RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
24AA025E48T-E/OT	0.4300	RFQ	9413	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SOT-23-6	24AA025E48	EEPROM	1.7V〜5.5V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
24LC044T-E/MS	-	RFQ	3065	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	24LC044	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 8 x 2	i²c	-
24LC044T-E/MUY	-	RFQ	7202	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	24LC044	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-udfn（2x3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	1 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 8 x 2	i²c	-
24LC044T-I/MS	-	RFQ	7255	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	24LC044	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 8 x 2	i²c	-
24LC044T-I/SN	-	RFQ	5246	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24LC044	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	1 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 8 x 2	i²c	-
25LC080AT-H/SN	1.0800	RFQ	5207	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	25LC080	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A001A2A	8542.32.0051	3,300	10 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	spi	5ms
DS28E05GB+t	1.2700	RFQ	9047	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	2-XDFN	DS28E05	EEPROM	3v〜3.6V	2-sfn（3.5x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500		非易失性	896位	2 µs	EEPROM	112 x 8	1-Wire®	-
CAV25M01YE-GT3	5.3600	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAV24M01	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	10 MHz	非易失性	1Mbit		EEPROM	128K x 8	spi	5ms
LE2464CXATBG	0.4600	RFQ	67	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	6-XFBGA，WLCSP	LE2464	EEPROM	1.7v〜3.6V	6-WLCSP（1.2x0.80）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	64kbit	900 ns	EEPROM	8k x 8	i²c	5ms
LE24L042CS-LV-TFM-E	-	RFQ	9884	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	4-XFBGA，WLBGA	LE24L	EEPROM	1.7v〜3.6V	4-WLP（0.79x1.06）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	10ms
LE24LA162CB-TE-FH	-	RFQ	5268	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	-	LE24L	EEPROM	1.7v〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	i²c	-
LE24LA322CSTL2-TFM-E	-	RFQ	4345	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	-	-	LE24L	EEPROM	1.7v〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	5,000	400 kHz	非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	i²c	-
LE24LB642CSTL-TFM-H	-	RFQ	5265	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	-	-	LE24L	EEPROM	1.7v〜3.6V	-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	64kbit		EEPROM	8k x 8	i²c	-
LE25LB2562CT-TE-FH	-	RFQ	1260	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				LE25L				-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000
IS61LPS102418B-200TQLI	17.2425	RFQ	4475	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS61LPS204818B-200B3L	89.7750	RFQ	2839	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LPS204818	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	36mbit	3.1 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS61VPS102436B-250B3L	94.1664	RFQ	1583年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPS102436	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	易挥发的	36mbit	2.8 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS61VPS204836B-250B3LI-Tr	123.9000	RFQ	7727	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPS204836	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	易挥发的	72Mbit	2.8 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
IS61VVF409618B-7.5TQL-Tr	125.3000	RFQ	3230	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61VVF409618	sram-同步，sdr	1.71V〜1.89V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	72Mbit	7.5 ns	SRAM	4m x 18	平行线	-
IS61VVPS204818B-166B3LI	139.9172	RFQ	1135	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VVPS204818	sram-同步，sdr	1.71V〜1.89V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	166 MHz	易挥发的	36mbit	3.8 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR	3.0281	RFQ	8859	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV25616	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS62WV102416EBLL-55BLI	8.4950	RFQ	2364	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	IS62WV102416	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	16mbit	55 ns	SRAM	1m x 16	平行线	55ns
IS62WV20488EBLL-55BLI	-	RFQ	3791	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV20488	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	16mbit	55 ns	SRAM	2m x 8	平行线	55ns
IS61WV102416ALL-20mi-Tr	-	RFQ	8840	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV102416	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-Minibga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	16mbit	20 ns	SRAM	1m x 16	平行线	20NS
IS43TR85120AL-125KBLI-TR	-	RFQ	2630	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
MB85RC64PNF-G-JNERE1	1.5749	RFQ	1595年	Kaga Fei America，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MB85RC64	fram （铁电 ram）	2.7V〜3.6V	8-sop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500	400 kHz	非易失性	64kbit	900 ns	框架	8k x 8	i²c	-
RMLV0416EGBG-4S2 ＃KC0	4.2900	RFQ	7168	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	RMLV0416	SRAM	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（7.5x8.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT TR	-	RFQ	4943	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-WFBGA	MT29C4G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-WFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	208 MHz	非易失性，挥发性	4Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MX30LF4G28AB-XKI	-	RFQ	5540	大元	MX30LF	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MX30LF4	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1092-1158	3A991B1A	8542.32.0071	220		非易失性	4Gbit	20 ns	闪光	512m x 8	平行线	20NS
MX30UF4G28AB-TI	6.6900	RFQ	4001	大元	MX30UF	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MX30UF4	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1092-1160	3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	4Gbit	25 ns	闪光	512m x 8	平行线	25ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²