SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
P19043-K21-C ProLabs P19043-K21-C 230.0000
RFQ
ECAD 4770 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-P19043-K21-C Ear99 8473.30.5100 1
MTFC32GAZAQHD-IT TR Micron Technology Inc. mtfc32gazaqhd-it tr 15.7800
RFQ
ECAD 1150 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA mtfc32g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-VFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFC32GAZAQHD-ITTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 EMMC -
MTFC64GASAONS-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc64gasaons-ait tr 37.6950
RFQ
ECAD 7973 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q104 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 153-TFBGA Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 153-TFBGA(11.5x13) - 557-MTFC64GASAONS-AITTR 2,000 52 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 UFS2.1 -
CY7C263-30WC Cypress Semiconductor Corp CY7C263-30WC -
RFQ
ECAD 8561 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) CY7C263 EPROM -UV 4.5V〜5.5V 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.32.0061 1 非易失性 64kbit 30 ns EPROM 8k x 8 平行线 -
S70GL02GP11FAIR10 Cypress Semiconductor Corp S70GL02GP11FAIR10 24.4700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 gl-p 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA S70GL02 闪光灯 -也不 3v〜3.6V 64-FBGA(11x13) 下载 rohs3符合条件 2832-S70GL02GP11FAIR10 3A991B1A 8542.32.0071 21 非易失性 2Gbit 110 ns 闪光 256m x 8,128m x 16 平行线 -
CY7C12501KV 18-400BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C12501KV 18-400BZXC 53.3300
RFQ
ECAD 136 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA CY7C12501 sram-同步,DDR II+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 400 MHz 易挥发的 36mbit SRAM 1m x 36 平行线 -
CAT93C66XI Catalyst Semiconductor Inc. CAT93C66XI -
RFQ
ECAD 2701 0.00000000 催化剂半导体公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) CAT93C66 EEPROM 1.8V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.32.0051 94 2 MHz 非易失性 4Kbit EEPROM 512 x 8,256 x 16 微线 -
S29GL256P10FFI012 Cypress Semiconductor Corp S29GL256P10FFI012 6.6000
RFQ
ECAD 2886 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 gl-p 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA S29GL256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-FBGA(13x11) 下载 rohs3符合条件 2832-S29GL256P10FFI012-Tr 49 非易失性 256Mbit 100 ns 闪光 32m x 8 平行线 100ns 未行业行业经验证
MT40A2G4Z11BWC1 Micron Technology Inc. MT40A2G4Z11BWC1 9.0100
RFQ
ECAD 5397 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT40A2G4Z11BWC1 1
CY7C1049DV33-10VXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1049DV33-10VXI 13.3400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) CY7C1049 sram-异步 3v〜3.6V 36-SOJ 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 38 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 512k x 8 平行线 10NS
N0H88AA-C ProLabs N0H88AA-C 195.0000
RFQ
ECAD 9000 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-N0H88AA-C Ear99 8473.30.5100 1
IS61NVF25672-6.5B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-6.5B1I -
RFQ
ECAD 3918 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 209-BGA IS61NVF25672 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 209-LFBGA(14x22) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 84 133 MHz 易挥发的 18mbit 6.5 ns SRAM 256K x 72 平行线 -
GD25Q80ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ETEGR 0.4525
RFQ
ECAD 2591 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q80ETEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs,4ms
CG10081AFT Infineon Technologies CG10081AFT 3.5785
RFQ
ECAD 1232 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 1,000
CG8896AA Infineon Technologies CG8896AA -
RFQ
ECAD 9500 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 在sic中停产 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1
CY7C1049G18-15ZSXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1049G18-15ZSXI -
RFQ
ECAD 2684 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) CY7C1049 sram-异步 1.65V〜2.2V 44-TSOP II 下载 1 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 512k x 8 平行线 15ns 未行业行业经验证
S29GL064S80DHIV10 Nexperia USA Inc. S29GL064S80DHIV10 2.8900
RFQ
ECAD 260 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 大部分 积极的 - 2156-S29GL064S80DHIV10 104
CY7C187-25VCT Cypress Semiconductor Corp CY7C187-25VCT 1.7100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 24-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) CY7C187 sram-异步 4.5V〜5.5V 24-SOJ 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.32.0041 1,000 易挥发的 64kbit 25 ns SRAM 64k x 1 平行线 25ns
GD5F2GQ5UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIGY 3.9235
RFQ
ECAD 6089 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD5F2GQ5UEYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
MEM-CF-256U2GB-C ProLabs MEM-CF-256U2GB-C 70.0000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-MEM-CF-256U2GB-C Ear99 8473.30.9100 1
70V9279S9PRFI Renesas Electronics America Inc 70v9279s9prfi -
RFQ
ECAD 7338 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 128-LQFP 70v9279 sram-双端口,同步 3v〜3.6V 128-TQFP(14x20) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 6 易挥发的 512kbit 9 ns SRAM 32k x 16 平行线 -
MT44K16M36RB-107E IT:B TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107E IT:b tr -
RFQ
ECAD 1182 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 168-TBGA MT44K16M36 德拉姆 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,000 933 MHz 易挥发的 576Mbit 8 ns 德拉姆 16m x 36 平行线 -
71V3556SA133BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556SA133BG 10.1900
RFQ
ECAD 527 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71v3556 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
S25FS512SDSMFB013 Infineon Technologies S25FS512SDSMFB013 10.5875
RFQ
ECAD 3411 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100,FS-S 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) S25FS512 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 80 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
CAT25C64V onsemi CAT25C64V -
RFQ
ECAD 2841 0.00000000 Onmi * 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) CAT25C64 EEPROM 2.5V〜6V 8-SOIC - Rohs不合规 供应商不确定 2156-CAT25C64V-488 Ear99 8542.32.0071 1 5 MHz 非易失性 64kbit 100 ns EEPROM 8k x 8 spi 5ms
MT53E1536M64D8HJ-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 WT:b tr 69.2400
RFQ
ECAD 6178 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 556-TFBGA sdram- lpddr4 - 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT:BTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 96Gbit 德拉姆 1.5MX 64 - -
IS64LF12836EC-7.5B3LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF12836EC-7.5B3LA3 11.4523
RFQ
ECAD 6890 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS64LF12836 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 易挥发的 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
CY7C1041DV33-10BVXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1041DV33-10BVXI 11.9400
RFQ
ECAD 22 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-VFBGA CY7C1041 sram-异步 3v〜3.6V 48-VFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 2832-CY7C1041DV33-10BVXI 45 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS 未行业行业经验证
71016S20YG Renesas Electronics America Inc 71016S20YG -
RFQ
ECAD 1528年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71016 sram-异步 4.5V〜5.5V 44-SOJ 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 16 易挥发的 1Mbit 20 ns SRAM 64k x 16 平行线 20NS
AS7C32098A-20TCN Alliance Memory, Inc. AS7C32098A-20TCN 5.0129
RFQ
ECAD 7248 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) AS7C32098 sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 2Mbit 20 ns SRAM 128K x 16 平行线 20NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库