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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
W25x40clsnig	0.4200	RFQ	409	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	W25x40	闪光	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	800µs
7130SA55L48B	116.7832	RFQ	1242	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	48-LCC	7130SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	48-LCC （14.22x14.22）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0041	34		易挥发的	8kbit	55 ns	SRAM	1k x 8	平行线	55ns
5962-9161703MXA	-	RFQ	6946	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	84-BPGA	5962-9161703	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	84-PGA （27.94x27.94）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-5962-9161703MXA	过时的		3		易挥发的	128kbit	55 ns	SRAM	8k x 16	平行线	55ns
SST26VF016BT-80E/SM70SVAO	-	RFQ	9756	微芯片技术	汽车，AEC-Q100，SST26SQI®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	SST26VF016	闪光	2.3v〜3.6V	8-soij	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-SST26VF016BT-80E/SM70SVAO	Ear99	8542.32.0071	2,100	80 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	1.5ms
IDT71V432S7PFI	-	RFQ	3446	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V432	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71v432s7pfi	3A991B2B	8542.32.0041	72		易挥发的	1Mbit	7 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
S26361-F3843-L514-C	55.0000	RFQ	5328	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-S26361-F3843-L514-C	Ear99	8473.30.5100	1
W66BQ6NBUAFJ	5.1184	RFQ	5617	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	W66BQ6	sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-WFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W66BQ6NBUAFJ	Ear99	8542.32.0036	144	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 16	LVSTL_11	18NS
IS62LV256-70U	-	RFQ	6944	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28 SOP	IS62LV256	sram-异步	3.135V〜3.465V	28 SOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	25		易挥发的	256kbit	70 ns	SRAM	32K x 8	平行线	70NS
7009L20PFI8	-	RFQ	7933	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	7009L20	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	750		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	128K x 8	平行线	20NS
MT29F128G08CFABAWP：b	-	RFQ	9973	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
49Y1407-C	35.0000	RFQ	8951	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-49Y1407-C	Ear99	8473.30.5100	1
879527-091-C	187.5000	RFQ	1879年	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-879527-091-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS29GL128-70FLEB-TR	4.5047	RFQ	3464	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA		闪存-SLC）	3v〜3.6V	64-LFBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS29GL128-70FLEB-TR			2,000		非易失性	128mbit	70 ns	闪光	16m x 8	CFI	70ns，200µs
MX29GL512GHXFI-10Q	7.3590	RFQ	8342	大元	MX29GL	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA，CSPBGA		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	64-LFBGA，CSP （11x13）	-		3（168））		1092-MX29GL512GHXFI-10Q			144		非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	CFI	100ns
7007L25PFG	-	RFQ	6165	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	80-LQFP	7007L25	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	80-TQFP（14x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	800-7007L25PFG			45		易挥发的	256kbit	25 ns	SRAM	32K x 8	平行线	25ns
7006S20PFG	-	RFQ	8239	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	7006S20	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	-				800-7006S20PFG	过时的		1		易挥发的	128kbit	20 ns	SRAM	16k x 8	平行线	20NS
BR24H32FVT-5ACE2	0.8300	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	BR24H32	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-TSSOP-B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	1 MHz	非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	i²c	3.5ms
MT40A4G4NRE-083E：b tr	-	RFQ	7097	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A4G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（8x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.2 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	4G x 4	平行线	-
SST39VF200A-70-4I-M1QE	-	RFQ	3557	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-WFBGA	SST39VF200	闪光	2.7V〜3.6V	48-WFBGA（6x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	740		非易失性	2Mbit	70 ns	闪光	128K x 16	平行线	20µs
S25FL128SAGBHI310	3.5294	RFQ	9530	Infineon技术	fl-s	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-BGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	676	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	-
MT29F2T08ELLEEG7-QD：e tr	52.9800	RFQ	1704年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F2T08ELLEEG7-QD：ETR			2,000
W959D8NFYA5I	5.1500	RFQ	303	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	24-TBGA	W959d8	HyperRam	1.7V〜2V	24-TFBGA，DDP （6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	480	200 MHz	易挥发的	512Mbit	35 ns	德拉姆	64m x 8	超肥	35ns
MT57W1MH18BF-7.5	23.0000	RFQ	1	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	500 ps	SRAM	1m x 18	HSTL	-
5962-8976403MYA	-	RFQ	6455	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	48-LCC	5962-8976403	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	48-LCC （14.22x14.22）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-5962-8976403MYA	过时的		34		易挥发的	32kbit	55 ns	SRAM	4K x 8	平行线	55ns
W25N512GVEIR	2.1715	RFQ	2821	Winbond电子产品	Spiflash®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25N512	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25N512GVEIR	3A991B1A	8542.32.0071	480	166 MHz	非易失性	512Mbit	6 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
7053841-C	170.0000	RFQ	1329	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-7053841-C	Ear99	8473.30.5100	1
70121S55JG	-	RFQ	5720	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	-				800-70121S55JG			1		易挥发的	18kbit	55 ns	SRAM	2k x 9	平行线	55ns
043641wlad-7	47.6400	RFQ	69	IBM	-	大部分	积极的		表面安装	119-BBGA			3.3V	119-BGA（（17x7）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1			4Mbit		SRAM	256K x 18	HSTL
CY7C1370D-250AXC	-	RFQ	9509	赛普拉斯半导体公司	NOBL™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1370	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-	未行业行业经验证
S25FL129P0XMFI000	-	RFQ	6900	Nexperia USA Inc.	-	大部分	过时的								-				2156-S25FL129P0XMFI000			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²