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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
5962-8700210UA	-	RFQ	8690	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	48-LCC	5962-8700210	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	48-LCC （14.22x14.22）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	800-5962-8700210UA	过时的		34		易挥发的	16kbit	90 ns	SRAM	2k x 8	平行线	90NS
IS61NVF25672-6.5B1	-	RFQ	6228	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	209-BGA	IS61NVF25672	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	209-LFBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	256K x 72	平行线	-
CY7C1418TV18-267BZXC	70.2100	RFQ	240	赛普拉斯半导体公司	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1418	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	不适用				3A991B2A		1	267 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
7054L25PRF	-	RFQ	8468	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	128-LQFP	7054L25	sram-四边形端口，异步	4.5V〜5.5V	128-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	6		易挥发的	32kbit	25 ns	SRAM	4K x 8	平行线	25ns
CY7C1041CV33-12BAXE	-	RFQ	8396	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY7C1041	sram-异步	3v〜3.6V	48-fbga（7x8.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	260		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
SST39VF800A-70-4C-B3KE-T	1.9350	RFQ	1073	微芯片技术	SST39 MPF™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	SST39VF800	闪光	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	512k x 16	平行线	20µs
IS65WV1288FBLL-55CTLA3	-	RFQ	3333	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	IS65WV1288	sram-同步	2.2v〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS65WV1288FBLL-55CTLA3	Ear99	8542.32.0041	156		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
NDL86PFG-9MET	18.6200	RFQ	1270	Insignis Technology Corporation	NDL86P	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDL86PFG-9MET			180	933 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	512m x 16	平行线	-
7008l35g	-	RFQ	6424	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	84-BPGA	7008L35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PGA （27.94x27.94）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	3		易挥发的	512kbit	35 ns	SRAM	64k x 8	平行线	35ns
GD25B32CS2GR	0.9688	RFQ	7690	gigadevice 半导体（香）	GD25B	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-sop	-				1970-GD25B32CS2GRTR			2,000	80 MHz	非易失性	32Mbit	7 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	60µs，4ms
7027S12G	-	RFQ	2853	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	0°C〜70°C（TA）	通过洞	108-BPGA		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	108-PGA （30.48x30.48）	-				800-7027S12G			1		易挥发的	512kbit	12 ns	SRAM	32k x 16	平行线	12ns
IS61WV5128BLL-10KLI-TR	3.3638	RFQ	9944	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS61WV5128	sram-异步	2.4v〜3.6V	36-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
CY7C106B-20VCT	0.8900	RFQ	750	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C106	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	750		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	256K x 4	平行线	20NS
MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-F	11.8300	RFQ	9604	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-F			1
IDT71024S20TY	-	RFQ	5132	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IDT71024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71024S20TY	3A991B2B	8542.32.0041	23		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	128K x 8	平行线	20NS
7133SA25JI	-	RFQ	2016	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7133SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	18		易挥发的	32kbit	25 ns	SRAM	2k x 16	平行线	25ns
7143SA55PF	-	RFQ	4315	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	7143SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	45		易挥发的	32kbit	55 ns	SRAM	2k x 16	平行线	55ns
S29GL512S12DHIV20	8.8900	RFQ	5647	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL512	闪光灯 -也不	1.65V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,600		非易失性	512Mbit	120 ns	闪光	32m x 16	平行线	60ns
MD51V65165E-50TAZ0AR	-	RFQ	1701	Rohm半导体	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）44条线索	MD51V65165	德拉姆	3v〜3.6V	50-tsop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,170		易挥发的	64mbit	25 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	84ns
MT62F2G64D8EK-023 wt：b	90.4650	RFQ	6037	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F2G64D8EK-023WT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	2G x 64	平行线	-
IS45S32400E-6TLA1	-	RFQ	9088	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS45S32400	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
7132SA55C	99.7325	RFQ	1680年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	0°C〜70°C（TA）	通过洞	48 浸（0.600英寸，15.24毫米）	7132SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	48侧铜	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	8		易挥发的	16kbit	55 ns	SRAM	2k x 8	平行线	55ns
71V016SA15PHI	-	RFQ	2929	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
46C0599-C	127.5000	RFQ	3179	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-46C0599-C	Ear99	8473.30.5100	1
GD25LQ64EY2GR	1.3970	RFQ	7764	gigadevice 半导体（香）	GD25LQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-wson（6x8）	-				1970-GD25LQ64EY2GRTR			3,000	133 MHz	非易失性	64mbit	6 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，2.4ms
MEM-DR340L-SL02-ER13-C	32.5000	RFQ	9809	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-MEM-DR340L-SL02-ER13-C	Ear99	8473.30.5100	1
NV25010DTHFT3G	0.4218	RFQ	5313	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	NV25010	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NV25010DTHFT3GTR	Ear99	8542.32.0051	3,000	10 MHz	非易失性	1kbit	40 ns	EEPROM	128 x 8	spi	4ms
71V321L55PF	-	RFQ	7201	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	71v321l	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP （14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	45		易挥发的	16kbit	55 ns	SRAM	2k x 8	平行线	55ns
MT53E256M32D1K-046 IT：l	10.6300	RFQ	6487	微米技术公司	-	托盘	积极的		表面安装	200-VFBGA				200-VFBGA（10x14.5）	-			到达不受影响	557-MT53E256M32D1K-046IT：l			1
CY7C1371C-117BGC	15.4800	RFQ	44	赛普拉斯半导体公司	NOBL™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1371	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²