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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CY7C1515KV18-250BZC	123.9000	RFQ	949	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1515	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载							1	250 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
Z9H57AT-C	150.0000	RFQ	4956	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-Z9H57AT-C	Ear99	8473.30.5100	1
MT35XU256ABA1G12-0AAT TR	-	RFQ	9397	微米技术公司	XCCELA™-MT35X	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	24-TBGA	MT35XU256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	200 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	XCCELA巴士	-
CAV25040YE-GT3	0.4130	RFQ	5480	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAV25040	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	10 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	5ms
MT62F2G32D4DS-023 AUT：b	73.4400	RFQ	2000	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F2G32D4DS-023AUT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	平行线	-
CY7C1462AV25-200AXCT	-	RFQ	2170	Infineon技术	NOBL™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1462	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750	200 MHz	易挥发的	36mbit	3.2 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS43R86400D-5TLI	8.3656	RFQ	2664	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R86400	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
AT24CS16-XHM-T	0.4050	RFQ	9733	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT24CS16	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	1 MHz	非易失性	16kbit	550 ns	EEPROM	2k x 8	i²c	5ms
IS46TR16256B-125KBLA1	8.4090	RFQ	5195	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16256	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16256B-125KBLA1	Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
MT47H64M16HR-25：h	-	RFQ	7564	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H64M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
W978H6KBVX1I TR	4.3650	RFQ	1384	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	W978H6	sdram- lpddr2 -s4b	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W978H6KBVX1ITR	Ear99	8542.32.0024	3,500	533 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 16	HSUL_12	15ns
H5TC4G63EFR-RDI	-	RFQ	2992	Netlist Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-fbga（7.5x13）	-	Rohs符合条件	3（168））	到达受影响	2655-H5TC4G63EFR-RDITR	Ear99	8542.32.0036	1	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
709099L12PF8	-	RFQ	4069	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	709099L	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	750		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	-
IS25WX512M-JHE-Tr	7.5600	RFQ	2425	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS25WX512M	闪光	1.7V〜2V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WX512M-JHE-TR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500	200 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi -octal I/o	-
R1LV0408DSB-7LR ＃S0	13.3100	RFQ	546	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	R1LV0408D	SRAM	2.7V〜3.6V	32-TSOP II	-	不适用				3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	70 ns	SRAM	512k x 8	平行线	70NS
IS42S16160G-7TLI-Tr	6.6224	RFQ	8018	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
CY14B256KA-SP25XI	-	RFQ	9150	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	CY14B256	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载							1		非易失性	256kbit	25 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	25ns	未行业行业经验证
MT29F8T08GULCEM4-QM：c	156.3000	RFQ	8640	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F8T08GULCEM4-QM：c			1
93LC86AT-I/MS	-	RFQ	4542	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	93LC86	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	微线	5ms
R1EX25032ASA00A ＃S0	1.4500	RFQ	94	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	R1EX25032	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-sop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0051	2,500	5 MHz	非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	spi	5ms
FM24C64LMT8	0.5300	RFQ	7507	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FM24C64	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	100 kHz	非易失性	64kbit	3.5 µs	EEPROM	8k x 8	i²c	6ms
IS42SM32200K-75BLI-TR	-	RFQ	5920	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42SM32200	sdram-移动	2.7V〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	133 MHz	易挥发的	64mbit	6 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
M25P32-VMF6PBA	-	RFQ	3726	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	M25p3 2	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	75 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	spi	15ms，5ms
MT53B256M32D1NP-062 AAT：c tr	-	RFQ	6672	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B256	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	-	-
71024S12TYG	3.0344	RFQ	8881	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	23		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
NM93C66AN	0.2700	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	93c66a	EEPROM	4.5V〜5.5V	8点	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8，256 x 16	微线	10ms
MT41J256M4HX-15E：D TR	-	RFQ	7465	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41J256M4	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-fbga（9x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	667 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	256m x 4	平行线	-
M29F400BB90M1	-	RFQ	1139	微米技术公司	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-Soic（0.496英寸，宽度为12.60mm）	M29F400	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	44-SO	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	16		非易失性	4Mbit	90 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	90NS
MT41K512M4DA-125：k	-	RFQ	9956	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K512M4	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1	800 MHz	易挥发的	2Gbit	13.75 ns	德拉姆	512m x 4	平行线	-
CY7C1049BV33-15VC	9.1900	RFQ	151	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1049	sram-异步	3v〜3.6V	36-SOJ	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	19		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²