k x 8	平行线	10ms
CY7C1021B-15ZXIT	-	RFQ	8747	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1021	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	500		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
IS43LR16320C-5BLI	6.8653	RFQ	6545	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR16320C-5BLI			300	200 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	32m x 16	lvcmos	15ns
CY14B101LA-SP45XIT	29.8550	RFQ	2557	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	CY14B101	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	45ns
7016S12J8	-	RFQ	9691	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7016S12	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	250		易挥发的	144kbit	12 ns	SRAM	16k x 9	平行线	12ns
GD55B01GEBIRY	8.4011	RFQ	3284	gigadevice 半导体（香）	GD55B	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载				1970-GD55B01GEBIRY		8542.32.0071	4,800	133 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
CY62137FV30LL-45ZSXIT	5.6500	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62137	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载							54		易挥发的	2Mbit	45 ns	SRAM	128K x 16	平行线	45ns	未行业行业经验证
R1RW0404DGE-2PR ＃B0	-	RFQ	9763	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
S25FS256SAGNFI001	6.0400	RFQ	1	Infineon技术	FS-S	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	S25FS256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	8-wson（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	82	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
MT25TU256HBA8ESF-0SIT TR	-	RFQ	1938年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000
MT53E128M32D2FW-046 AUT：A TR	8.7450	RFQ	8649	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E128M32D2FW-046AUT：ATR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 32	平行线	18NS
CY7C1460SV25-250BZCKB	50.1700	RFQ	105	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-CY7C1460SV25-250BZCKB-428			1
X28HC256JIZ-15	39.4287	RFQ	1360	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	X28HC256	EEPROM	4.5V〜5.5V	32-PLCC （11.43x13.97）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	30		非易失性	256kbit	150 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	5ms
GS81302T18GE-350I	220.9200	RFQ	4549	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	165-LBGA	GS81302T18	sram-四边形端口，同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FPBGA（15x17）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS81302T18GE-350I	3A991B2B	8542.32.0041	10	350 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	8m x 18	平行线	-
L1W08AV-C	41.0000	RFQ	2709	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-L1W08AV-C	Ear99	8473.30.5100	1
7140SA45FB	-	RFQ	4284	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的								-			到达不受影响	800-7140SA45FB	过时的		1
MT53D1G32D4NQ-062 WT ES：d	-	RFQ	5694	微米技术公司	-	大部分	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53D1G32	sdram- lpddr4	1.1V		-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,360	1.6 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
FM25VN05-G	7.8000	RFQ	9	拉姆特隆	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.32.0071	1
S70KL1282DPBHA020	8.2250	RFQ	1750	Infineon技术	HyperRAM™KL	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-vbga		PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B2A	8542.32.0041	3,380	166 MHz	易挥发的	128mbit	36 NS	PSRAM	16m x 8	超肥	36ns
28C64A-35B/XA	16.0000	RFQ	7144	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-	-	28c64a	EEPROM	4.5V〜5.5V	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	1		非易失性	64kbit		EEPROM	8k x 8	平行线	1ms
AS4C128M32MD2A-25BINTR	10.5000	RFQ	4104	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	AS4C128	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-FBGA （10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	400 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²