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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | M58WR064ET70ZB6T | - | ![]() | 4349 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-VFBGA | M58WR064 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2.2V | 56-VFBGA(7.7x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 66 MHz | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | CY7C1019DV33-8ZSXI | 2.4200 | ![]() | 4324 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-TSOP II | - | 2156-CY7C1019DV33-8ZSXI | 11 | 易挥发的 | 1Mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 8ns | |||||||||
![]() | CY7C1320KV18-333BZXC | - | ![]() | 5058 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1320 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 680 | 333 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | CY7C12681KV18-400BZC | - | ![]() | 1015 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C12681 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | ||||
![]() | CG7872AA | - | ![]() | 1052 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 1 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT58L128L36P1T-10 | 7.1600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT58L128L36 | SRAM | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 4Mbit | 5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | IS43TR16512AL-107MBLI-TR | - | ![]() | 5090 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-LFBGA(10x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR16512AL-107MBLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | 00D4981-C | 72.5000 | ![]() | 5097 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-00D4981-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | GD25WQ64WIGR | 0.8999 | ![]() | 4534 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25WQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜3.6V | 8-wson(5x6) | 下载 | 1970-GD25WQ64EWIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 12 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 120µs,4ms | ||||||||
![]() | M30162040054x0iway | 34.1348 | ![]() | 4385 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | M30162040054 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 800-M30162040054x0iway | Ear99 | 8542.32.0071 | 225 | 54 MHz | 非易失性 | 16mbit | 内存 | 4m x 4 | - | - | ||||
![]() | MEM-DR316L-HL01-ER13-C | 37.0000 | ![]() | 3855 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-MEM-DR316L-HL01-ER13-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | E2Q93AA-C | 68.7500 | ![]() | 7627 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-E2Q93AA-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY7C037V-15AC | 24.2500 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C037 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 13 | 易挥发的 | 576kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 18 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | NDS63PT9-16ET TR | 3.0982 | ![]() | 2482 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 1982-NDS63PT9-16ETTR | 1,000 | ||||||||||||||||||||
AT24C1024B-TH-T | - | ![]() | 4124 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | AT24C1024 | EEPROM | 1.8v〜3.6V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 550 ns | EEPROM | 128K x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | MR4A08BUYS45R | 48.8400 | ![]() | 5792 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR4A08 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 44-TSOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR4A08BUYS45RTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 16mbit | 45 ns | 内存 | 2m x 8 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | SM662GBD-BES | 57.0900 | ![]() | 4646 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | Ferri-Emmc® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 100-LBGA | SM662 | Flash -nand(slc),闪光灯-NAND(tlc) | - | 100-BGA (14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1984-SM662GBD-BES | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 320Gbit | 闪光 | 40g x 8 | EMMC | - | ||||
![]() | CY62148BLL-70ZXI | - | ![]() | 1300 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 包 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY62148 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-TSOP II | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 234 | 易挥发的 | 4Mbit | 70 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | CY7C2665KV18-550BZI | - | ![]() | 4190 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C2665 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 105 | 550 MHz | 易挥发的 | 144Mbit | SRAM | 4m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | W25Q80EWSNAG | - | ![]() | 5493 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | W25Q80 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q80EWSNAG | 过时的 | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 8mbit | 6 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 30µs,800µs | ||||
![]() | DS2704G+ | - | ![]() | 4195 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 积极的 | -30°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | DS2704 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 6-TDFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 非易失性 | 1.25kbit | 2 µs | EEPROM | 32字节x 5页 | 1-Wire® | - | ||||
![]() | IS61VPD102418A-250B3-Tr | - | ![]() | 4244 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61VPD102418 | sram-四边形端口,同步 | 2.375V〜2.625V | 165-PBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | S99GL256P11FFI010 | - | ![]() | 2402 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 上次购买 | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
S25HS01GTDPBHI030 | 17.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | HS-T | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25HS01 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 24-bga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 133 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | |||||
![]() | CY62148GN-45ZSXIT | 4.6200 | ![]() | 7420 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY62148 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | CYDMX064B16-65BVXI | 6.9400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-VFBGA | cydmx | sram-双端口,莫布 | 1.8V〜3.3V | 100-vfbga(6x6) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 44 | 易挥发的 | 64kbit | 65 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 65ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C09369V-9AC | 22.5600 | ![]() | 311 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C09369 | sram-双端口,同步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 67 MHz | 易挥发的 | 288kbit | 9 ns | SRAM | 16k x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29F1T08CUCABH8-6R:a tr | - | ![]() | 9053 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 152-LBGA | MT29F1T08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 152-lbga(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | IS25LP256D-RMLE | - | ![]() | 5143 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IS25LP256 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 7 ns | 闪光 | 32m x 8 | 系列 | 800µs | |||
24AA025E64T-I/OT | 0.3600 | ![]() | 753 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | SOT-23-6 | 24AA025E64 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 非易失性 | 2kbit | 900 ns | EEPROM | 256 x 8 | i²c | 5ms |
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