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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F6T08ETHBBM5-3RES:b tr -
RFQ
ECAD 1662 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F6T08 闪存-NAND 2.5V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 非易失性 6Tbit 闪光 768g x 8 平行线 -
71421SA4J Renesas Electronics America Inc 71421SA4J -
RFQ
ECAD 6678 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 上次购买 0°C〜70°C(TA) 表面安装 52-lcc(j-lead) sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) - 800-71421SA4J 1 易挥发的 16kbit SRAM 2k x 8 平行线 -
GD25Q128EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EQEGR 1.7194
RFQ
ECAD 9428 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-uson (4x4) 下载 1970-GD25Q128EQEGRTTR 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs,4ms
C-1600D3SR4VRN/4G ProLabs C-1600D3SR4VRN/4G 72.5000
RFQ
ECAD 7481 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-C-1600D3SR4VRN/4G Ear99 8473.30.5100 1
AT24CS01-XHM-T Atmel AT24CS01-XHM-T 1.0000
RFQ
ECAD 7486 0.00000000 atmel - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) AT24CS01 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-tssop 下载 Ear99 8542.32.0051 1 1 MHz 非易失性 1kbit 550 ns EEPROM 128 x 8 i²c 5ms 未行业行业经验证
CY7C1440AV33-167AXCT Infineon Technologies CY7C1440AV33-167AXCT -
RFQ
ECAD 1386 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP CY7C1440 sram-同步,sdr 3.135v〜3.6V 100-TQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 750 167 MHz 易挥发的 36mbit 3.4 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
W632GU8MB12J Winbond Electronics W632GU8MB12J -
RFQ
ECAD 1977年 0.00000000 Winbond电子产品 - 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
CY15B102N-ZS60XA Cypress Semiconductor Corp CY15B102N-ZS60XA 22.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 汽车,AEC-Q100,F-RAM™ 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) CY15B102 fram (铁电 ram) 2v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 不适用 供应商不确定 2832-CY15B102N-ZS60XA 25 非易失性 2Mbit 90 ns 框架 128K x 16 平行线 90NS 未行业行业经验证
CY7C1021BV33-12BAC Cypress Semiconductor Corp CY7C1021BV33-12BAC 2.9600
RFQ
ECAD 78 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-TFBGA CY7C1021 sram-异步 3v〜3.6V 48-FBGA(7x7) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 64k x 16 平行线 12ns
AS7C31024B-10TJCN Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-10TJCN 3.1724
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ECAD 8080 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) AS7C31024 sram-异步 3v〜3.6V 32-soj 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 22 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 128K x 8 平行线 10NS
IS42S83200B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-7TLI -
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ECAD 8607 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S83200 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 -
GD25LQ16EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16WIGY 0.5642
RFQ
ECAD 5262 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.65v〜2.1V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD25LQ16WIGY 5,700 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 60µs,2.4ms
MX29GL320ELXFI-70G Macronix MX29GL320ELXFI-70G 3.0080
RFQ
ECAD 9110 0.00000000 大元 MX29GL 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA,CSPBGA MX29GL320 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-LFBGA,CSP (11x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 144 非易失性 32Mbit 70 ns 闪光 4m x 8 平行线 70NS
MR256D08BMA45R Everspin Technologies Inc. MR256D08BMA45R 7.2300
RFQ
ECAD 8464 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR256D08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 非易失性 256kbit 45 ns 内存 32K x 8 平行线 45ns
UPD44645092AF5-E40-FQ1-A Renesas Electronics America Inc UPD44645092AF5-E40-FQ1-A 71.5600
RFQ
ECAD 420 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1
AT8358A86-IWE2D Microchip Technology AT8358A86-IWE2D -
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ECAD 5776 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 150-AT8358A86-IWE2DTR 过时的 1,000
28503869 A Infineon Technologies 28503869 a -
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ECAD 3735 0.00000000 Infineon技术 * 大部分 过时的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
00U0283-C ProLabs 00U0283-C 22.5000
RFQ
ECAD 3270 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-00U0283-C Ear99 8473.30.5100 1
W631GG6KB11I Winbond Electronics W631GG6KB11I -
RFQ
ECAD 1575年 0.00000000 Winbond电子产品 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-WBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 190 933 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 -
GS832236AGB-333I GSI Technology Inc. GS832236AGB-333i 67.4000
RFQ
ECAD 5342 0.00000000 GSI Technology Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜100°C(TJ) 表面安装 119-BGA GS832236 sram-同步,标准 2.3v〜2.7V,3v〜3.6V 119-fpbga(22x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2364-GS832236AGB-333I 3A991B2B 8542.32.0041 14 333 MHz 易挥发的 36mbit SRAM 1m x 36 平行线 -
M25P128-VME6TG TR Micron Technology Inc. M25P128-VME6TG TR -
RFQ
ECAD 1844年 0.00000000 微米技术公司 Forté™ (CT) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 M25P128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-vdfpn(MLP8)(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 50 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 15ms,7ms
MT58L128V32P1T-10 Micron Technology Inc. MT58L128V32P1T-10 7.5200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT58L128V32 SRAM 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 4Mbit 5 ns SRAM 128K x 32 平行线 -
S25HS512TFAMHI013 Infineon Technologies S25HS512TFAMHI013 9.6950
RFQ
ECAD 3542 0.00000000 Infineon技术 Semper™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 1.7V〜2V 16-Soic 下载 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 166 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MTFC16GAPALGT-S1 IT Micron Technology Inc. mtfc16gapalgt-s1 it 17.6400
RFQ
ECAD 6046 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 盒子 积极的 - 表面安装 153-TFBGA Flash -nand(slc) - 153-TFBGA(11.5x13) - 557-MTFC16GAPALGT-S1IT 1 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 EMMC_5.1 -
CY7C1474V25-167BGC Cypress Semiconductor Corp CY7C1474V25-167BGC 129.4200
RFQ
ECAD 282 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 NOBL™ 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 209-BGA CY7C1474 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 209-fbga(14x22) - Rohs不合规 3A991B2A 8542.32.0041 84 167 MHz 易挥发的 72Mbit 3.4 ns SRAM 1m x 72 平行线 - 未行业行业经验证
CY62148EV30LL-45BVI Infineon Technologies CY62148EV30LL-45BVI -
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ECAD 9574 0.00000000 Infineon技术 MOBL® 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-vfbga CY62148 sram-异步 2.2v〜3.6V 36-vfbga(6x8) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 4,800 易挥发的 4Mbit 45 ns SRAM 512k x 8 平行线 45ns
M-ASR1002X-4GB-C ProLabs M-ASR1002X-4GB-C 65.0000
RFQ
ECAD 6077 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-M-ASR1002X-4GB-C Ear99 8473.30.9100 1
7027L20PFGI Renesas Electronics America Inc 7027L20PFGI 105.8800
RFQ
ECAD 3140 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 7027L20 sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 100-TQFP(14x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 6 易挥发的 512kbit 20 ns SRAM 32k x 16 平行线 20NS
GS8662Q36BGD-357I GSI Technology Inc. GS8662Q36BGD-357I 194.5700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 GSI Technology Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜100°C(TJ) 表面安装 165-LBGA GS8662Q sram-四边形端口,同步,QDR II 1.7V〜1.9V 165-FPBGA(13x15) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2364-GS8662Q36BGD-357I 3A991B2B 8542.32.0041 15 357 MHz 易挥发的 72Mbit SRAM 2m x 36 平行线 -
P38446-B21-C ProLabs P38446-B21-C 320.0000
RFQ
ECAD 9502 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-P38446-B21-C Ear99 8473.30.5100 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库