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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | MT29F6T08ETHBBM5-3RES:b tr | - | ![]() | 1662 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | - | - | MT29F6T08 | 闪存-NAND | 2.5V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 非易失性 | 6Tbit | 闪光 | 768g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | 71421SA4J | - | ![]() | 6678 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 上次购买 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 52-lcc(j-lead) | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | 800-71421SA4J | 1 | 易挥发的 | 16kbit | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | - | ||||||||||
![]() | GD25Q128EQEGR | 1.7194 | ![]() | 9428 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25Q | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-uson (4x4) | 下载 | 1970-GD25Q128EQEGRTTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 7 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 140µs,4ms | ||||||||
![]() | C-1600D3SR4VRN/4G | 72.5000 | ![]() | 7481 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-C-1600D3SR4VRN/4G | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
AT24CS01-XHM-T | 1.0000 | ![]() | 7486 | 0.00000000 | atmel | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | AT24CS01 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 非易失性 | 1kbit | 550 ns | EEPROM | 128 x 8 | i²c | 5ms | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | CY7C1440AV33-167AXCT | - | ![]() | 1386 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1440 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 167 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.4 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | W632GU8MB12J | - | ![]() | 1977年 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | CY15B102N-ZS60XA | 22.9300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,F-RAM™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY15B102 | fram (铁电 ram) | 2v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-CY15B102N-ZS60XA | 25 | 非易失性 | 2Mbit | 90 ns | 框架 | 128K x 16 | 平行线 | 90NS | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | CY7C1021BV33-12BAC | 2.9600 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY7C1021 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-FBGA(7x7) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 12ns | ||||
AS7C31024B-10TJCN | 3.1724 | ![]() | 8080 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | AS7C31024 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 22 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | |||||
![]() | IS42S83200B-7TLI | - | ![]() | 8607 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S83200 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | GD25LQ16WIGY | 0.5642 | ![]() | 5262 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LQ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65v〜2.1V | 8-wson(5x6) | 下载 | 1970-GD25LQ16WIGY | 5,700 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,2.4ms | ||||||||
![]() | MX29GL320ELXFI-70G | 3.0080 | ![]() | 9110 | 0.00000000 | 大元 | MX29GL | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA,CSPBGA | MX29GL320 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-LFBGA,CSP (11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 非易失性 | 32Mbit | 70 ns | 闪光 | 4m x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
MR256D08BMA45R | 7.2300 | ![]() | 8464 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR256D08 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 非易失性 | 256kbit | 45 ns | 内存 | 32K x 8 | 平行线 | 45ns | |||||
![]() | UPD44645092AF5-E40-FQ1-A | 71.5600 | ![]() | 420 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | AT8358A86-IWE2D | - | ![]() | 5776 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 150-AT8358A86-IWE2DTR | 过时的 | 1,000 | |||||||||||||||||||
![]() | 28503869 a | - | ![]() | 3735 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 00U0283-C | 22.5000 | ![]() | 3270 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-00U0283-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
W631GG6KB11I | - | ![]() | 1575年 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-WBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | GS832236AGB-333i | 67.4000 | ![]() | 5342 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜100°C(TJ) | 表面安装 | 119-BGA | GS832236 | sram-同步,标准 | 2.3v〜2.7V,3v〜3.6V | 119-fpbga(22x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2364-GS832236AGB-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 14 | 333 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | M25P128-VME6TG TR | - | ![]() | 1844年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Forté™ | (CT) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | M25P128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-vdfpn(MLP8)(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 50 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | spi | 15ms,7ms | ||||
![]() | MT58L128V32P1T-10 | 7.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT58L128V32 | SRAM | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 4Mbit | 5 ns | SRAM | 128K x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | S25HS512TFAMHI013 | 9.6950 | ![]() | 3542 | 0.00000000 | Infineon技术 | Semper™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 1.7V〜2V | 16-Soic | 下载 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 166 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | ||||||||
![]() | mtfc16gapalgt-s1 it | 17.6400 | ![]() | 6046 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 盒子 | 积极的 | - | 表面安装 | 153-TFBGA | Flash -nand(slc) | - | 153-TFBGA(11.5x13) | - | 557-MTFC16GAPALGT-S1IT | 1 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||||
![]() | CY7C1474V25-167BGC | 129.4200 | ![]() | 282 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 209-BGA | CY7C1474 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 209-fbga(14x22) | - | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 167 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 3.4 ns | SRAM | 1m x 72 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | CY62148EV30LL-45BVI | - | ![]() | 9574 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-vfbga | CY62148 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 36-vfbga(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 4,800 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | M-ASR1002X-4GB-C | 65.0000 | ![]() | 6077 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-M-ASR1002X-4GB-C | Ear99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 7027L20PFGI | 105.8800 | ![]() | 3140 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 7027L20 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 易挥发的 | 512kbit | 20 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 20NS | ||||
![]() | GS8662Q36BGD-357I | 194.5700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜100°C(TJ) | 表面安装 | 165-LBGA | GS8662Q | sram-四边形端口,同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FPBGA(13x15) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2364-GS8662Q36BGD-357I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 357 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | P38446-B21-C | 320.0000 | ![]() | 9502 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-P38446-B21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
每日平均RFQ量
标准产品单位
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