RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
25AA080A-I/WF15K	-	RFQ	6040	微芯片技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	25AA080	EEPROM	1.8V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	10 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	spi	5ms
DS28E02P+	-	RFQ	4026	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	6-SMD，J-Lead		EEPROM	1.75V〜3.65V	6-TSOC	-					Ear99	8542.32.0051	120		非易失性	1kbit	2 µs	EEPROM	256 x 4	1-Wire®	25ms
MD27C64-25/b	71.3600	RFQ	848	Rochester Electronics，LLC	-	大部分	积极的				MD27C				下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0061	1
SM662GBD-BDS	-	RFQ	5045	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	153-TFBGA	SM662	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）	-	153-BGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		1984-SM662GBD-BDSS	3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	320Gbit		闪光	40g x 8	EMMC	-
upd46185182bf1-e40y-eq1-a	42.0700	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1
U6264BS2K07LLG1	-	RFQ	9954	联盟记忆，Inc。	-	管子	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-SOIC （0.330英寸，8.38毫米宽）	U6264	sram-异步	4.5V〜5.5V	28 SOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	25		易挥发的	64kbit	70 ns	SRAM	8k x 8	平行线	70NS
CY7C024E-55AXCT	31.6700	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C024	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件			2832-CY7C024E-55AXCT-TR	Ear99	8542.32.0041	16		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	4K x 16	平行线	55ns
CG10167AA	-	RFQ	7082	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产								-			到达不受影响				1
M36W0R6050U4ZSF TR	-	RFQ	5342	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				M36W0R6050				-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,500
W9825G2JB75I	-	RFQ	8239	Winbond电子产品	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	W9825G2	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W9825G2JB75I	过时的		1	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	lvttl	-
S29GL256S11FHA023	-	RFQ	7800	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，GL-S	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		非易失性	256Mbit	110 ns	闪光	16m x 16	平行线	60ns
IS25LP01G-RILA3	13.1287	RFQ	6371	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-LBGA		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	24-LFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP01G-RILA3			480	133 MHz	非易失性	1Gbit	8 ns	闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
UPD44324362BF5-E40-FQ1	57.0300	RFQ	14	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	UPD44324362	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	4NS
24LC025T-E/MNY	0.5100	RFQ	6392	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	24LC025	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
R1LV0216BSB-5SI ＃S1	3.0700	RFQ	4782	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	R1LV0216	SRAM	2.7V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	128K x 16	平行线	55ns
CY7C1041BNV33L-12VXC	9.2400	RFQ	281	赛普拉斯半导体公司	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1041	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	33		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns	未行业行业经验证
GD25LR128Egrigr	1.8135	RFQ	5749	gigadevice 半导体（香）	GD25LR	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-wson（6x8）	-				1970-GD25LR128EGRTR			3,000	200 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	-
R1LP0108ESA-5SI ＃S0	-	RFQ	3253	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	R1LP0108	SRAM	4.5V〜5.5V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
CY7C1370KV25-167BZC	46.3925	RFQ	8148	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1370	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	167 MHz	易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
AT93C66B-MAHM-E	0.3600	RFQ	5	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	93c66b	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-udfn（2x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	15,000	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8，256 x 16	3线序列	5ms
CY7C1424KV18-250BZCT	-	RFQ	9069	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1424	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
23A512-i/sn	1.9000	RFQ	160	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	23A512	SRAM	1.7V〜2.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	23A512ISN	Ear99	8542.32.0051	100	20 MHz	易挥发的	512kbit		SRAM	64k x 8	Spi -Quad I/O。	-
71V3557S75PFG	8.6800	RFQ	102	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3557	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IDT71V3578S150PF	-	RFQ	2179	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V3578	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71v3578S150pf	3A991B2A	8542.32.0041	72	150 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.8 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
IS42S83200G-6TLI-TR	6.5463	RFQ	6384	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S83200	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	-
MX25U1633FM2I	0.7500	RFQ	19	大元	MXSMIO™	管子	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	MX25U1633	闪光灯 -也不	1.65V〜2V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1092-MX25U1633FM2I	Ear99	8542.32.0071	92	80 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	100µs，4ms
FT24C04A-KDR-B	-	RFQ	6267	Fremont Micro Devices Ltd	-	管子	积极的	-40°C〜85°C	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	FT24C04	EEPROM	1.8V〜5.5V	8点	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	50	1 MHz	非易失性	4Kbit	550 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
AT25DN011-SSHF-T	0.5300	RFQ	25	Adesto Technologies	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT25DN011	闪光	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	104 MHz	非易失性	1Mbit		闪光	128K x 8	spi	8µs，1.75ms
M28W160ECB70ZB6U TR	-	RFQ	3552	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	46-TFBGA	M28W160	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	46-TFBGA（6.39x6.37）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	16mbit	70 ns	闪光	1m x 16	平行线	70NS
MT29F16G08ABACAWP：c	-	RFQ	9239	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²