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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | W957D8MFYA5I TR | 2.7171 | ![]() | 6857 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 24-TBGA | W957D8 | HyperRam | 3v〜3.6V | 24-TFBGA,DDP (6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W957D8MFYA5ITR | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 36 NS | 德拉姆 | 16m x 8 | 超肥 | 35ns | ||
![]() | C-1066D3QRLPR/16G | 51.2500 | ![]() | 3321 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-C-1066D3QRLPR/16G | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MX25L128356ZNI02 | 1.5224 | ![]() | 2310 | 0.00000000 | 大元 | - | 托盘 | 积极的 | - | 3(168)) | 1092-MX25L128356ZNI02 | 570 | |||||||||||||||||||||
![]() | 752370-091-C | 110.0000 | ![]() | 5785 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-752370-091-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S29PL064J55BFI123 | - | ![]() | 3948 | 0.00000000 | Infineon技术 | PL-J | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | S29PL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA(8.15x6.15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 64mbit | 55 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | MT62F1G32D2DS-023 WT ES:C TR | 22.8450 | ![]() | 3297 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WTES:CTR | 2,000 | 3.2 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | - | |||||||||
W25Q64FWZPBQ | - | ![]() | 7810 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | W25Q64 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-wson(6x5) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q64FWZPBQ | 过时的 | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,5ms | |||||
GS81302QT37GE-300I | 220.9200 | ![]() | 1841年 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜100°C(TJ) | 表面安装 | 165-LBGA | GS81302QT37 | sram-四边形端口,同步 | 1.7V〜1.9V | 165-FPBGA(15x17) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2364-GS81302QT37GE-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 300 MHz | 易挥发的 | 144Mbit | SRAM | 4m x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | 91.AD346.034-C | 17.5000 | ![]() | 7290 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-91.AD346.034-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | NDB56PFC-4DIT TR | 2.4448 | ![]() | 5373 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDB5 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA(8x12.5) | - | 1982-NDB56PFC-4Dittr | 2,500 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | SSTL_18 | 15ns | ||||||||
![]() | M30082040054x0isay | 19.3553 | ![]() | 3427 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | M30082040054 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 800-M30082040054X0ISAY | Ear99 | 8542.32.0071 | 150 | 54 MHz | 非易失性 | 8mbit | 内存 | 2m x 4 | - | - | ||||
![]() | W631GG8MB09J TR | - | ![]() | 3872 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W631GG8MB09JTR | 过时的 | 2,000 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | |||
![]() | A3565144-C | 17.5000 | ![]() | 4162 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-A3565144-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021CV33-12 | 1.2400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY7C1021 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-FBGA(7x7) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 12ns | ||||
![]() | CY62137CV30LL-70BVXI | 1.3700 | ![]() | 463 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62137 | sram-异步 | 2.7V〜3.3V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | IS46TR16640BL-125JBLA2-TR | - | ![]() | 7854 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | - | |||
70V7599S133BC | 179.1575 | ![]() | 9082 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 256-LBGA | 70v7599 | sram-双端口,同步 | 3.15V〜3.45V | 256-cabga(17x17) | 下载 | Rohs不合规 | 4 (72小时) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | W29GL128CL9C | - | ![]() | 9678 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-TFBGA | W29GL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-TFBGA(7x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 171 | 非易失性 | 128mbit | 90 ns | 闪光 | 16m x 8,8m x 16 | 平行线 | 90NS | ||||
![]() | MT29F64G08AECABJ1-10Z:a | - | ![]() | 8239 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | 24FC08T-E/SN36KVAO | - | ![]() | 7601 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 24FC08 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | 到达不受影响 | 150-24FC08T-E/SN36KVAOTR | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 1 MHz | 非易失性 | 8kbit | 450 ns | EEPROM | 1k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | CY15B064Q-SXA | 8.5400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,F-RAM™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CY15B064 | fram (铁电 ram) | 2.7V〜3.65V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-CY15B064Q-SXA | Ear99 | 8542.32.0070 | 59 | 20 MHz | 非易失性 | 64kbit | 框架 | 8k x 8 | spi | - | 未行业行业经验证 | ||
![]() | NDS73PBE-20AT TR | 4.2766 | ![]() | 9742 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 1982-NDS73PBE-20 attr | 2,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | IS25LQ512B-JBLE | - | ![]() | 4790 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | IS25LQ512 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1323 | Ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 非易失性 | 512kbit | 闪光 | 64k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 800µs | |||
![]() | 054-51760-51 | - | ![]() | 2457 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | - | Rohs不合规 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 71V3578S150PFGI | 11.9100 | ![]() | 200 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3578 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.8 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||||||
![]() | MT46H256M32R4JV-5 IT:b | - | ![]() | 1512 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 168-VFBGA | MT46H256M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 256m x 32 | 平行线 | 15ns | ||||
CY15B116QSN-108BKXI | 68.3200 | ![]() | 95 | 0.00000000 | Infineon技术 | Excelon™-ULTRA,F-RAM™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | CY15B116 | fram (铁电 ram) | 1.8v〜3.6V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 108 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6.7 ns | 框架 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | ||||
MT53E128M32D2FW-046 wt:a tr | 7.9200 | ![]() | 9758 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 557-MT53E128M32D2FW-046WT:ATR | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | 18NS | ||||||||
S26KS128SDGBHN030 | - | ![]() | 3832 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | HyperFlash™KS | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S26KS128 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 24-fbga(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2832-S26KS128SDGBHN030 | 1 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 96 ns | 闪光 | 16m x 8 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | SMJ64C16S-25JDM | 47.3300 | ![]() | 575 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 |
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