RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT40A1G16KH-062E自动：e tr	24.0300	RFQ	8754	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x13）	下载				557-MT40A1G16KH-062EAUT：ETR			3,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	荚	15ns
IS41LV16105B-50TL	-	RFQ	3897	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS41LV16105	DRAM -FP	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	117		易挥发的	16mbit	25 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
M25P20-VMN6PBA	-	RFQ	7898	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25P20	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	2,000	75 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	15ms，5ms
815098-K21-C	162.0000	RFQ	5579	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-815098-K21-C	Ear99	8473.30.5100	1
GD25LQ64EWAGR	1.6045	RFQ	6739	gigadevice 半导体（香）	GD25LQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-wson（5x6）	-				1970-GD25LQ64EWAGRTR			3,000	133 MHz	非易失性	64mbit	6 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	100µs，4ms
X28C010D-15	118.5800	RFQ	10	Intersil	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	32-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	X28C010	EEPROM	4.5V〜5.5V	32-CDIP	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.32.0051	11		非易失性	1Mbit	150 ns	EEPROM	128K x 8	平行线	10ms
CY7C1423JV18-250BZXC	56.1600	RFQ	3	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1423	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
CY62148EV30LL-45ZSXAT	-	RFQ	4413	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY62148	sram-异步	2.2v〜3.6V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns
AS4C16M16S-6BINTR	-	RFQ	4709	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	AS4C16	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	12ns
GD5F1GQ5	2.3917	RFQ	8991	gigadevice 半导体（香）	GD5F	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		Flash -nand（slc）	1.7V〜2V	8-wson（5x6）	下载				1970-GD5F1GQ5REWIGY			5,700	104 MHz	非易失性	1Gbit	9.5 ns	闪光	256m x 4	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	600µs
MT62F512M128D8TE-031 XT：b tr	68.0400	RFQ	3667	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT62F512M128D8TE-031XT：BTR			2,000
W25M02GWTBIG	-	RFQ	4370	Winbond电子产品	Spiflash®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	W25M02	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25M02GWTBIG	3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	非易失性	2Gbit	8 ns	闪光	256m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
S25FL132K0XMFIQ11	-	RFQ	6430	Nexperia USA Inc.	-	大部分	过时的								-				2156-S25FL132K0XMFIQ11			1
71v416ys12phg	-	RFQ	8832	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416y	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	26		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
CY7C1356A-133AI	14.0800	RFQ	664	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1356	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
24AA64SC-I/W16K	-	RFQ	6799	微芯片技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	24AA64	EEPROM	1.7V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	64kbit	900 ns	EEPROM	8k x 8	i²c	5ms
7006L35J8	-	RFQ	6868	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7006L35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	250		易挥发的	128kbit	35 ns	SRAM	16k x 8	平行线	35ns
MT58L32L32FT-10	6.4500	RFQ	49	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L32L32	sram-同步	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	1	66 MHz	易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
S29CL016J0PQFM030	-	RFQ	9899	Infineon技术	cl-j	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	80-BQFP	S29CL016	闪光灯 -也不	1.65V〜3.6V	80-PQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	66	66 MHz	非易失性	16mbit	54 ns	闪光	512K x 32	平行线	60ns
AS4C64M8D2-25BIN	5.9900	RFQ	21	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	AS4C64	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1129	Ear99	8542.32.0028	264	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
GD25LB512MEYJGR	5.6243	RFQ	8663	gigadevice 半导体（香）	GD25LB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-wson（6x8）	下载				1970-GD25LB512Meyjgrtr			3,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
MTFC128GBCAVTC-AAT ES	60.4800	RFQ	1573年	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MTFC128GBCAVTC-AATE			1
SM662GXE BESS	91.4600	RFQ	5	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-	表面安装	100-LBGA		Flash -nand（tlc）	-	100-BGA （14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM662GXEBESS	3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	-		闪光		EMMC	-
CY7C1360A1-150AJC	7.0600	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1360	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
W631GU8NB-15 TR	2.9626	RFQ	1507	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	W631GU8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V，1.425V〜1.575V	78-VFBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GU8NB-15TR	Ear99	8542.32.0032	2,000	667 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
GS8662D36BGD-400I	194.5700	RFQ	15	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	165-LBGA	GS8662D	sram-四边形端口，同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FPBGA（13x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS8662D36BGD-400I	3A991B2B	8542.32.0041	15	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
A5649221-C	17.5000	RFQ	3425	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A5649221-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY14B104N-BA20XC	-	RFQ	6851	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY14B104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-fbga（6x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	299		非易失性	4Mbit	20 ns	NVSRAM	256K x 16	平行线	20NS
4x70g00093-c	68.7500	RFQ	4024	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-4X70G00093-C	Ear99	8473.30.5100	1
NAND512WA2DZA6E	-	RFQ	2127	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-TFBGA	Nand512	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-NAND512WA2DZA6E	3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	512Mbit	50 ns	闪光	64m x 8	平行线	50ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²