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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | AK6417AM | - | ![]() | 7693 | 0.00000000 | asahi kasei Microdevices/akm | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | - | - | - | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||
![]() | CY27C010-120WI | - | ![]() | 7063 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) | CY27C010 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 28-Cerdip | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 非易失性 | 1Mbit | 120 ns | EPROM | 128K x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | GD9FS2G6F2AMGI | 4.7450 | ![]() | 2141 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | 下载 | 1970-GD9FS2G6F2AMGI | 960 | 非易失性 | 2Gbit | 20 ns | 闪光 | 128m x 16 | onfi | 25ns | |||||||||
![]() | 7025S35GI | - | ![]() | 3400 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 84-BPGA | 7025S35 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 84-PGA (27.94x27.94) | - | 800-7025S35GI | 过时的 | 1 | 易挥发的 | 128kbit | 35 ns | SRAM | 8k x 16 | 平行线 | 35ns | |||||||
![]() | S25FL064LABBHI030 | 1.7400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-l | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-BGA(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-S25FL064LABBHI030 | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 288 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | 未行业行业经验证 | ||
![]() | A0735493-C | 17.5000 | ![]() | 1368 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-A0735493-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
S25FL128SAGBHVD03 | - | ![]() | 4622 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-s | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 8 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||
![]() | 71V3556S133PFGI | 10.0700 | ![]() | 556 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3556 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||||||
![]() | S25FL256LDPNFV011 | 5.3200 | ![]() | 4466 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-l | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,230 | 66 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | ||||
IS61C3216AL-12TLI-TR | 1.8501 | ![]() | 4530 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS61C3216 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 512kbit | 12 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 12ns | |||||
![]() | GVT71128G36T-6 | 1.7100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Galvantech | GVT71128G36 | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 100-TQFP | GVT71128G | SRAM | 3.3V | - | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4 ns | SRAM | 128K x 36 | - | |||||||
![]() | BR24G128FVM-3AGTTR | 0.7700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vssop,8-msop (0.110英寸,2.80mm宽度) | BR24G128 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 非易失性 | 128kbit | EEPROM | 16k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | S25FL064P0XMFI000 | - | ![]() | 3483 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-p | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 5µs,3ms | ||||
![]() | MT29F1G08ABBFAH4-AATE:f | - | ![]() | 2331 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 30ns | ||||||
![]() | W25Q32JVZEAQ | - | ![]() | 6175 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | W25Q32 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(8x6) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q32JVZEAQ | 1 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | |||||
![]() | W29N04KZBIBG TR | 6.9549 | ![]() | 3806 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(9x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 256-W29N04KZBIBGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 4Gbit | 25 ns | 闪光 | 512m x 8 | onfi | 35ns,700µs | |||||
![]() | IS61NLF25672-7.5B1I-Tr | - | ![]() | 9146 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 209-BGA | IS61NLF25672 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 209-LFBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 117 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 72 | 平行线 | - | |||
![]() | SM662GEE-BD | - | ![]() | 8058 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | SM662 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
S80KS2563GABHB020 | 15.4500 | ![]() | 676 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperRAM™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S80KS2563 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜2V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0024 | 338 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 35 ns | PSRAM | 32m x 8 | spi -octal I/o | 35ns | ||||
S25FL256SAGBHI210 | 6.0400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-s | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 3,380 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||
S25FL032P0XBHIS20 | 1.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-p | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL032 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 407 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 5µs,3ms | |||||||
![]() | W634GU6QB-09 | 7.0400 | ![]() | 198 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-VFBGA | W634GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA(7.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W634GU6QB-09 | Ear99 | 8542.32.0036 | 198 | 1.06 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | S25FL256SDPNFV000 | - | ![]() | 4249 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2832-S25FL256SDPNFV000 | 1 | 66 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C199C-12VXCT | - | ![]() | 3983 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C199 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-soj | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 256kbit | 12 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 12ns | ||||
![]() | w66bl6nbuagj | 6.8078 | ![]() | 1650 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | W66BL6 | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-WFBGA(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W66BL6NBUAGJ | Ear99 | 8542.32.0036 | 144 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | LVSTL_11 | 18NS | ||
![]() | S26361-F3719-E514-C | 50.0000 | ![]() | 7903 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-S26361-F3719-E514-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS25LP064A-JGLE-TR | - | ![]() | 9510 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS25LP064 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 800µs | ||||
![]() | UPD46185364BF1-E40-EQ1-A | 42.0700 | ![]() | 565 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S29GL256S90DHI010 | 8.4200 | ![]() | 9220 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-S | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(9x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29GL256S90DHI010 | 260 | 非易失性 | 256Mbit | 90 ns | 闪光 | 16m x 16 | 平行线 | 60ns | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | DS28E10P-W26+1T | - | ![]() | 4786 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 6-SMD,J-Lead | DS28E10 | EPROM -OTP | 2.8v〜3.6V | 6-TSOC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 非易失性 | 224位 | EPROM | 28 x 8 | 1-Wire® | - |
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