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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CY7C1513V18-200BZC	129.4200	RFQ	141	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1513	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	105	200 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
MT29F4T08EULCEM4-QJ：c tr	121.0800	RFQ	8818	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F4T08EULCEM4-QJ：CTR			2,000
CY7C1009BN-15VI	2.1300	RFQ	2	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C1009	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
MEM-DR480L-HL01-UN24-C	41.0000	RFQ	5349	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-MEM-DR480L-HL01-UN24-C	Ear99	8473.30.5100	1
GD25LF128EQIGR	1.4109	RFQ	5794	gigadevice 半导体（香）	GD25LF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xdfn暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-uson （4x4）	下载				1970-GD25LF128EQIGRTR			3,000	166 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
IS25LP128F-RMLA3-TY	2.8022	RFQ	1179	约翰逊·韦克特里奇公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25LP128F-RMLA3-TY			176	166 MHz	非易失性	128mbit	6.5 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
IS46TR16128B-125KBLA25-Tr	-	RFQ	4762	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜115°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16128B-125KBLA25-TR	Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
JS28F320J3F75A	-	RFQ	8112	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F320J3	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576		非易失性	32Mbit	75 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	75ns
CY7C172A-45DMB	13.7100	RFQ	6440	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）			CY7C172	sram-异步	4.5V〜5.5V		下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	45 ns	SRAM	4K x 4	平行线	45ns
AT24C64B-10TU-2.7	0.8800	RFQ	3134	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT24C64	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	AT24C64B10TU27	Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	64kbit	900 ns	EEPROM	8k x 8	i²c	5ms
MT62F2G64D8EK-023 wt：c tr	90.4650	RFQ	4584	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F2G64D8EK-023WT：CTR			2,000	4.266 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	2G x 64	平行线	-
4ZC7A08744-C	745.0000	RFQ	3247	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-4ZC7A08744-C	Ear99	8473.30.5100	1
7133la15pfi	-	RFQ	8204	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	-				800-7133LA15PFI			1		易挥发的	32kbit	15 ns	SRAM	2k x 16	平行线	15ns
71024S12TYGI8	2.9225	RFQ	1432	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
IS61NLP25672-200B1LI-Tr	-	RFQ	2711	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	209-BGA	IS61NLP25672	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	209-LFBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 72	平行线	-
MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR	4.2442	RFQ	4077	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	MT25QU128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	8-so	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT25QU128ABB1ESE-0AUTTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,500	166 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	1.8ms
AT24C128BW-SH-T	-	RFQ	1826年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT24C128	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,000	1 MHz	非易失性	128kbit	550 ns	EEPROM	16k x 8	i²c	5ms
M3004316045NX0PBCR	10.5203	RFQ	3983	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	484-BGA		MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	484-cabga （23x23）	-	rohs3符合条件			800-M3004316045NX0PBCRTR			1		非易失性	4Mbit	45 ns	内存	256K x 16	平行线	45ns
7025S35JG	-	RFQ	6692	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	7025S35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	-				800-7025S35JG	过时的		1		易挥发的	128kbit	35 ns	SRAM	8k x 16	平行线	35ns
CY7C1387BV25-167BGC	22.9300	RFQ	72	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1387	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
MT48LC8M16A2F4-75：G Tr	-	RFQ	2016	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC8M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT29F2T08EELCHD4-QC：c	41.9550	RFQ	2267	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F2T08EELCHD4-QC：c			1
70V28L15PFGI8	-	RFQ	8733	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v28	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-				800-70V28L15PFGI8TR	过时的		750		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	lvttl	15ns
M36L0R7050T4ZSPE	-	RFQ	3900	微米技术公司	-	托盘	过时的				M36L0R7050				-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,560
93c46-i/j	1.1800	RFQ	5441	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）			93C46	EEPROM	4.5V〜5.5V		下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	64 x 16	微线	2ms
25LC640AT-E/MS	0.9200	RFQ	9	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	25LC640	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	10 MHz	非易失性	64kbit		EEPROM	8k x 8	spi	5ms
MT40A2G8NEA-062E：r tr	21.7650	RFQ	4628	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A2G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT40A2G8NEA-062E：RTR			2,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	13.75 ns	德拉姆	2G x 8	平行线	15ns
M29W800DT70N1	-	RFQ	7726	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W800	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
S26361-F3909-E615-C	93.7500	RFQ	6520	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-S26361-F3909-E615-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1568V18-400BZXC	-	RFQ	4359	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1568	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	5（48）（48））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²