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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | 5962-3829416MXA | - | ![]() | 4372 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) | 5962-3829416 | sram-同步 | 4.5V〜5.5V | 28-CDIP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 800-5962-3829416MXA | 过时的 | 13 | 易挥发的 | 64kbit | 19 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 20NS | ||||
![]() | M3004316035NX0ITBY | 12.0193 | ![]() | 7209 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 54-tsop | - | rohs3符合条件 | 800-M3004316035NX0ITBY | 96 | 非易失性 | 4Mbit | 35 ns | 内存 | 256K x 16 | 平行线 | 35ns | ||||||||
![]() | SST25VF080B-50-4I-QAE-T | 1.6000 | ![]() | 7456 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SST25 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | SST25VF080 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 50 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | spi | 10µs | ||||
![]() | CY7C1059H30-10ZSXIT | 13.3665 | ![]() | 4980 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 44-TSOP II | - | rohs3符合条件 | 1,000 | 易挥发的 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 8 | 平行线 | 10NS | |||||||||
![]() | S29GL256P90TFIR20 | 5.2700 | ![]() | 5565 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | gl-p | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29GL256P90TFIR20 | 1 | 非易失性 | 256Mbit | 90 ns | 闪光 | 32m x 8 | 平行线 | 90NS | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | X28HC64JZ-12T1 | - | ![]() | 3672 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | X28HC64 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 20-X28HC64JZ-12T1TR | Ear99 | 8542.32.0051 | 750 | 非易失性 | 64kbit | 120 ns | EEPROM | 8k x 8 | 平行线 | 5ms | |||
![]() | 7016L35J8 | - | ![]() | 9601 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | 7016L35 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 250 | 易挥发的 | 144kbit | 35 ns | SRAM | 16k x 9 | 平行线 | 35ns | ||||
![]() | CY7C1021BN-15VXE | 3.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 77 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C1163KV18-400BZI | 37.1400 | ![]() | 559 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1163 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 9 | 400 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY62187G30-55BAXI | 102.0600 | ![]() | 5502 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | CY62187 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-fbga(8x9.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | 易挥发的 | 64mbit | 55 ns | SRAM | 4m x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | M24256X-FCU6T/VF | 0.5400 | ![]() | 7962 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 4-XFBGA,WLCSP | M24256 | EEPROM | 1.6V〜3.6V | 4-WLCSP(0.70x0.98) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-M24256X-FCU6T/VFCT | Ear99 | 8542.32.0051 | 10,000 | 1 MHz | 非易失性 | 256kbit | 900 ns | EEPROM | 32K x 8 | i²c | 5ms | ||
S80KS2562GABHI020 | 12.6100 | ![]() | 337 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperRAM™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S80KS2562 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜2V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0024 | 338 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 35 ns | PSRAM | 32m x 8 | 超肥 | 35ns | ||||
![]() | 43R2037-C | 62.5000 | ![]() | 3891 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-43R2037-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S25HS512TDPMHI010 | 11.3800 | ![]() | 233 | 0.00000000 | Infineon技术 | HS-T | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25HS512 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||
![]() | 463663-009-C | 17.5000 | ![]() | 2877 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-463663-009-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CAT25C08YGI-T3 | - | ![]() | 4021 | 0.00000000 | 催化剂半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-CAT25C08YGI-T3-736 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT53E1G64D4HJ-046 wt:c tr | 42.4500 | ![]() | 7183 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 556-TFBGA | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | 下载 | 557-MT53E1G64D4HJ-046WT:CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 1G x 64 | 平行线 | 18NS | ||||||||
![]() | 7142SA4J | - | ![]() | 7665 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 上次购买 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 52-lcc(j-lead) | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | 800-7142SA4J | 1 | 易挥发的 | 16kbit | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | - | ||||||||||
IS43DR16320C-25DBI-Tr | - | ![]() | 8119 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | SM662PAD-BDS | - | ![]() | 9715 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | Ferri-Emmc® | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 153-TFBGA | SM662 | Flash -nand(slc),闪光灯-NAND(tlc) | - | 153-BGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 1984-SM662PAD-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 320Gbit | 闪光 | 40g x 8 | EMMC | - | |||||
![]() | S29GL032N90FFI032 | 1.2700 | ![]() | 7585 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-N | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL032 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29GL032N90FFI032-Tr | 197 | 非易失性 | 32Mbit | 90 ns | 闪光 | 4m x 8,2m x 16 | 平行线 | 90NS | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | IS34ML02G081-BLI | 5.0397 | ![]() | 4745 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS34ML02G081-BLI | 220 | 非易失性 | 2Gbit | 20 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||
![]() | 7005S55PF8 | - | ![]() | 9467 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | 7005S55 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 64-TQFP (14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 64kbit | 55 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
NV25640DTHFT3G | 0.8300 | ![]() | 8490 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | NV25640 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 10 MHz | 非易失性 | 64kbit | 40 ns | EEPROM | 8k x 8 | spi | 4ms | ||||
![]() | CG8150AAT | - | ![]() | 9666 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 到达不受影响 | 过时的 | 2,500 | |||||||||||||||||||||
![]() | C-2400D4SR8RN/4G | 80.0000 | ![]() | 2915 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-C-2400D4SR8RN/4G | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | M95M01-DWMN3TP/K。 | 3.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | M95M01 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 16 MHz | 非易失性 | 1Mbit | EEPROM | 128K x 8 | spi | 4ms | ||||
W631GG6NB15J TR | - | ![]() | 4688 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA(7.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W631GG6NB15JTR | Ear99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 667 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | |||
![]() | MT62F512M32D2DS-031 AIT:b | 15.5550 | ![]() | 2754 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜95°C | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | - | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F512M32D2DS-031AIT:b | 1 | 3.2 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | 平行线 | - | |||||||||
NV24C16DWVLT3G | 0.3200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NV24C16 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 非易失性 | 16kbit | 450 ns | EEPROM | 2k x 8 | i²c | 4ms |
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