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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	可编程类型	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
AT25320B-XHL-B	0.5400	RFQ	4612	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT25320	EEPROM		1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	AT25320BXHLB	Ear99	8542.32.0051	100	20 MHz		非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	spi	5ms
MX25V8035MI-15G	-	RFQ	4556	大元	MX25XXX35/36 -MXSMIO™	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MX25V8035	闪光灯 -也不		2.25V〜2.75V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	98	66 MHz		非易失性	8mbit		闪光	2m x 4，4m x 2，8m x 1	spi	300µs，6ms
SM662PXA-BDAT	14.6300	RFQ	2344	硅运动，Inc。	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件			1984-SM662PXA-BDAT			1
506933-001-C	17.5000	RFQ	8398	刺	*	零售包	积极的									-	Rohs符合条件			4932-506933-001-C	Ear99	8473.30.5100	1
MT29F4T08EULUEEM4-T：e	85.8150	RFQ	3009	微米技术公司	-	盒子	积极的	0°C〜70°C	表面安装	132-BGA		Flash -nand（tlc）		2.6v〜3.6V	132-LBGA （12x18）	-				557-MT29F4T08EUULUEEM4-T：e			1			非易失性	4Tbit		闪光	512g x 8	平行线	-
71V256SA12PZG8	3.5404	RFQ	9312	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	71v256	sram-异步		3v〜3.6V	28-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,000			易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
MT53E1G32D4NQ-053 wt：e	-	RFQ	8142	微米技术公司	-	盒子	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53E1G32	sdram- lpddr4		1.1V		-					过时的	0000.00.0000	1,360	1.866 GHz		易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
7133SA70GM	-	RFQ	3905	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	68-BPGA		sram-双端口，异步		4.5V〜5.5V	68-PGA （29.46x29.46）	-				800-7133SA70GM			1			易挥发的	32kbit	70 ns	SRAM	2k x 16	平行线	70NS
BR93G46FVT-3GAGE2	0.6400	RFQ	8316	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	BR93G46	EEPROM		1.7V〜5.5V	8-TSSOP-B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	3 MHz		非易失性	1kbit		EEPROM	64 x 16	微线	5ms
AS4C512M16D4-75BCN	12.1600	RFQ	2	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	AS4C512	SDRAM -DDR4		1.14v〜1.26v	96-fbga（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS4C512M16D4-75BCN	Ear99	8542.32.0036	198	1.333 GHz		易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
71V3576S133PFGI8	7.9158	RFQ	2261	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3576	sram-同步，sdr		3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	133 MHz		易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
XCF128XFT64C	-	RFQ	7543	AMD	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	64-TBGA	XCF128		未行业行业经验证	1.7V〜2V	64-ftbga（10x13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B1B1	8542.32.0071	136		在系统可编程中		128MB
IS43TR16256BL-125KBL	7.8500	RFQ	3	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1731	Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz		易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS25WP512M-RMLE	-	RFQ	2882	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪光灯 -也不		1.7V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WP512M-RMLE	过时的		1	133 MHz		非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，2ms
SFEM256GB2ED1TB-A-VG-111-StD	77.8300	RFQ	10	瑞士	EM-30	托盘	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	153-TFBGA		Flash -nand（tlc）		2.7V〜3.6V	153-BGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））					1	200 MHz		非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	EMMC	-
GD25LB128Egrigr	1.4524	RFQ	4069	gigadevice 半导体（香）	GD25LB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）		1.65V〜2V	8-wson（6x8）	下载				1970-GD25LB128EGRTR			3,000	133 MHz		非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
W9825G6KB-6 Tr	3.9447	RFQ	8939	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TC）	表面安装	54-TFBGA	W9825G6	Sdram		3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W9825G6KB-6TR	Ear99		2,500	166 MHz		易挥发的	256Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 16	lvttl	-
W947D6HKB-5J TR	-	RFQ	3676	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买									-		3（168））	到达不受影响	256-W947D6HKB-5JTR			1
SNPTP9W1C/16G-C	55.7500	RFQ	4213	刺	*	零售包	积极的									-	Rohs符合条件			4932-SNPTP9W1C/16G-C	Ear99	8473.30.5100	1
70261L35PFI8	-	RFQ	2319	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70261L35	sram-双端口，异步		4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	750			易挥发的	256kbit	35 ns	SRAM	16k x 16	平行线	35ns
CY7C1386KV33-167AXC	25.5700	RFQ	46	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1386	sram-同步，sdr		3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载							12	167 MHz		易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-	未行业行业经验证
S26361-F4026-E208-C	145.0000	RFQ	1335	刺	*	零售包	积极的									-	Rohs符合条件			4932-S26361-F4026-E208-C	Ear99	8473.30.5100	1
67Y0017-C	62.5000	RFQ	2804	刺	*	零售包	积极的									-	Rohs符合条件			4932-67Y0017-C	Ear99	8473.30.5100	1
R1EX24016ASAS0I＃U0	1.7970	RFQ	5410	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	R1EX24016	EEPROM		1.8V〜5.5V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	400 kHz		非易失性	16kbit	900 ns	EEPROM	2k x 8	i²c	5ms
CY15B108QI-20BFXI	2000年2月23日	RFQ	7964	Infineon技术	*	托盘	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-CY15B108QI-20BFXI			4,900
W25Q16JVZPAQ	-	RFQ	2763	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q16	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q16JVZPAQ			1	133 MHz		非易失性	16mbit	6 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
MT53E4G32D8CY-046 WT：C TR	90.4650	RFQ	6905	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr4		-	-	-				557-MT53E4G32D8CY-046WT：CTR			2,000	2.133 GHz		易挥发的	128Gbit		德拉姆	4G x 32	平行线	-
CY7C1312KV18-250BZCT	34.8075	RFQ	6206	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1312	Sram-同步，QDR II		1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	250 MHz		易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-
MT53E4D1CDE-DC	22.5000	RFQ	6888	微米技术公司	-	大部分	积极的				MT53E4					-			到达不受影响	557-MT53E4D1CDE-DC			1,360
XC440AA-C	17.5000	RFQ	3798	刺	*	零售包	积极的									-	Rohs符合条件			4932-XC440AA-C	Ear99	8473.30.5100	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²