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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CAT24C04LGI | 0.1400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | CAT24C04 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-pdip | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-CAT24C04LGI-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 400 kHz | 非易失性 | 4Kbit | 900 ns | EEPROM | 512 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | 34AA02T-I/MS | 0.3600 | ![]() | 2675 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | 34AA02 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 34AA02T-i/mstr | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 非易失性 | 2kbit | 900 ns | EEPROM | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | S25FS128SAGMFV100 | 3.7759 | ![]() | 481 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FS-S | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | S25FS128 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 1 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | SM662Gee-Bess | 101.2100 | ![]() | 4963 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | Ferri-Emmc® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 100-LBGA | SM662 | Flash -nand(slc),闪光灯-NAND(tlc) | - | 100-BGA (14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1984-SM662GEE-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 640Gbit | 闪光 | 80g x 8 | EMMC | - | ||||
CAT28F020G-12T | - | ![]() | 9401 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | CAT28F020 | 闪光 | 4.5V〜5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 非易失性 | 2Mbit | 120 ns | 闪光 | 256K x 8 | 平行线 | 120ns | ||||||
M93C56-RDS6G | - | ![]() | 8192 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | M93C56 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 非易失性 | 2kbit | EEPROM | 256 x 8,128 x 16 | 微线 | 5ms | |||||
![]() | MT29F4G01AAAAADDHC-ITX:D Tr | - | ![]() | 5521 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F4G01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(10.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 4G x 1 | spi | - | |||||
![]() | MT29F2G08ABAEAH4-IT:e | 3.9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F2G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | - | |||||
W948D6FBHX5J | - | ![]() | 3114 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 60-TFBGA | W948D6 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-vfbga(8x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 312 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | FM1608B-SGTR | - | ![]() | 9188 | 0.00000000 | Infineon技术 | F-RAM™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | FM1608B | fram (铁电 ram) | 4.5V〜5.5V | 28-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64kbit | 框架 | 8k x 8 | 平行线 | 130ns | |||||
![]() | 93LC76CT-E/MNY | 0.6450 | ![]() | 3308 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | 93LC76 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 3 MHz | 非易失性 | 8kbit | EEPROM | 1K x 8,512 x 16 | 微线 | 5ms | ||||
![]() | S25FS128SAGNFI003 | 3.3950 | ![]() | 3244 | 0.00000000 | Infineon技术 | FS-S | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | S25FS128 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 8-wson(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | ||||
![]() | 7133LA45J | - | ![]() | 5683 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | 7133la | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 18 | 易挥发的 | 32kbit | 45 ns | SRAM | 2k x 16 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | S25FL256SAGNFI010 | 6.0400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-s | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||
![]() | M29W320DB7AZA6F | 4.9700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | M29W320 | 闪光灯 -引导块 | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-M29W320DB7AZA6FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 32Mbit | 70 ns | 闪光 | 4m x 8,2m x 16 | CFI | 70NS | |||
![]() | MT49H16M36SJ-18 IT:b | 63.7350 | ![]() | 3040 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H16M36 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,120 | 533 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 15 ns | 德拉姆 | 16m x 36 | 平行线 | - | |||
CAT25040VI-TE13 | 0.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CAT25040 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-CAT25040VI-TE13-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 10 MHz | 非易失性 | 4Kbit | 40 ns | EEPROM | 512 x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | IS25LP256D-RGLE-TR | - | ![]() | 5263 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS25LP256 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 7 ns | 闪光 | 32m x 8 | 系列 | 800µs | |||
![]() | IS21TF128G-JCLI | 66.7335 | ![]() | 6275 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS21TF128G-JCLI | 152 | 200 MHz | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||
![]() | IS45S32400F-6BLA2 | 9.5190 | ![]() | 6414 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS45S32400 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | CY7C10612DV33-10ZSXI | 71.6800 | ![]() | 3204 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C10612 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 2832-CY7C10612DV33-10ZSXI | 3A991B2A | 8542.32.0040 | 108 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | |||
![]() | CY7C1399B-15ZXIT | - | ![]() | 5516 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | CY7C1399 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 28-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | SFEM064GB2ED1TO-I-6F-111-STD | 27.2800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 瑞士 | EM-30 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 153-TFBGA | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1 | 200 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | EMMC | - | |||||||
![]() | MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J TR | 83.2350 | ![]() | 3193 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 254-BGA | flash -nand,dram -lpddr4x | - | 254-MCP | - | 557-MT29VZZZBDAFQKWL-046W.G0JTR | 2,000 | 2.133 GHz | 非易失性,挥发性 | 2Tbit(nand),48Gbit(LPDDR4X) | 闪光,ram | 256g x 8 nand),1.5g x 32 lpddr4x) | UFS2.1 | - | |||||||||
![]() | S25FS512SAGMFV011 | 9.4325 | ![]() | 7640 | 0.00000000 | Infineon技术 | FS-S | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FS512 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 235 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | ||||
![]() | SNPH5DDHC/4G-C | 27.5000 | ![]() | 7719 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-SNPH5DDHC/4G-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY62256NLL-70PXCKP | - | ![]() | 5733 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | AM27S29/B2A | 54.0800 | ![]() | 746 | 0.00000000 | 高级微型设备 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 20-CLCC | AM27S29 | - | 4.5V〜5.5V | 20-CLCC | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 4Kbit | 70 ns | 舞会 | 512 x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | IS43LD16640D-18BLI-TR | 6.8495 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LD16640D-18BLI-TR | 2,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT29F128G08AMCABH2-10IT:a | - | ![]() | 9330 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-TBGA | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA (12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - |
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