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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CY7C1313AV18-167BZC	18.4200	RFQ	3	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1313	Sram-同步，QDR II		1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-
W25Q64FWWA	-	RFQ	6066	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	-	-	W25Q64	闪光灯 -也不		1.65V〜1.95V	-	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q64FWWA	过时的		1	104 MHz	非易失性	64mbit	6 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，5ms
FM93C56AEM8	-	RFQ	8713	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93c56a	EEPROM		4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8，128 x 16	微线	10ms
S26HL512TFPBHB010	16.2925	RFQ	3788	Infineon技术	Semper™	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-vbga		闪存-SLC）		2.7V〜3.6V	24-fbga（6x8）	下载		3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	338	166 MHz	非易失性	512Mbit	6.5 ns	闪光	64m x 8	超肥	1.7ms
M24C04-WBN6	-	RFQ	2913	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	M24C04	EEPROM		2.5V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,000	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
S25FL512SAGMFBG10	12.9100	RFQ	453	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，fl-s	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL512	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	240	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	-
SST39VF401C-70-4-EKE	2.7000	RFQ	122	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	SST39VF401	闪光		2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SST39VF401C704IEKE	Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	4Mbit	70 ns	闪光	256K x 16	平行线	10µs
EM6OE08NW9A-07IH	8.2500	RFQ	2009	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	EM6OE08	SDRAM -DDR4		1.14v〜1.26v	78-FBGA（7.5x10.6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,500	1.333 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns
CY7C2565XV18-600BZC	562.4500	RFQ	1889年	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2565	sram-同步，QDR II+		1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	600 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
SM671PXA-ADSS	-	RFQ	1609年	硅运动，Inc。	Ferri-Ufs™	托盘	过时的	-25°C〜85°C	表面安装	153-TFBGA	SM671	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）		-	153-BGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		1984-SM671PXA-ADSS	过时的		1		非易失性	40Gbit		闪光	5g x 8	UFS2.1	-
S25FL256SAGMFI003	17.1900	RFQ	14	赛普拉斯半导体公司	fl-s	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL256	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	16-Soic	下载				2832-S25FL256SAGMFI003-428			30	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O。	-	经过验证
STK14CA8-RF35	-	RFQ	9087	Simtek	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	STK14CA8	NVSRAM（SRAM）		2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1		非易失性	1Mbit	35 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	35ns
CY7C1383KV33-133AXI	33.2900	RFQ	6047	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1383	sram-同步，sdr		3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
25LC128T-E/SN16KVAO	-	RFQ	9957	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	25LC128	EEPROM		2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	5 MHz	非易失性	128kbit		EEPROM	16k x 8	spi	5ms
595424-001-C	37.5000	RFQ	4024	刺	*	零售包	积极的									-	Rohs符合条件			4932-595424-001-C	Ear99	8473.30.5100	1
93C46C/S15K	-	RFQ	1165	微芯片技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	93C46C	EEPROM		4.5V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	3 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8，64 x 16	微线	2ms
AT26DF081A-SU	-	RFQ	3493	微芯片技术	-	管子	在sic中停产	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	AT26DF081	闪光		2.7V〜3.6V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	95	70 MHz	非易失性	8mbit		闪光	256字节x 4096页	spi	7µs，5ms
CY62157ELL-45ZSXIT	20.1600	RFQ	9304	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62157	sram-异步		4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	512k x 16	平行线	45ns
EM5C-C	37.0000	RFQ	3977	刺	*	零售包	积极的									-	Rohs符合条件			4932-EM5C-C	Ear99	8473.30.5100	1
C-2400D4QR4LRN/64G	837.5000	RFQ	6152	刺	*	零售包	积极的									-	Rohs符合条件			4932-C-2400D4QR4LRN/64G	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1399B-15VCT	0.7500	RFQ	61	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C1399	sram-异步		3v〜3.6V	28-soj	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
mtfc32gazaotd-aat tr	27.3450	RFQ	8792	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-				557-MTFC32GAZAOTD-AATTR			2,000
MX29F200CTTI-90G	-	RFQ	7221	大元	MX29F	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MX29F200	闪光灯 -也不		4.5V〜5.5V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	2Mbit	90 ns	闪光	256K x 8	平行线	90NS
MT29F8G01ADAFD12-AATES：f	-	RFQ	9404	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	-	MT29F8G01	Flash -nand（slc）		2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,122		非易失性	8Gbit		闪光	8g x 1	spi	-
AS4C128M16D3A-12BINTR	-	RFQ	1019	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	AS4C128	SDRAM -DDR3	未行业行业经验证	1.425V〜1.575V	96-FBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
MT46H32M32LFCG-6 IT：a	-	RFQ	4308	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	152-VFBGA	MT46H32M32	sdram- lpddr		1.7V〜1.95V	152-VFBGA（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	166 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	32m x 32	平行线	15ns
S34ML01G200BHI000	2.1500	RFQ	58	赛普拉斯半导体公司	ML-2	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	S34ML01	闪存-NAND		2.7V〜3.6V	63-BGA（11x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	210		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	25ns
AT27BV010-90TU	-	RFQ	7055	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	AT27BV010	EPROM -OTP		2.7V〜3.6V，4.5V〜5.5V	32-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	156		非易失性	1Mbit	90 ns	EPROM	128K x 8	平行线	-
MT53E4D1ADE-DC TR	22.5000	RFQ	7857	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT53E4					-			到达不受影响	557-MT53E4D1ADE-DCTR			2,000
CY62158DV30LL-55BVI	6.4700	RFQ	315	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY62158	sram-异步		2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	1m x 8	平行线	55ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²