RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT54W1MH18JF-7.5	23.6300	RFQ	2	微米技术公司	QDR™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-同步	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	500 ps	SRAM	1m x 18	HSTL	-
C-32C12864-PC400	17.5000	RFQ	9426	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-32C12864-PC400	Ear99	8473.30.5100	1
W25X40CLDAIG TR	-	RFQ	3113	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	W25x40	闪光	2.3v〜3.6V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	104 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	800µs
S25FL256LDPNFV010	-	RFQ	2297	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL256LDPNFV010			1
71V3556SA133BQG	9.9699	RFQ	6981	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IDT71V67603S133PF	-	RFQ	8177	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V67603	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V67603S133PF	3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT29F4G16ABBDAHC-IT：D Tr	-	RFQ	7337	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-
MT29F256G08AUCDBJ6-6IT：d	-	RFQ	7154	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-LBGA	MT29F256G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	132-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	167 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
IS62WV12816BLL-55B2I	-	RFQ	9201	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV12816	sram-异步	2.5V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS62WV12816BLL-55B2I	过时的		480		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	128K x 16	平行线	55ns
CAT24C128LGI	0.3400	RFQ	1702	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	CAT24C128	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-pdip	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1	1 MHz	非易失性	128kbit	400 ns	EEPROM	16k x 8	i²c	5ms
70T3599S166BC	224.9656	RFQ	2156	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	256-LBGA	70T3599	sram-双端口，同步	2.4v〜2.6V	256-cabga（17x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	6	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.6 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
R1RP0416DSB-2PR ＃S1	4.4187	RFQ	2769	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	-	rohs3符合条件	3（168））		559-R1RP0416DSB-2PR ＃S1TR			1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
IS62WV2568FBLL-45HLI-TR	1.5491	RFQ	8434	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））		sram-异步	2.2v〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS62WV2568FBLL-45HLI-TR			2,000		易挥发的	2Mbit	45 ns	SRAM	256K x 8	平行线	45ns
MB85RC256VPNF-G-JNERE1	4.7200	RFQ	2	Kaga Fei America，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MB85RC256	fram （铁电 ram）	2.7V〜5.5V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500	1 MHz	非易失性	256kbit	550 ns	框架	32K x 8	i²c	-
IS25WP256D-RMLE-TY	4.2121	RFQ	7731	Vishay Vitramon	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WP256D-RMLE-TY			176	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
7005S20PFI8	-	RFQ	8740	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP	7005S20	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	8k x 8	平行线	20NS
S29GL128S10DHB023	7.5600	RFQ	3091	Infineon技术	GL-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,200		非易失性	128mbit	100 ns	闪光	8m x 16	平行线	60ns
CY7C261-45QMB	51.3200	RFQ	301	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）			CY7C261	EPROM -UV	4.5V〜5.5V		下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A001A2C	8542.32.0071	1		非易失性	64kbit	45 ns	EPROM	8k x 8	平行线	-
70261L55PF	-	RFQ	6741	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70261L55	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	45		易挥发的	256kbit	55 ns	SRAM	16k x 16	平行线	55ns
DS28E04S-224-BB+t	-	RFQ	6324	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	DS28E04	EEPROM	-	16-Soic	-	rohs3符合条件		到达不受影响	175-DS28E04S-224-BB+TTR			2,500		非易失性	4Kbit	2 µs	EEPROM	256 x 16	1-Wire®	-
70T659S12BFI	256.1448	RFQ	4814	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	208-LFBGA	70T659	sram-双端口，异步	2.4v〜2.6V	208-cabga（15x15）	下载	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	7		易挥发的	4.5mbit	12 ns	SRAM	128K x 36	平行线	12ns
AS4C64M16MD1-6BIN	-	RFQ	4674	联盟记忆，Inc。	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	AS4C64	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1127	Ear99	8542.32.0032	300	166 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43TR85120AL-107MBL-TR	-	RFQ	6772	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR85120AL-107MBL-TR	Ear99	8542.32.0036	1,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
EM008LXQADG13IS1R	19.0500	RFQ	5008	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-vdfn暴露垫		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	8-DFN（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM008LXQADG13IS1RTR	Ear99	8542.32.0071	2,000	200 MHz	非易失性	8mbit		内存	1m x 8	spi -octal I/o	-
S26KL256SDABHN020	8.2000	RFQ	338	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S26KL256SDABHN020			37
SST26WF016BA-104I/CS	-	RFQ	3617	微芯片技术	SST26SQI®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-ufbga，CSPBGA	SST26WF016	闪光	1.65V〜1.95V	8-CSP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.32.0071	1	104 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	1.5ms
GS8342T36BGD-300I	45.6607	RFQ	4940	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	165-LBGA	GS8342T	sram-四边形端口，同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FPBGA（15x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS8342T36BGD-300I	3A991B2B	8542.32.0041	15	300 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
IS43R32800B-6BL-TR	-	RFQ	3877	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-LFBGA	IS43R32800	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	144-Minibga（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
CAT25020VP2IGT3D	-	RFQ	4722	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	CAT25020	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tdfn （2x3）	-		（1 （无限）	到达不受影响	488-CAT25020VP2IGT3DTR	过时的		3,000		非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	spi	5ms
MT47H128M8SH-187E：m tr	-	RFQ	7565	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	2,000	533 MHz	易挥发的	1Gbit	350 PS	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²