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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CY7C1461AV33-133AXC | - | ![]() | 3925 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1461 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 6.5 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | MT49H16M18FM-25 IT:b | - | ![]() | 2830 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H16M18 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-µBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 16m x 18 | 平行线 | - | |||
IS66WV25616BLL-55TLI | - | ![]() | 9585 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS66WV25616 | PSRAM (伪 SRAM) | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | PSRAM | 256K x 16 | 平行线 | 55ns | |||||
![]() | CY7C1393BV18-250BZI | 36.7400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1393 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C09159AV-12AXC | - | ![]() | 7539 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C09159 | sram-双端口,同步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 50 MHz | 易挥发的 | 72kbit | 12 ns | SRAM | 8k x 9 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
EM032LXQADG13CS1T | 29.4000 | ![]() | 9145 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MRAM (磁磁性 RAM) | 1.65V〜2V | 8-DFN(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 819-EM032LXQADG13CS1T | Ear99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 内存 | 4m x 8 | spi -octal I/o | - | ||||||
![]() | 25AA160A-I/WF15K | - | ![]() | 4234 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 死 | 25AA160 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 10 MHz | 非易失性 | 16kbit | EEPROM | 2k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | S99ML04G10040 | - | ![]() | 8324 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | 大部分 | 在sic中停产 | S99ML04 | - | 供应商不确定 | 2120-S99ML04G10040 | 0000.00.0000 | 1,000 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||
![]() | 500672-B21-C | 35.0000 | ![]() | 5628 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-500672-B21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT45W4MW16BFB-708 L WT TR | - | ![]() | 7287 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA(6x9) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 64mbit | 70 ns | PSRAM | 4m x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | IS43R32400E-5BL-TR | 4.2471 | ![]() | 5571 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 144-LFBGA | IS43R32400 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 144-LFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 700 ps | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | CY7C1515KV18-250BZC | 123.9000 | ![]() | 949 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1515 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 1 | 250 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | Z9H57AT-C | 150.0000 | ![]() | 4956 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-Z9H57AT-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT35XU256ABA1G12-0AAT TR | - | ![]() | 9397 | 0.00000000 | 微米技术公司 | XCCELA™-MT35X | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 24-TBGA | MT35XU256 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | XCCELA巴士 | - | ||||
CAV25040YE-GT3 | 0.4130 | ![]() | 5480 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | CAV25040 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 10 MHz | 非易失性 | 4Kbit | EEPROM | 512 x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | MT62F2G32D4DS-023 AUT:b | 73.4400 | ![]() | 2000 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | - | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AUT:b | 1 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 德拉姆 | 2G x 32 | 平行线 | - | |||||||||
![]() | CY7C1462AV25-200AXCT | - | ![]() | 2170 | 0.00000000 | Infineon技术 | NOBL™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1462 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 200 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.2 ns | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | IS43R86400D-5TLI | 8.3656 | ![]() | 2664 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS43R86400 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | |||
AT24CS16-XHM-T | 0.4050 | ![]() | 9733 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | AT24CS16 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 非易失性 | 16kbit | 550 ns | EEPROM | 2k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | IS46TR16256B-125KBLA1 | 8.4090 | ![]() | 5195 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16256B-125KBLA1 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
MT47H64M16HR-25:h | - | ![]() | 7564 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | W978H6KBVX1I TR | 4.3650 | ![]() | 1384 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-VFBGA | W978H6 | sdram- lpddr2 -s4b | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 134-vfbga(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W978H6KBVX1ITR | Ear99 | 8542.32.0024 | 3,500 | 533 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | H5TC4G63EFR-RDI | - | ![]() | 2992 | 0.00000000 | Netlist Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-fbga(7.5x13) | - | Rohs符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | 2655-H5TC4G63EFR-RDITR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | 709099L12PF8 | - | ![]() | 4069 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 709099L | sram-双端口,同步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | IS25WX512M-JHE-Tr | 7.5600 | ![]() | 2425 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS25WX512M | 闪光 | 1.7V〜2V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25WX512M-JHE-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | spi -octal I/o | - | |||
![]() | R1LV0408DSB-7LR #S0 | 13.3100 | ![]() | 546 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) | R1LV0408D | SRAM | 2.7V〜3.6V | 32-TSOP II | - | 不适用 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 4Mbit | 70 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 70NS | ||||||
![]() | IS42S16160G-7TLI-Tr | 6.6224 | ![]() | 8018 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | CY14B256KA-SP25XI | - | ![]() | 9150 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) | CY14B256 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-SSOP | 下载 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 25 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 25ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | MT29F8T08GULCEM4-QM:c | 156.3000 | ![]() | 8640 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 557-MT29F8T08GULCEM4-QM:c | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 93LC86AT-I/MS | - | ![]() | 4542 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | 93LC86 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 3 MHz | 非易失性 | 16kbit | EEPROM | 2k x 8 | 微线 | 5ms |
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