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CY62138FV30LL-45ZSXI	-	RFQ	4052	Infineon技术	MOBL®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62138	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	117		易挥发的	2Mbit	45 ns	SRAM	256K x 8	平行线	45ns
CY62138FV30LL-45ZSXIT	-	RFQ	5119	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62138	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	2Mbit	45 ns	SRAM	256K x 8	平行线	45ns
CY62256VNLL-70ZXA	-	RFQ	2771	Infineon技术	MOBL®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	CY62256	sram-异步	2.7V〜3.6V	28-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	234		易挥发的	256kbit	70 ns	SRAM	32K x 8	平行线	70NS
CY6264-55SNXI	-	RFQ	4589	Infineon技术	MOBL®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	CY6264	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	270		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	8k x 8	平行线	55ns
CY6264-70SNXAT	-	RFQ	6570	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	CY6264	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	64kbit	70 ns	SRAM	8k x 8	平行线	70NS
CY7C1021DV33-10VXIT	3.4300	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1021	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	500		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
CY7C1021DV33-10ZSXIT	3.4300	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1021	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
M29DW323DB90N6	-	RFQ	5975	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29DW323	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	8542.32.0071	96		非易失性	32Mbit	90 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	90NS
SST39LF200A-55-4C-B3KE-T	1.8450	RFQ	1127	微芯片技术	SST39 MPF™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	SST39LF200	闪光	3v〜3.6V	48-TFBGA	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	2Mbit	55 ns	闪光	128K x 16	平行线	20µs
SST39VF200A-70-4I-M1QE	-	RFQ	3557	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-WFBGA	SST39VF200	闪光	2.7V〜3.6V	48-WFBGA（6x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	740		非易失性	2Mbit	70 ns	闪光	128K x 16	平行线	20µs
SST39WF1602-70-4I-MAQE	2.9700	RFQ	8039	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-WFBGA	SST39WF1602	闪光	1.65V〜1.95V	48-WFBGA（6x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SST39WF1602704IMAQE	Ear99	8542.32.0051	740		非易失性	16mbit	70 ns	闪光	1m x 16	平行线	40µs
SST39WF800B-70-4C-EKE	-	RFQ	3565	微芯片技术	SST39 MPF™	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	SST39WF800	闪光	1.65V〜1.95V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	512k x 16	平行线	40µs
SST39VF1602-70-4I-EKE-T	3.2250	RFQ	9191	微芯片技术	SST39 MPF™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	SST39VF1602	闪光	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	16mbit	70 ns	闪光	1m x 16	平行线	10µs
SST39LF200A-45-4C-EKE-T	-	RFQ	6384	微芯片技术	SST39 MPF™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	SST39LF200A	闪光	3v〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	2Mbit	45 ns	闪光	128K x 16	平行线	20µs
SST39WF1601-90-4C-B3KE-T	-	RFQ	1847年	微芯片技术	SST39 MPF™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	SST39WF1601	闪光	1.65V〜1.95V	48-TFBGA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	16mbit	90 ns	闪光	1m x 16	平行线	40µs
CY7C12681KV18-400BZC	-	RFQ	1015	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C12681	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	400 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-
CY7C1512KV18-333BZC	-	RFQ	1484	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1512	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	333 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C1512KV18-350BZC	-	RFQ	4316	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1512	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	350 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C1514KV18-300BZC	-	RFQ	2232	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1514	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	300 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C1545KV18-450BZC	-	RFQ	7116	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1545	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	450 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C15632KV18-500BZC	-	RFQ	8027	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C15632	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	500 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C2563KV18-450BZC	-	RFQ	6684	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2563	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	450 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C2568KV18-500BZC	-	RFQ	4311	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2568	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	500 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
MT47H32M16HR-25E：G。	-	RFQ	6255	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H32M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
BR24G01NUX-3TTR	0.2400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	BR24G01	EEPROM	1.6V〜5.5V	VSON008X2030	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	1 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
BR24S16FVT-WE2	0.4702	RFQ	4685	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	BR24S16	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-TSSOP-B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	i²c	5ms
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BR24G08FVT-3GAGE2	0.2700	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	BR24G08	EEPROM	1.6V〜5.5V	8-TSSOP-B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	1 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	i²c	5ms
BR93G86FVJ-3GTE2	0.2628	RFQ	9790	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	BR93G86	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-TSSOP-BJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8，1k x 16	微线	5ms
BR24G16FVJ-3AGTE2	0.3800	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	BR24G16	EEPROM	1.6V〜5.5V	8-TSSOP-BJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	i²c	5ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²