RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
PA3677U-1M4G-C	30.0000	RFQ	5388	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-PA3677U-1M4G-C	Ear99	8473.30.5100	1
IDT7164L20YI8	-	RFQ	6996	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IDT7164	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	7164L20YI8	Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	8k x 8	平行线	20NS
IS42S32800B-6BLI-TR	-	RFQ	7409	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
M95320-DRDW8TP/k	0.6300	RFQ	2953	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	M95320	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	20 MHz	非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	spi	4ms
IS41C16100C-50KLI-Tr	-	RFQ	1027	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	42-BSOJ（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS41C16100	戏剧性	4.5V〜5.5V	42-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000		易挥发的	16mbit	25 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
W25Q128JWBIM TR	-	RFQ	8196	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	W25Q128	闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25Q128JWBIMTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	- ，3ms
S29GL512S12TFIV20	8.8900	RFQ	8651	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL512	闪光灯 -也不	1.65V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	910		非易失性	512Mbit	120 ns	闪光	32m x 16	平行线	60ns
GD25D80CTIGR	0.2783	RFQ	2411	gigadevice 半导体（香）	GD25D	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-sop	下载				1970-GD25D80CTIGRTR			3,000	100 MHz	非易失性	8mbit	6 ns	闪光	1m x 8	spi-双i/o	50µs，4ms
S-24C02DI-K8T3U5	0.2168	RFQ	8225	Ablic Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WSOP，8-msop （0.110英寸，2.80mm宽度）	S-24C02	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-TMSOP	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.32.0051	4,000	1 MHz	非易失性	2kbit	500 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
25LC080A-I/W15K	-	RFQ	3940	微芯片技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	25LC080	EEPROM	2.5V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	10 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	spi	5ms
AS6C1616A-55BIN	-	RFQ	3510	联盟记忆，Inc。	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	AS6C1616	sram-异步	2.7V〜3.6V	48-FPBGA（10x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	16mbit	55 ns	SRAM	1m x 16	平行线	55ns
AT25128B-MAPDGV-E	-	RFQ	1209	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	AT25128	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-udfn（2x3）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	15,000	5 MHz	非易失性	128kbit		EEPROM	16k x 8	spi	5ms
SM662GEF BESS	181.5200	RFQ	5	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-	表面安装	100-LBGA		Flash -nand（tlc）	-	100-BGA （14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM662GEFBESS	3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	-		闪光		EMMC	-
70v9279s7prfi	-	RFQ	7985	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	128-LQFP	70v9279	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	128-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））			3A991B2B	8542.32.0041	72		易挥发的	512kbit	7.5 ns	SRAM	32k x 16	平行线	-
S29GL256P10FFI010	11.1800	RFQ	6874	Infineon技术	gl-p	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	180		非易失性	256Mbit	100 ns	闪光	32m x 8	平行线	100ns
CYDC256B16-55AXI	8.0900	RFQ	2	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CYDC	sram-双端口，莫布	1.7V〜1.9V，2.4V〜2.6V，3V〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0041	38		易挥发的	256kbit	55 ns	SRAM	16k x 16	平行线	55ns	未行业行业经验证
NDS36PBA-20ET	3.1667	RFQ	9471	Insignis Technology Corporation	*	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS36PBA-20ET			348
NLQ83PFS-6NET TR	24.5100	RFQ	6862	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-fbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））					2,000	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 32	lvstl	18NS
CYD18S18V18-167BBAXC	93.4900	RFQ	265	Rochester Electronics，LLC	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	256-LBGA	CYD18S18	sram-双端口，异步，标准	1.7V〜1.9V	256-FBGA（17x17）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-CYD18S18V18-167BBAXC-2156	3A991	8542.32.0041	1	167 MHz	易挥发的	18mbit	4 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
MT40A2G16SKL-062E：b	-	RFQ	1953年	微米技术公司	Twindie™	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A2G16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（10.5x13）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	557-MT40A2G16SKL-062E：b	过时的	8542.32.0071	190	1.6 GHz	非易失性	32Gbit	13.75 ns	德拉姆	2G x 16	平行线	-
CAT28F001T-90B	-	RFQ	2928	Onmi	*	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	CAT28F001	闪光灯 -引导块	4.5V〜5.5V	32-tsop	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-CAT28F001T-90B-488	Ear99	8542.32.0051	1		非易失性	1Mbit	90 ns	闪光	128K x 8	平行线	90NS
24CS256-E/SM	1.0500	RFQ	50	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		flash -nand，dram -lpddr	1.7V〜5.5V	8-soij	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-24CS256-E/SM	Ear99	8542.32.0051	90	1 MHz	非易失性	256kbit	400 ns	EEPROM	32K x 8	i²c	5ms
AS7C34098A-8TAN	4.9209	RFQ	2173	联盟记忆，Inc。	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	-		3（168））		1450-AS7C34098A-8TAN			135		易挥发的	4Mbit	8 ns	SRAM	256K x 16	平行线	8ns
MT48H4M16LFB4-75：h	-	RFQ	7536	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H4M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.9V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	64mbit	6 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	15ns
W979H2KBVX2E TR	4.9500	RFQ	1662	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	W979H2	sdram- lpddr2 -s4b	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W979H2KBVX2ETR	Ear99	8542.32.0028	3,500	400 MHz	易挥发的	512Mbit		德拉姆	16m x 32	HSUL_12	15ns
7027S12PF8	-	RFQ	3616	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	-				800-7027S12PF8TR			1		易挥发的	512kbit	12 ns	SRAM	32k x 16	平行线	12ns
MT29F4T08EULEEM4-T：E TR	85.8150	RFQ	2502	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C	表面安装	132-BGA		Flash -nand（tlc）	2.6v〜3.6V	132-LBGA （12x18）	-				557-MT29F4T08EUULUEEM4-T：ETR			2,000		非易失性	4Tbit		闪光	512g x 8	平行线	-
MT53E4D1BSQ-DC TR	22.5000	RFQ	7747	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT53E4				-			到达不受影响	557-MT53E4D1BSQ-DCTR			2,000
AS4C256M8D3LC-12BIN	8.2104	RFQ	3369	联盟记忆，Inc。	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	AS4C256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（7.5x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS4C256M8D3LC-12BIN	Ear99	8542.32.0036	210	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
CY7C1314KV18-250BZXCT	29.5750	RFQ	1592年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1314	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	250 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²