内存(70500)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页	SIC
CY15B108QSN-108BKXIT	32.2259	询价	4003	英飞凌科技	Excelon™-Ultra、F-RAM™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	24-TBGA		FRAM（铁电RAM）	1.8V～3.6V	24-FBGA (6x8)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行				2,000	108兆赫	非活跃性	8兆比特	6.7纳秒	铁电存储器	1M×8	SPI - 四路I/O、QPI	-
N24C08UDTG	0.2700	询价	219	onsemi	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-N24C08UDTG-488			1
GVT71256G18T-5T	-	询价	5902	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP		SRAM - 单端口、异步、标准	3.135V～3.6V	100-TQFP (14x20)	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-GVT71256G18T-5T-428			1	133兆赫	易挥发的	4.5兆比特	4纳秒	静态随机存储器	256K×18	平行线	-
W25N02KWTBIU TR	4.1753	询价	3687	华邦电子	SpiFlash®	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	24-TBGA		附件 - NAND (SLC)	1.7V～1.95V	24-TFBGA (8x6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		256-W25N02KWTBIUTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	104兆赫	非活跃性	2Gbit	8纳秒	闪光	256M×8	SPI——四路I/O	700微秒
CY7C199C-20ZI	-	询价	1600	赛普拉斯半导体公司	-	包	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	28-TSSOP（0.465英寸，11.80毫米宽）	CY7C199	SRAM - 异步	4.5V~5.5V	28-TSOP I	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.32.0041	234		易挥发的	256Kbit	20纳秒	静态随机存储器	32K×8	平行线	20纳秒	未验证
C-2666D4SR8N/8G	54.5000	询价	9271	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-C-2666D4SR8N/8G	EAR99	8473.30.5100	1
MT62F2G32D4DS-023 IT:B	50.2800	询价	5505	美光科技公司	-	盒子	的积极	-	表面贴装	200-WFBGA		SDRAM - 移动 LPDDR5	1.05V	200-WFBGA (10x14.5)	-				557-MT62F2G32D4DS-023IT:B			1	4.266GHz	易挥发的	64Gbit		动态随机存取存储器	2G×32	平行线	-
881901-B21-C	615.0000	询价	5216	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-881901-B21-C	EAR99	8473.30.5100	1
W25N02JWZEIC	5.1852	询价	2972	华邦电子	SpiFlash®	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	W25N02	附件 - NAND (SLC)	1.7V～1.95V	8-WSON (8x6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	256-W25N02JWZEIC	3A991B1A	8542.32.0071	第480章	166兆赫	非活跃性	2Gbit	8纳秒	闪光	256M×8	SPI——四路I/O、DTR	700微秒
IS49NLC96400A-18WBL	52.0065	询价	8723	ISSI，集成硅解决方案公司	-	大部分	的积极	0℃～95℃（温控）	表面贴装	144-TFBGA		RLDRAM 2	1.7V~1.9V	144-TWBGA (11x18.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	706-IS49NLC96400A-18WBL			104	533兆赫	易挥发的	576兆比特	15纳秒	动态随机存取存储器	64米×9	HSTL	-
SST39VF1602C-70-4I-B3KE	1.9350	询价	5836	微芯片	SST39 MPF™	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-TFBGA	SST39VF1602	闪光	2.7V~3.6V	48-TFBGA	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	第480章		非活跃性	16兆比特	70纳秒	闪光	1M×16	平行线	10微秒
7005S35JG8	-	询价	8708	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	68-LCC（J导联）	7005S35	SRAM - 双端口，异步	4.5V~5.5V	68-PLCC (24.21x24.21)	-				800-7005S35JG8TR	过时的		250		易挥发的	64Kbit	35纳秒	静态随机存储器	8K×8	平行线	35纳秒
MT53D4DAKA-DC TR	-	询价	1203	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	SIC停产		-	-	MT53D4	SDRAM - 移动 LPDDR4		-	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行			0000.00.0000	2,000		易挥发的			动态随机存取存储器
CY62158GE30-45BVXI	15.4000	询价	1801	英飞凌科技	MoBL®	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-VFBGA	CY62158	SRAM - 异步	2.2V～3.6V	48-VFBGA (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	第480章		易挥发的	8兆比特	45纳秒	静态随机存储器	1M×8	平行线	45纳秒
UPD44645184AF5-E50-FQ1	71.5600	询价	11	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		3A991B2A	8542.32.0041	1
CY62146ESL-45ZSXIT	11.1800	询价	25	赛普拉斯半导体公司	MoBL®	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY62146	SRAM - 异步	2.2V～3.6V、4.5V～5.5V	44-TSOP II	下载	不符合 RoHS 指令	不适用	供应商未定义	2832-CY62146ESL-45ZSXITTR	3A991B2A	8542.32.0040	45		易挥发的	4兆比特	45纳秒	静态随机存储器	256K×16	平行线	45纳秒	未验证
CAT24C128HU3I-GT3	-	询价	1024	催化剂半导体公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-UFDFN 裸露焊盘	CAT24C128	EEPROM	1.8V～5.5V	8-UDFN (2x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.32.0051	3,000	1兆赫	非活跃性	128Kbit	400纳秒	EEPROM	16K×8	I²C	5毫秒
CAT93C46BWI-GT3	-	询价	6348	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	CAT93C46B	EEPROM	1.8V～5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	3,000	4兆赫	非活跃性	1Kbit		EEPROM	128×8、64×16	微丝	5毫秒
SM671PXC-ADSS	-	询价	6968	慧荣科技	铁-UFS™	托盘	过时的	-25℃～85℃	表面贴装	153-TFBGA	SM671	边框 - NAND (SLC)、边框 - NAND (TLC)	-	153-BGA (11.5x13)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）		1984-SM671PXC-ADSS	过时的		1		非活跃性	160Gbit		闪光	20G×8	UFS2.1	-
STK14D88-NF45ITR	-	询价	2990	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	32-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	STK14D88	NVSRAM（非易失性SRAM）	2.7V~3.6V	32-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0041	1,000		非活跃性	256Kbit	45纳秒	非静态随机仓库	32K×8	平行线	45纳秒
W631GG6MB11J TR	-	询价	4766	华邦电子	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-40℃～105℃（温控）	表面贴装	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM-DDR3	1.425V～1.575V	96-VFBGA (7.5x13)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	256-W631GG6MB11JTR			3,000	933兆赫	易挥发的	1Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	64米×16	SSTL_15	15纳秒
IS25LP01GG-RHLE	13.1000	询价	7587	ISSI，集成硅解决方案公司	*	托盘	的积极								-	符合ROHS3标准	3（168小时）		706-IS25LP01GG-RHLE			第480章
FM25V05-PGC	-	询价	3633	英飞凌科技	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		FRAM（铁电RAM）	2V～3.6V	8-SOIC	-					过时的		1	40兆赫	非活跃性	512Kbit	9纳秒	铁电存储器	64K×8	SPI	-
CY7C1474V25-167BGC	-	询价	6164	英飞凌科技	诺BL™	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	209-BGA	CY7C1474	SRAM-同步、SDR	2.375V～2.625V	209-FBGA (14x22)	-	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	84	167兆赫	易挥发的	72兆比特	3.4纳秒	静态随机存储器	1M×72	平行线	-
MT35XU256ABA2G12-0AAT TR	-	询价	9426	美光科技公司	Xccela™ - MT35X	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～105℃	表面贴装	24-TBGA	MT35XU256	或-NOR	1.7V～2V	24-T-PBGA (6x8)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0071	2,500人	200兆赫	非活跃性	256兆比特		闪光	32M×8	埃克塞拉巴士	-
IS46LD32128B-18BPLA2-TR	-	询价	7850	ISSI，集成硅解决方案公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～105℃（温控）	表面贴装	168-VFBGA	IS46LD32128	SDRAM - 移动 LPDDR2-S4	1.14V～1.3V、1.7V～1.95V	168-VFBGA (12x12)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	706-IS46LD32128B-18BPLA2-TR	EAR99	8542.32.0036	1	533兆赫	易挥发的	4G比特	5.5纳秒	动态随机存取存储器	128米×32	HSUL_12	15纳秒
A3721482-C	35.0000	询价	4092	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-A3721482-C	EAR99	8473.30.5100	1
P03051-C91-C	210.0000	询价	第1741章	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-P03051-C91-C	EAR99	8473.30.5100	1
MT40A1G8AG-062E 自动：R TR	-	询价	7620	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极								-			REACH 不出行	557-MT40A1G8AG-062EAUT：RTR			1
CAT28C65BJ-90T	-	询价	1785	催化剂半导体公司	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-CAT28C65BJ-90T-736			1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

内存(70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²