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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
M58WR064ET70ZB6T STMicroelectronics M58WR064ET70ZB6T -
RFQ
ECAD 4349 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-VFBGA M58WR064 闪光灯 -也不 1.65V〜2.2V 56-VFBGA(7.7x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66 MHz 非易失性 64mbit 70 ns 闪光 4m x 16 平行线 70NS
CY7C1019DV33-8ZSXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1019DV33-8ZSXI 2.4200
RFQ
ECAD 4324 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) sram-异步 3v〜3.6V 32-TSOP II - 2156-CY7C1019DV33-8ZSXI 11 易挥发的 1Mbit 8 ns SRAM 128K x 8 平行线 8ns
CY7C1320KV18-333BZXC Infineon Technologies CY7C1320KV18-333BZXC -
RFQ
ECAD 5058 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA CY7C1320 Sram-同步,DDR II 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 680 333 MHz 易挥发的 18mbit SRAM 512k x 36 平行线 -
CY7C12681KV18-400BZC Infineon Technologies CY7C12681KV18-400BZC -
RFQ
ECAD 1015 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA CY7C12681 sram-同步,DDR II+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 136 400 MHz 易挥发的 36mbit SRAM 2m x 18 平行线 -
CG7872AA Cypress Semiconductor Corp CG7872AA -
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ECAD 1052 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 过时的 - 不适用 1 未行业行业经验证
MT58L128L36P1T-10 Micron Technology Inc. MT58L128L36P1T-10 7.1600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT58L128L36 SRAM 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 4Mbit 5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
IS43TR16512AL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-107MBLI-TR -
RFQ
ECAD 5090 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LFBGA(10x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR16512AL-107MBLI-TR Ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
00D4981-C ProLabs 00D4981-C 72.5000
RFQ
ECAD 5097 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-00D4981-C Ear99 8473.30.5100 1
GD25WQ64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64WIGR 0.8999
RFQ
ECAD 4534 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25WQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜3.6V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD25WQ64EWIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs,4ms
M30162040054X0IWAY Renesas Electronics America Inc M30162040054x0iway 34.1348
RFQ
ECAD 4385 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-WDFN暴露垫 M30162040054 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN(5x6) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 800-M30162040054x0iway Ear99 8542.32.0071 225 54 MHz 非易失性 16mbit 内存 4m x 4 - -
MEM-DR316L-HL01-ER13-C ProLabs MEM-DR316L-HL01-ER13-C 37.0000
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ECAD 3855 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-MEM-DR316L-HL01-ER13-C Ear99 8473.30.5100 1
E2Q93AA-C ProLabs E2Q93AA-C 68.7500
RFQ
ECAD 7627 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-E2Q93AA-C Ear99 8473.30.5100 1
CY7C037V-15AC Cypress Semiconductor Corp CY7C037V-15AC 24.2500
RFQ
ECAD 36 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP CY7C037 sram-双端口,异步 3v〜3.6V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3A991B2B 8542.32.0041 13 易挥发的 576kbit 15 ns SRAM 32K x 18 平行线 15ns 未行业行业经验证
NDS63PT9-16ET TR Insignis Technology Corporation NDS63PT9-16ET TR 3.0982
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ECAD 2482 0.00000000 Insignis Technology Corporation * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 3(168)) 1982-NDS63PT9-16ETTR 1,000
AT24C1024B-TH-T Microchip Technology AT24C1024B-TH-T -
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ECAD 4124 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) AT24C1024 EEPROM 1.8v〜3.6V 8-tssop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 非易失性 1Mbit 550 ns EEPROM 128K x 8 i²c 5ms
MR4A08BUYS45R Everspin Technologies Inc. MR4A08BUYS45R 48.8400
RFQ
ECAD 5792 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR4A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR4A08BUYS45RTR Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 16mbit 45 ns 内存 2m x 8 平行线 45ns
SM662GBD-BESS Silicon Motion, Inc. SM662GBD-BES 57.0900
RFQ
ECAD 4646 0.00000000 硅运动,Inc。 Ferri-Emmc® 托盘 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 100-LBGA SM662 Flash -nand(slc),闪光灯-NAND(tlc) - 100-BGA (14x18) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1984-SM662GBD-BES 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 320Gbit 闪光 40g x 8 EMMC -
CY62148BLL-70ZXI Infineon Technologies CY62148BLL-70ZXI -
RFQ
ECAD 1300 0.00000000 Infineon技术 MOBL® 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) CY62148 sram-异步 4.5V〜5.5V 32-TSOP II - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 234 易挥发的 4Mbit 70 ns SRAM 512k x 8 平行线 70NS
CY7C2665KV18-550BZI Cypress Semiconductor Corp CY7C2665KV18-550BZI -
RFQ
ECAD 4190 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-LBGA CY7C2665 sram-同步,QDR II+ 1.7V〜1.9V 165-fbga(15x17) 下载 Rohs不合规 105 550 MHz 易挥发的 144Mbit SRAM 4m x 36 平行线 - 未行业行业经验证
W25Q80EWSNAG Winbond Electronics W25Q80EWSNAG -
RFQ
ECAD 5493 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) W25Q80 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3(168)) 到达不受影响 256-W25Q80EWSNAG 过时的 1 104 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 30µs,800µs
DS2704G+ ADI/Maxim Integrated DS2704G+ -
RFQ
ECAD 4195 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 积极的 -30°C〜85°C(TA) 表面安装 6-WDFN暴露垫 DS2704 EEPROM 2.5V〜5.5V 6-TDFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 1 非易失性 1.25kbit 2 µs EEPROM 32字节x 5页 1-Wire® -
IS61VPD102418A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD102418A-250B3-Tr -
RFQ
ECAD 4244 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VPD102418 sram-四边形端口,同步 2.375V〜2.625V 165-PBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
S99GL256P11FFI010 Infineon Technologies S99GL256P11FFI010 -
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ECAD 2402 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 上次购买 - 1
S25HS01GTDPBHI030 Infineon Technologies S25HS01GTDPBHI030 17.6100
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ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 HS-T 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA S25HS01 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-bga(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 260 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
CY62148GN-45ZSXIT Infineon Technologies CY62148GN-45ZSXIT 4.6200
RFQ
ECAD 7420 0.00000000 Infineon技术 MOBL® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) CY62148 sram-异步 4.5V〜5.5V 32-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 4Mbit 45 ns SRAM 512k x 8 平行线 45ns
CYDMX064B16-65BVXI Cypress Semiconductor Corp CYDMX064B16-65BVXI 6.9400
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ECAD 3 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-VFBGA cydmx sram-双端口,莫布 1.8V〜3.3V 100-vfbga(6x6) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.32.0041 44 易挥发的 64kbit 65 ns SRAM 4K x 16 平行线 65ns 未行业行业经验证
CY7C09369V-9AC Cypress Semiconductor Corp CY7C09369V-9AC 22.5600
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ECAD 311 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP CY7C09369 sram-双端口,同步 3v〜3.6V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 67 MHz 易挥发的 288kbit 9 ns SRAM 16k x 18 平行线 -
MT29F1T08CUCABH8-6R:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCABH8-6R:a tr -
RFQ
ECAD 9053 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-LBGA MT29F1T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-lbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 167 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
IS25LP256D-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-RMLE -
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ECAD 5143 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IS25LP256 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 非易失性 256Mbit 7 ns 闪光 32m x 8 系列 800µs
24AA025E64T-I/OT Microchip Technology 24AA025E64T-I/OT 0.3600
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ECAD 753 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 SOT-23-6 24AA025E64 EEPROM 1.7V〜5.5V SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 非易失性 2kbit 900 ns EEPROM 256 x 8 i²c 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库