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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CY7C025-25AC	18.2700	RFQ	251	赛普拉斯半导体公司	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C025	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.32.0041	17		易挥发的	128kbit	25 ns	SRAM	8k x 16	平行线	25ns	未行业行业经验证
IS25LP064-JMLE	-	RFQ	6462	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IS25LP064	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1340	3A991B1A	8542.32.0071	44	133 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	800µs
CY7C024-15JXCT	-	RFQ	5350	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	CY7C024	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	250		易挥发的	64kbit	15 ns	SRAM	4K x 16	平行线	15ns
8403609LA	-	RFQ	3787	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	24-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	840360	sram-同步	4.5V〜5.5V	24-CDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-8403609LA	过时的		15		易挥发的	16kbit	45 ns	SRAM	2k x 8	平行线	45ns
CY62157G30-45ZSXI	21.2900	RFQ	120	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62157	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	512k x 16	平行线	45ns
CG8773AF	-	RFQ	1786年	Infineon技术	-	管子	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的		485
CY62136FV30LL-45BVXIT	4.0425	RFQ	4057	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY62136	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	2Mbit	45 ns	SRAM	128K x 16	平行线	45ns
CAT24C02WI-GT3A	-	RFQ	3149	催化剂半导体公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT24C02	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
JS28F256M29EBHB TR	-	RFQ	3106	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F256M29	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000		非易失性	256Mbit	110 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	110NS
CY7C1250V18-333BZC	76.2700	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1250	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	4	333 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
CY7C1420LV18-250BZXC	44.8200	RFQ	53	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1420	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-							7	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
CY7C1019CV33-10ZXI	-	RFQ	5958	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY7C1019	sram-异步	3v〜3.6V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	234		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
gd5f4gm8reyigr	5.9085	RFQ	2453	gigadevice 半导体（香）	GD5F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		Flash -nand（slc）	1.7V〜2V	8-wson（6x8）	下载				1970-GD5F4GM8REYIGRTR			3,000	104 MHz	非易失性	4Gbit	9 ns	闪光	512m x 8	Spi -Quad I/O，Dtr	600µs
S25FL512SAGBHMC13	12.9500	RFQ	6107	Infineon技术	fl-s	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	-
UPD44325362BF5-E40-FQ1	57.0300	RFQ	60	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-FBGA	UPD44325362	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	4NS
MT29F512G08EBHBFJ4-T：b tr	-	RFQ	5259	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F512G08	Flash -nand（tlc）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-		3（168））	到达不受影响	557-MT29F512G08EBHBFJ4-T：BTR	过时的	8542.32.0071	2,000		非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
CY7C1361S-133AXCT	-	RFQ	6380	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1361	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750	133 MHz	易挥发的	9Mbit	6.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MX25V1006FZUI	0.4000	RFQ	17	大元	MX25XXX05/06/08	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	MX25V1006	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-uson（2x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	12,000	80 MHz	非易失性	1Mbit		闪光	128K x 8	spi-双i/o	50µs，10ms
MT29F4G16ABADAWP：d	-	RFQ	5083	微米技术公司	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-
STK22C48-NF25I	-	RFQ	7125	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	STK22C48	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	27		非易失性	16kbit	25 ns	NVSRAM	2k x 8	平行线	25ns
CY7C199CNL-15VXC	-	RFQ	5803	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C199	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,350		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
664696-001-C	106.2500	RFQ	5183	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-664696-001-C	Ear99	8473.30.5100	1
H5AN4G8NBJR-XNC	-	RFQ	7156	Netlist Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	Rohs符合条件	3（168））	到达受影响	2655-H5AN4G8NBJR-XNCTR	Ear99	8542.32.0036	1	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	-
MT62F1G32D2DS-023 AUT：b tr	36.7350	RFQ	8387	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-023AUT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
S29GL01GT12TFN010	-	RFQ	6161	赛普拉斯半导体公司	GL-T	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载							1		非易失性	1Gbit	120 ns	闪光	128m x 8	平行线	60ns	未行业行业经验证
CAT93C86V-TE13	0.2500	RFQ	2	Onmi	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT93C86	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-CAT93C86V-TE13-488	Ear99	8542.32.0071	1	3 MHz	非易失性	16kbit	100 ns	EEPROM	1k x 16，2k x 8	微线	-
mtfc64gapalgt-aat	-	RFQ	2879	微米技术公司	-	大部分	上次购买	-40°C〜105°C（TA）			MTFC64	闪存-NAND	-		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-mtfc64gapalgt-aat		8542.32.0071	1,520		非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	MMC	-
IDT71T016SA15PHG8	-	RFQ	5355	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IDT71T016	sram-异步	2.375V〜2.625V	44-TSOP II	下载		3（168））	到达不受影响	71T016SA15PHG8	3A991B2B	8542.32.0041	1,500		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
CY7C1308SV25C-167BZXC	-	RFQ	2405	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1308	Sram-同步，Ddr	2.4v〜2.6V	165-FBGA（13x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-CY7C1308SV25C-167BZXC	3A991B2A	8542.32.0041	136	167 MHz	易挥发的	9Mbit		SRAM	256K x 36	平行线	-
W25M02GVSFJT	-	RFQ	5407	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25M02	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25M02GVSFJT	过时的		44	104 MHz	非易失性	2Gbit	7 ns	闪光	256m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²